据报道三星2nm Taylor二厂2030年投产前产能已订满，AMD HBM基底裸片订单为主

发生了什么

据《每经新闻》援引业内消息人士报道，三星电子美国得克萨斯州Taylor第二工厂（Taylor Fab 2）计划采用2nm工艺生产HBM基底裸片，其全部规划产能据称已被订单订满至2030年投产，其中AMD占多数，消息人士称仅AMD的订单就可能令该厂产能吃紧；2nm或更先进工艺的基底裸片用于满足下一代HBM需求（其量产中的HBM4和已送样的HBM4E使用4nm基底裸片）。该厂面积270万平方英尺（约25万平方米），约为Taylor Fab 1的1.5倍；场地平整等准备工作已在进行，全面施工定于2026年11月初开始，设备安装预计2029年2月启动，2030年量产；投产后三星计划将Taylor Fab 2生产的基底裸片与韩国生产的DRAM结合供应成品HBM。另据报道，业内观察人士认为博通可能是Taylor Fab 2 HBM基底裸片的另一个潜在客户；据ChosunBiz，三星还可能通过台湾ASIC设计公司Faraday为一家美国云客户代工2nm AI芯片，但制造订单尚未确认。据路透社，三星称第三季度代工业务营收受惠于HBM逻辑裸片销售及超大规模客户和其他AI客户的先进2nm订单，但该业务仍处于亏损。此外报道指出不确定性：NVIDIA据报道已要求包括三星在内的三大存储厂商将NVHBM基底裸片生产外包给台积电，若NVIDIA继续偏向台积电，更广泛的NVHBM采用可能限制三星代工获取额外基底裸片订单的机会。

影响与信号

受影响器件与厂商

来源与时间

来源：TrendForce · 2026/11/3 · 查看原始来源