三星SK海力士HBM4 ASP涨至32美元
三星与SK海力士2Q26 DRAM NAND ASP分别涨40%与60%，HBM4 ASP涨至32美元。受客户多元化及通用内存涨价驱动，ASP增长成为营收新杠杆。
利多
三家厂商2H盈利预期向好。
- 相关厂商
- Samsung Electronics、SK hynix、NVIDIA、AMD、Google
- 影响评分
- 95 / 100，高影响
三星与SK海力士2Q26 DRAM NAND ASP分别涨40%与60%，HBM4 ASP涨至32美元。受客户多元化及通用内存涨价驱动，ASP增长成为营收新杠杆。
三家厂商2H盈利预期向好。
英特尔CEO Lip-Bu Tan宣布重返存储市场，并聘请SK海力士前高管推进XBM与ZAM架构研发。此举旨在通过新技术应对存储市场变化。
长期技术布局，短期供需无实质影响。
Intel计划开发XBM和ZAM以挑战HBM主导地位，目标2030年商业化。尽管面临生态系统壁垒，但并行开发表明其决心。
该技术趋势对当前供需无直接影响。
英特尔新专利XBM架构匹配HBM4尺寸。该技术旨在通过去除硅中介层优化下一代内存物理设计。
长期技术趋势，对当前现货价格影响中性。
Wolfspeed起诉Navitas侵犯GaN和SiC专利，寻求美国法院下达永久禁令。Wolfspeed拥有深厚专利壁垒，而Navitas采用轻资产模式在快充和汽车SiC市场扩张，双方在功率半导体领域竞争加剧。
若禁令生效，Navitas在美国市场的产品供应将面临重大风险。
英特尔申请了XBM内存专利，这是一种旨在2030年前后商业化的HBM4潜在替代方案，具有更高带宽和更低成本。该技术通过后端晶体管设计提升面积利用率和TSV密度，旨在解决LPDDR带宽不足的问题。
作为长期研发里程碑，该技术对当前HBM及DRAM供应链的供需和价格影响微乎其微。
已经到底了