英国电子制造商TechPoint已收购总部位于南安普顿的EMS提供商Esprit Electronics，Esprit全部92名员工加入TechPoint集团，公司将继续在现有设施运营。Esprit Electronics成立于1985年，为跨国工业客户提供制造和测试服务，并设计制造用于电磁兼容性（EMC、EMI、RFI）和瞬态电压抑制（TVS，包括雷击保护）的定制滤波连接器。Esprit表示将继续提供EMS、供应链服务、设计支持（DFM、DFT、DFX）和物流服务。TechPoint称此次收购为两家公司客户提供更多制造产能、专业自动化和工程专业知识以及更具韧性的供应链。两家公司未披露收购价格。
Yea Shin Technology(钰新科技,为Eris Technology子公司)将于10月23日在台湾兴柜市场开始挂牌交易,并计划将其产能中6英寸晶圆的占比从35%提升至50%以上,因其TVS产品进入国际AI服务器供应链。原文将此背景归因于AI服务器带动对电源元件、瞬态电压抑制器(TVS)及静电放电(ESD)保护元件的需求。上述6英寸晶圆占比提升为计划,并非已完成事项。
电源转换方案设计商与制造商RECOM Power与云端电子设计自动化厂商CELUS今日宣布建立合作伙伴关系，将首批RECOM电源设计引入CELUS Design Platform，具体涵盖37个RECOM CUBO（平台上的可复用电路模块，亦称Digital Datasheets）。其中29个围绕RECOM用于隔离及开关式DC/DC转换的电源IC构建，分属平台的Isolation和Switching DC-DC Conversion功能模块，包括RVP001（4个）、RVP003（9个）、RVP003S（1个）、RVP010（6个）、RVP6501（1个）、RVPW011（1个）、RVPW012（1个）、RVPW014（4个）、RVPW015（1个）、RVPW016（1个）；其余8个覆盖RECOM的R-78开关稳压器（6个：R-783.3-0.5 V1/V2、R-785.0-0.5 V1/V2、R-78AA3.3-0.5 V1/V2）和RAC AC/DC转换器模块（2个：RAC02E-3.3SK/277 V1、RAC04-09SGA V1）。每个CUBO由RECOM数据手册、应用笔记和参考设计构建，包含电源IC、配套元件及完整物料清单。该合作与平台新增的Power Nets功能同步推出：工程师定义带电压和方向的供电网络后，Design Assistant仅提出功率规格匹配的方案，设计可通过平台与Altium Designer、KiCad、Siemens EDA和Autodesk Fusion的集成在工程师自有工具中继续。此次合作使这些RECOM设计触达在100多个国家使用CELUS Design Platform的超过30,000名工程师及超过560,000个元件的元件库。
瑞萨电子近日发布了基于Gen 4+技术的650-V、20-mΩ d-mode GaN FET，采用8×8 mm双面散热（DSC）PQFN封装，型号为TP65H020G4PLSGBD，目前已向AI数据中心OEM和ODM送样，量产计划于2027年中。据瑞萨称，Gen 4+相较Gen 4通过单元设计和比导通电阻的渐进式改进，实现更低的RDS(on)、更小的尺寸、更低的栅极电容（CGS、CGD）和输出电容（Coss）；Gen 6预计要到2027年才提供样品。该器件为d-mode，与LV硅MOSFET配对使用。封装支持顶面、底面或双面散热，当前支持20-mΩ器件，未来10–15-mΩ器件或可单冷板散热。相比TOLT封装，DSC PQFN在x-y轴封装面积减少约57%至60%，高度约1 mm（对比TOLT的2.35 mm，表格中为2.3 mm），热阻抗低9%至10%（0.36 °C/W对比0.4 °C/W），四开关功率级PCB面积可减少约15%至25%。在6-kW、800 V转48 V、运行于650 kHz至1 MHz的IBC演示板风冷测试中，DSC全负载效率提升0.14%，相当于6-kW转换器中约10+ W的额外功率；测试未使用液冷，下一步将进行液冷测试。DSC 8×8（含650-V GaN）应用于初级侧，每个模块仅承受约400 V，两个模块串联以适应800 V总线。DSC封装技术的主要应用是初级侧800 V DC转换为48 V、12 V和6 V的中间总线转换器（IBC）。针对800 V转6 V输出电流超过3,000 A的情况，瑞萨正与EPC合作推进LV GaN的DSC封装选项。瑞萨在10月12日至15日于加州圣何塞举行的OCP全球峰会上展示了该器件，作为其800-V电源解决方案的一部分。
据公开报道，闻泰科技旗下安世中国通过与中国战略合作伙伴达成合作，已实现MOSFET、逻辑IC等产品在12英寸晶圆平台升级；在晶体管与保护器件方面，部分产品已成功实现12英寸晶圆工艺平台的研发和量产，为全球首家掌握该项核心技术与生产能力的企业，12英寸单片有效芯片产出较8英寸提升约2.2至2.4倍，车规器件交付周期由12至16周压缩至4至6周。文章并援引中国汽车工业协会数据称，传统燃油车单车所需芯片约600至700颗，电动车约1600颗，智能汽车提升至3000颗左右，新能源汽车功率半导体单车价值量约为传统燃油车的2至3倍；在功率半导体行业整体供需偏紧、价格上行的背景下，本土晶圆直供与东莞封测构成的供应链闭环使MOSFET、逻辑IC等产品的本土交付确定性显著增强。原文未说明原因。
LS Electric 与美国主要科技公司签署价值约1700亿韩元的合同，供应人工智能数据中心的开关设备；另据其于10月19日宣布的长期协议价值为1.2523亿美元，用于北美数据中心的电力分配解决方案。合同覆盖2027年至2028年，2027年交付量已确定，2028年待谈判。产品为38千伏高压开关设备系统。原文未说明原因。
TI（德州仪器）推出一款3-GSPS（每秒30亿样本）ADC，可捕获瞬态电源故障，实现纳秒级的数据中心电源监控；同时TI还推出新的电源管理器件和时序器件，目标是提升AI数据中心的可靠性。此为新品发布信息，原文未说明价格、供货时间或对市场供需的影响。
巴克莱最新报告预测，全球（不含中国）数据中心新增容量的同比增速将从2026年逾100%大幅回落至2027年的约35%，2028年可能趋于平稳（此为预测，非已实现数据）。报告预计2027年全球（不含中国）新增投运容量约25GW，其中超大规模云服务商占比超过60%；建模时保守假设非超大规模项目管道的实际转化率仅约40%，理由是土地、电力接入及供应链等物理瓶颈。报告同时警告债务成本上升与融资环境收紧对开发商构成额外压力，并提及CoreWeave正在进行的投资者融资讨论为佐证；CoreWeave计划在2030年前新增5GW数据中心容量，其融资进展受市场关注。巴克莱认为2027年后增速放缓的核心逻辑是物理约束与资本约束共同作用，并建议超配半导体、低压电气及冷却设备，对电力设备及中压电气持相对谨慎态度。
作者根据Texas Instruments的一份新闻稿介绍，该公司推出RES80A-Q1，这是一款50-MΩ精密电阻分压器，可用于高达2,000 V DC的极高电压，且已通过AEC-Q200汽车级无源元件认证，主要用途是高压EV电池包中为车辆电池管理系统（BMS）提供电压数据。该器件采用高性能模拟晶圆工艺和SiO2绝缘层封装，8引脚SOIC封装标称尺寸7.5 mm × 5.85 mm，高低压引脚间爬电和电气间隙至少8.5 mm；每个分压器的实测比值与标称值之差在±0.1%（最大）以内，规定温度范围和老化条件下的累积漂移仅±0.2%（最大），未经校准的RES80A-Q1的寿命容差保持在±0.3%（最大）范围内。文章背景性讨论了汽车（尤其是EV）对无源元件性能要求提升，以及该类标准目录器件可被非汽车设计采用，同时指出汽车复杂化带来的维修与供应链挑战；文中未包含任何价格变动、产能或供需数据。
Power Integrations Inc（美国加州圣何塞，提供用于高能效功率转换的高压集成电路）与Ideal Power Inc（B-TRAN双向半导体功率开关的开发和供应商）宣布开展合作，共同提供固态断路器（SSCB）解决方案，该方案提供快速、高效、始终在线的保护，并可随AI数据中心800VDC的转型而扩展。原文仅披露合作意向/进行中的协作，未说明具体时间表、财务条款或产品落地的确切日期。
Microchip 正在扩展其空间电源产品线，推出 POL-05-20S，这是一种辐射耐受的 GaN 点负载转换器，可提供高达 20A 的输出电流。POL-05-20S-T 已投入量产供应。
onsemi与Sungrow宣布将onsemi的EliteSiC混合功率模块技术集成到Sungrow的PowerTitan 3.0储能平台，用于电网级储能系统的高功率DC-AC转换。据onsemi称，与上一代平台相比，新架构将逆变器级效率提升0.4个百分点，支持额定功率最高450 kW的功率转换单元，峰值效率超过99.3%。onsemi的分析显示，在100 MW电池储能装置中，0.4%的效率提升每年可节省超过475 MWh电量（与上一代模块相比）。该SiC混合技术结合碳化硅与硅功率器件，采用三级逆变器架构，提供更高功率密度和更好热性能。双方曾在平台开发、系统优化、工程验证和资格认证方面合作，此次采用建立在两家公司既有的战略关系之上。
Team Group Inc.宣布其T-CREATE EXPERT Ai CQDIMM DDR5桌面内存获得GOOD DESIGN AWARD 2026。该产品是Team Group首款单条容量达128 GB的DDR5 CQDIMM桌面内存，面向在本地运行生成式AI的创作者；其结合独立时钟驱动器与专利IC分选验证技术，在JEDEC标准电压1.1 V下无需超频即可实现默认8,000 MT/s的数据传输率，双槽配置可提供总计256 GB容量。成立于1957年的GOOD DESIGN AWARD采用多阶段评审流程，从人本、产业、社会、时间四个角度评估参赛作品，并考量设计理念、用户体验与长期价值。文中未说明该奖项对产品价格或供需的影响，本条为产品获奖信息，不构成价格或供应变化依据。
全球电视市场增长承压，但高端机型有望扩张。由于内存价格上涨引发"芯片通胀"并挤压低价电视的利润率，三星电子与LG电子正在调整产品组合，强化OLED与Micro RGB产品线，通过画质与功能差异化支撑定价。
快科技10月16日消息，元太科技(E Ink)正式推出新一代彩色电子纸技术E Ink Kaleido 4。该面板延续低功耗、类纸阅读等核心优势，并提升彩色显示的色彩表现、亮度、对比度与动态显示能力。具体指标为：色域容积提升2倍至40K以上，白画面反射率提升15%，对比度提升50%；其采用全新Oxide TFT背板，支持更高驱动电压以提升画面刷新速率，并结合新算法支持18FPS视频播放，同时配备全新设计的前光系统。汉王科技率先基于该面板推出M10C二代彩墨办公本，其翻页、滑动速度提升27%，覆盖微蚀刻AG黑色钢化玻璃面板，搭配8192级压感无源数位笔，基于高通8核处理器，存储器组合为4GB+128GB。
Taihan Cable & Solution于10月15日在监管文件中表示，已与子公司T.E.USA (TAIHAN ELECTRIC USA LTD)签署1200亿韩元合同，为美国一项以交钥匙方式授予的超高压电网项目供应材料，该合同相当于公司去年3.636万亿韩元营收的3.21%。T.E.USA负责包括当地工程与施工的整体项目，Taihan负责制造和供应超高压电缆及电缆附件；由于保密协议，项目总价值和客户未披露；项目预定于2028年12月31日完工。公司今年上半年在英国、新加坡和澳大利亚获得超高压电网项目，1月还在美国赢得1000亿韩元交钥匙项目，囊括全部500千伏高压交流(HVAC)地下电网项目及一份320千伏高压直流(HVDC)电缆供应合同。业绩方面，第二季度营业利润达608亿韩元，上半年达1213亿韩元，较上年同期557亿韩元增长逾一倍，达去年全年营业利润1286亿韩元的94%以上；截至6月底订单积压为4.0629万亿韩元，史上首次突破4万亿韩元。原文将增长归因于AI数据中心建设增加推动美国电力需求快速上升，以及对老化电网更换和新输电基础设施投资的扩大。
总部位于美国加州Commerce的XMax Inc(前身Nova LifeStyle Inc)——该公司原主营现代家具的设计、采购与分销,后多元化发展人工智能软件及平台服务——已同意收购Hexa Creation Inc。Hexa Creation是一家美国公司,专注于面向AI数据中心电源基础设施及其他高压应用的1200V垂直氮化镓(GaN)功率半导体技术。协议已达成,但来源未说明交易完成时间及是否需监管批准。
pSemi高级产品营销经理Jason Ngai在Power Corner访谈中介绍ARC1C0608 LED背光驱动IC，该器件适用于单节（1S）锂离子笔记本，需将2.7至5.5 V输入升压至最高30 V的LCD背光电压。Ngai称现代SoC待机效率提升后，显示屏成为主要功耗来源，占总系统功耗最高约70%，且显示屏无法待机，只能调暗或关闭。他指出LED背光驱动为升压变换器，输入电压越低效率越差：典型1S LED驱动器效率约为中80至高80百分比区间，但在电池电压范围（满电约4.35 V，接近截止约3.2–3.6 V）内会降至中60至中70百分比。ARC1C0608采用升压加电荷泵的专有两级架构，可实现最高95%峰值效率，在大部分工作范围内效率为高80至90以上百分比；以3.8 V输入、22–24 V输出为例，电荷泵以3倍倍压工作，升压级只需升至约8 V。该架构降低对电感的依赖，可配合1.2 mm高（甚至0.6 mm高，效率仅降约1%）的芯片电感实现薄型方案。除笔记本外，该IC也适用于平板、VR头显、无人机车灯及自行车显示等单电池显示应用。
Microchip Technology推出辐照耐受型氮化镓(GaN)点-of-load(POL)转换器POL-05-20S-T,面向航天处理系统。该器件可提供最高20A连续输出电流，采用紧凑表贴封装，尺寸为1.51 × 1.51 × 0.45英寸，重量25 g,输入电压范围4.75 V至13.2 V,输出可在0.7 V至5 V之间调节，工作温度范围为满载时−55°C至+100°C。辐照耐受规格方面，Microchip规定了总电离剂量(TID)高达50 krad暴露前后的电气参数，并在线性能量转移(LET)高达43 MeV·cm²/mg水平下对单粒子效应(SEE)进行了表征。该产品面向FPGA、微控制器、ASIC等处理密集型器件的核芯电压轨等大电流、快速瞬变负载，现已有量产数量的供货。
Navitas Semiconductor宣布与NVIDIA合作开发一款24 kW、800 VDC转12 VDC的电源传输板(PDB),面向下一代AI数据中心基础设施，基于Navitas的GaNFast技术，支持NVIDIA MGX生态系统，可将电源直接传送给高性能计算处理器(xPU)。该方案计划在2026年OCP全球峰会的NVIDIA AI Factory MGX Wall合作伙伴展示区展出。此板为Navitas此前与NVIDIA合作发布的20 kW、800 V转6 V电源板的后续产品，两者均支持高压直流配电过渡及GaN和SiC技术在AI基础设施中的应用。新板设计目标为最高24 kW输出、满载效率97%、功率密度超过2,000 W/in³,采用NVIDIA 400 mm × 60 mm外形规格，可集成在计算主板靠近xPU处；采用单级转换架构，直接将800 VDC转换为12 VDC,省去常规50 V转12 V中间总线转换器(IBC)级，减少转换步骤、功率损耗和元件数量；12 V输出向VRM供电。初级侧功率级使用16颗NV6034 GaNFast FET(650 V耐压、18 mΩ导通电阻)，采用堆叠半桥拓扑和8 mm × 8 mm双冷却DFN封装。