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同一工厂不同路线：铠侠与SanDisk在HBF上分道扬镳——SanDisk支持并完成首颗HBF裸片流片，铠侠未加入联盟并主张串行连接替代架构

发生了什么

NAND合资厂伙伴铠侠与SanDisk对SK海力士主导的高带宽闪存（HBF）计划立场分歧：SanDisk支持，铠侠迄今中立并提出替代架构。HBF概念类似HBM，通过TSV将多层3D NAND裸片（首个HBF规范为8层或16层堆叠）垂直堆叠并并行连接至基础逻辑裸片与主机GPU，标准NAND裸片一般无法直接用于HBF。SanDisk与SK海力士于2026年2月发起HBF规范标准化联盟及OCP下属工作流，两者是首份开放技术规范的主要贡献者，规范覆盖8/16层NAND裸片堆叠（最高512 GB）、约0.4–3.0 TB/s带宽等级、UCIe互连、封装、可靠性与软件指引，并于2026年8月初经OCP发布；Google与Tenstorrent随后加入联盟。KAIST教授Kim Jung-ho在1月表示：“三星电子和SanDisk计划在明年年底或2028年初将HBF整合到Nvidia、AMD和Google的产品中。”SanDisk在10月表示：“HBF在FQ1达到里程碑，我们的首颗HBF存储裸片完成流片；我们首批基于HBF的产品的样品仍按计划在下一个日历年推出。”铠侠未加入HBF联盟，其自身方案包括：采用gen 3 XL-FLASH、512字节随机读性能超过2000万IOPS的Optane级GP Series SSD；用于数据中心的液冷NX1 Series E1.S NVMe SSD及PCIe gen 5 CM9数据中心SSD液冷版；据日本Nikkei报道，计划将高速NAND作为DRAM替代品，使用CXL模块将数据读取延迟降至传统NAND产品的十分之一以下；并于2025年8月为边缘服务器（非数据中心GPU服务器）制作了容量5 TB、带宽64 GB/s的大容量高带宽闪存模块原型，采用闪存“珠”菊花链串行连接（收发器速率128 Gbps）而非堆叠层，使用差分串行信令而非HBF的并行信令。SK集团董事长Chey Tae-won在9月提议SK海力士与铠侠的合作可能有趣；背景是SK海力士通过可转换债券（可转换为14.19%的有投票权持股）投资铠侠，铠侠部分SSD也使用SK海力士DRAM。铠侠CEO Hiroo Ota反对该想法，对《日本时报》表示：“我们不能只说‘那好，就做成三家公司吧’……我们完全不知道是什么促使（Chey）说出那番话。”TrendForce 2026年4月文件援引ETNews称，有消息人士表示SanDisk已开始接洽材料、元器件和设备伙伴以构建HBF原型生产线的生态系统，目标在年内下半年推出原型，日本是生产基地的主要候选地，业界预计试产线于下半年建成并在年底前后开始运行，商业化目标定于2027年；这暗示SanDisk可能在考虑拥有并运营独立于铠侠合资之外的自有NAND厂。