NuAxi半导体贸易情报
京瓷量产100微米GaN激光芯片硅衬底工艺
发生了什么
京瓷开发新型薄膜工艺，可在硅衬底上量产边长小于100微米的GaN微光源。该技术旨在降低下一代激光器和Micro-LED的制造成本。利多/利空/关注: 中性，此为远期研发进展，对当前电子元件交易市场的供需与价格无直接影响。
影响与信号
低影响影响力评分：10/100
受影响器件与厂商
GaN LasersMicro-LEDs
Kyocera Corp
R&Dmanufacturing-process
来源与时间
来源：Semiconductor Today · 2022/11/24 · 查看原始来源
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