NuAxi半导体贸易情报
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三星西安厂升级236层NAND闪存
三星西安工厂已完成向236层NAND闪存的工艺升级，仅落后其韩国最新产线一代。SK海力士亦在华加速NAND升级，因两家公司将DRAM/HBM产能优先部署在韩国本土。利空：中国工厂先进NAND产能提升，可能对全球NAND现货价格构成下行压力。
NAND Flash
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来源：TrendForce Official (Market Data) · 2026/3/30 · 查看原始来源
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