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SK海力士约450亿美元纽约州两座NAND闪存工厂建设计划遭遇阻碍：美国商务部尚未批准其向中国大连工厂出口更多美国制造半导体设备的许可证，扩产为美国建厂融资的安排陷入两难

发生了什么

2026年11月4日报道（路透社11月3日援引知情人士消息）：韩国存储芯片巨头SK海力士计划在美国纽约州马西（Marcy）由其美国子公司Solidigm建设两座NAND闪存工厂，初期投资规模约450亿美元，若后续项目扩大，长期投资总额可能达到1000亿美元；但该计划遭遇新障碍——美国商务部尚未批准SK海力士向中国大连工厂出口更多美国制造半导体设备的许可证，审批迟迟没有完成，同时也尚未正式否决该申请。SK海力士希望将这些设备用于填充大连工厂名为Mod B生产区域在2023年即已建成、但因当时全球存储芯片市场低迷而未完成全部设备安装的洁净厂房空置空间，以扩大NAND产能、增加收入，为纽约新工厂提供资金来源并维持全球竞争力。知情人士称，自今年8月底以来，Solidigm高管已与美国商务部官员进行了接近10次会谈，最近一次会谈中美国商务部副部长Jeffrey Kessler仍坚持不允许通过新增美国设备升级或扩大中国工厂产能的立场；美国商务部此前已撤销SK海力士和三星电子在中国工厂使用美国设备的部分便利安排，改为逐年申请出口许可证，允许通过许可证维持现有中国工厂正常运营，但不希望借此扩大中国的芯片制造产能或升级技术。双方还在讨论另一项2027年度出口许可，以确保大连工厂继续获得维持现有生产所需的设备。当地官员希望美国政府在未来几周内明确相关许可问题，因为一项联邦投资税收抵免政策将在2026年底到期，若项目无法及时推进，企业可能错过部分税收优惠并影响投资安排。Solidigm表示公司一直在评估不同战略方案、研究在全球不同地点建设NAND工厂的可能性，但尚未就任何具体选址或建设方案作出最终决定；SK海力士未立即对路透社报道作出回应。此外，SK海力士此前已与英特尔就租用俄亥俄州芯片工厂部分设施展开讨论，并在美国印第安纳州建设一座重点服务高带宽内存（HBM）业务的先进封装工厂。原文未说明审批延迟之外的其他原因；核心原因明确为美国对华半导体制造设备出口许可未获批准及出口管制政策收紧。