GMS发布MOSA兼容Thunderbolt™启用的Expansion™模块
General Micro Systems (GMS) 今日发布其 MOSA 兼容的智能外围 Expansion™ 模块，这是一系列雷电™ 使能的子系统。
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General Micro Systems (GMS) 今日发布其 MOSA 兼容的智能外围 Expansion™ 模块，这是一系列雷电™ 使能的子系统。
电源转换方案设计商与制造商RECOM Power与云端电子设计自动化厂商CELUS今日宣布建立合作伙伴关系，将首批RECOM电源设计引入CELUS Design Platform，具体涵盖37个RECOM CUBO（平台上的可复用电路模块，亦称Digital Datasheets）。其中29个围绕RECOM用于隔离及开关式DC/DC转换的电源IC构建，分属平台的Isolation和Switching DC-DC Conversion功能模块，包括RVP001（4个）、RVP003（9个）、RVP003S（1个）、RVP010（6个）、RVP6501（1个）、RVPW011（1个）、RVPW012（1个）、RVPW014（4个）、RVPW015（1个）、RVPW016（1个）；其余8个覆盖RECOM的R-78开关稳压器（6个：R-783.3-0.5 V1/V2、R-785.0-0.5 V1/V2、R-78AA3.3-0.5 V1/V2）和RAC AC/DC转换器模块（2个：RAC02E-3.3SK/277 V1、RAC04-09SGA V1）。每个CUBO由RECOM数据手册、应用笔记和参考设计构建，包含电源IC、配套元件及完整物料清单。该合作与平台新增的Power Nets功能同步推出：工程师定义带电压和方向的供电网络后，Design Assistant仅提出功率规格匹配的方案，设计可通过平台与Altium Designer、KiCad、Siemens EDA和Autodesk Fusion的集成在工程师自有工具中继续。此次合作使这些RECOM设计触达在100多个国家使用CELUS Design Platform的超过30,000名工程师及超过560,000个元件的元件库。
瑞萨电子近日发布了基于Gen 4+技术的650-V、20-mΩ d-mode GaN FET，采用8×8 mm双面散热（DSC）PQFN封装，型号为TP65H020G4PLSGBD，目前已向AI数据中心OEM和ODM送样，量产计划于2027年中。据瑞萨称，Gen 4+相较Gen 4通过单元设计和比导通电阻的渐进式改进，实现更低的RDS(on)、更小的尺寸、更低的栅极电容（CGS、CGD）和输出电容（Coss）；Gen 6预计要到2027年才提供样品。该器件为d-mode，与LV硅MOSFET配对使用。封装支持顶面、底面或双面散热，当前支持20-mΩ器件，未来10–15-mΩ器件或可单冷板散热。相比TOLT封装，DSC PQFN在x-y轴封装面积减少约57%至60%，高度约1 mm（对比TOLT的2.35 mm，表格中为2.3 mm），热阻抗低9%至10%（0.36 °C/W对比0.4 °C/W），四开关功率级PCB面积可减少约15%至25%。在6-kW、800 V转48 V、运行于650 kHz至1 MHz的IBC演示板风冷测试中，DSC全负载效率提升0.14%，相当于6-kW转换器中约10+ W的额外功率；测试未使用液冷，下一步将进行液冷测试。DSC 8×8（含650-V GaN）应用于初级侧，每个模块仅承受约400 V，两个模块串联以适应800 V总线。DSC封装技术的主要应用是初级侧800 V DC转换为48 V、12 V和6 V的中间总线转换器（IBC）。针对800 V转6 V输出电流超过3,000 A的情况，瑞萨正与EPC合作推进LV GaN的DSC封装选项。瑞萨在10月12日至15日于加州圣何塞举行的OCP全球峰会上展示了该器件，作为其800-V电源解决方案的一部分。
日本理化学研究所（RIKEN）及其合作团队在硅自旋量子比特并行控制方面取得实验进展，相关研究于2026年10月15日发表于《自然·物理》（Nature Physics），论文题为《硅自旋量子比特阵列中的高保真度单量子比特门并行操作》。研究团队使用包含五个硅自旋量子比特的实验装置，通过一条共享微波控制线路进行控制：经优化的器件设计和精细校准后，五个量子比特分别单独进行单量子比特操作时量子门保真度均超过99.99%，其中最好者接近99.999%；在最多三个量子比特同时操作时保真度维持在99.99%以上；五个量子比特全部同时运行时保真度约为99.9%。研究人员发现，并行操作时精度下降的一个重要原因是微波信号引起的量子态相位偏移，即交流斯塔克位移（AC Stark shift），并开发了基于量子比特两两校准的方案来补偿部分误差；剩余误差的一项重要来源被团队认为是驱动诱导退相干（drive-induced decoherence），仅靠相位补偿无法完全解决。研究人员指出，该实验仅在五个量子比特装置上验证，并不意味着已构建实用规模的量子计算机；该成果被视为利用现有半导体制造技术构建更大规模硅基量子处理器的重要一步，长期目标是实现基于硅自旋量子比特的容错量子计算机。
巴克莱最新报告预测，全球（不含中国）数据中心新增容量的同比增速将从2026年逾100%大幅回落至2027年的约35%，2028年可能趋于平稳（此为预测，非已实现数据）。报告预计2027年全球（不含中国）新增投运容量约25GW，其中超大规模云服务商占比超过60%；建模时保守假设非超大规模项目管道的实际转化率仅约40%，理由是土地、电力接入及供应链等物理瓶颈。报告同时警告债务成本上升与融资环境收紧对开发商构成额外压力，并提及CoreWeave正在进行的投资者融资讨论为佐证；CoreWeave计划在2030年前新增5GW数据中心容量，其融资进展受市场关注。巴克莱认为2027年后增速放缓的核心逻辑是物理约束与资本约束共同作用，并建议超配半导体、低压电气及冷却设备，对电力设备及中压电气持相对谨慎态度。
据SPIE Digital Library的技术分析，常规极紫外（EUV）光刻使用13.5纳米波长、通过反射光学系统配合定制光掩模，虽能以高产能打印极小特征，但每个新设计都需要昂贵的掩模组。无掩模EUV光刻提出不将图形存储在物理掩模上，而是使用可编程阵列或其他快速可寻址光学元件，将数字图形直接写入晶圆，从而避开电子束光刻串行逐点写入的速度瓶颈，缩短设计迭代周期并降低小批量生产的固定成本。文章指出该技术并非对EUV扫描仪或电子束工具的简单替代：EUV辐射被大多数材料强吸收，系统需在真空和专用反射光学下运行；可编程图形发生器需在EUV曝光下保持纳米级定位精度、控制热量与污染并避免缺陷；光刻胶在极小尺寸下的随机变异以及海量图形文件的实时处理也是挑战。首批成功应用可能是有选择性的，如快速原型、小批量先进器件、研究、掩模修复或特定关键层，而非全面取代大规模量产光刻。此内容为技术背景分析，不涉及具体厂商、产量、价格或订单数据。
Kulicke & Soffa 财政第三季度 2026 年净收入为 3.304 亿美元，同比增长 123%，毛利率 47.8%，非GAAP每股收益 1.20 美元，超出预期。公司预计财政 2026 年第四季度收入约为 3.75 亿美元，截至 2026 年 10 月 3 日，因半导体、存储、汽车和工业市场需求增强。
据快科技10月17日消息，广汽埃安全新车系Ray的首款车型Ray7当晚在北京国家速滑馆"冰丝带"正式开启预售，共推出5款车型，预售价12.88万至15.88万元。该车定位"大5米超级纯电轿车"，车身尺寸4960/1900/1455mm，轴距2920mm，全系800V平台，后置单电机最大功率180kW，电池由宁德时代提供并融合埃安弹匣电池2.0技术，提供45.58kWh和62.98kWh两种容量，CLTC续航分别为530km和702km。智能座舱搭载高通骁龙8295P座舱芯片，配24GB运存和128GB闪存；智驾采用与文远知行L4同源的端到端大模型，并搭载华为DriveONE多合一电驱、全球首发的华为EMB全电线控制动及华为iTRACK动态扭矩分配系统。原文未说明原因，文中提及预售价低于此前外界预期的15万级。该新闻属于整车产品发布背景信息，不构成半导体价格或供需变化的直接证据。
2026年10月17日，台湾宣布将把AI服务器和最新芯片列入受控出口清单，以使其政策与美国的贸易禁令保持一致；新修订的外贸法将在生效后对走私这些物品的行为处以最高五年监禁及/或约92,500美元罚款。此举紧随美国关税协议及对超微电脑（Super Micro）的突击检查，美国方面曾指控该公司员工走私价值25亿美元的AI服务器，数月后台湾当局对超微台北办公室进行搜查，导致九人被起诉。台湾目前尚未将对华AI芯片出口定为犯罪，新控制措施尚未生效。
作者根据Texas Instruments的一份新闻稿介绍，该公司推出RES80A-Q1，这是一款50-MΩ精密电阻分压器，可用于高达2,000 V DC的极高电压，且已通过AEC-Q200汽车级无源元件认证，主要用途是高压EV电池包中为车辆电池管理系统（BMS）提供电压数据。该器件采用高性能模拟晶圆工艺和SiO2绝缘层封装，8引脚SOIC封装标称尺寸7.5 mm × 5.85 mm，高低压引脚间爬电和电气间隙至少8.5 mm；每个分压器的实测比值与标称值之差在±0.1%（最大）以内，规定温度范围和老化条件下的累积漂移仅±0.2%（最大），未经校准的RES80A-Q1的寿命容差保持在±0.3%（最大）范围内。文章背景性讨论了汽车（尤其是EV）对无源元件性能要求提升，以及该类标准目录器件可被非汽车设计采用，同时指出汽车复杂化带来的维修与供应链挑战；文中未包含任何价格变动、产能或供需数据。
Power Integrations Inc（美国加州圣何塞，提供用于高能效功率转换的高压集成电路）与Ideal Power Inc（B-TRAN双向半导体功率开关的开发和供应商）宣布开展合作，共同提供固态断路器（SSCB）解决方案，该方案提供快速、高效、始终在线的保护，并可随AI数据中心800VDC的转型而扩展。原文仅披露合作意向/进行中的协作，未说明具体时间表、财务条款或产品落地的确切日期。
Microchip 正在扩展其空间电源产品线，推出 POL-05-20S，这是一种辐射耐受的 GaN 点负载转换器，可提供高达 20A 的输出电流。POL-05-20S-T 已投入量产供应。
onsemi与Sungrow宣布将onsemi的EliteSiC混合功率模块技术集成到Sungrow的PowerTitan 3.0储能平台，用于电网级储能系统的高功率DC-AC转换。据onsemi称，与上一代平台相比，新架构将逆变器级效率提升0.4个百分点，支持额定功率最高450 kW的功率转换单元，峰值效率超过99.3%。onsemi的分析显示，在100 MW电池储能装置中，0.4%的效率提升每年可节省超过475 MWh电量（与上一代模块相比）。该SiC混合技术结合碳化硅与硅功率器件，采用三级逆变器架构，提供更高功率密度和更好热性能。双方曾在平台开发、系统优化、工程验证和资格认证方面合作，此次采用建立在两家公司既有的战略关系之上。
Team Group Inc.宣布其T-CREATE EXPERT Ai CQDIMM DDR5桌面内存获得GOOD DESIGN AWARD 2026。该产品是Team Group首款单条容量达128 GB的DDR5 CQDIMM桌面内存，面向在本地运行生成式AI的创作者；其结合独立时钟驱动器与专利IC分选验证技术，在JEDEC标准电压1.1 V下无需超频即可实现默认8,000 MT/s的数据传输率，双槽配置可提供总计256 GB容量。成立于1957年的GOOD DESIGN AWARD采用多阶段评审流程，从人本、产业、社会、时间四个角度评估参赛作品，并考量设计理念、用户体验与长期价值。文中未说明该奖项对产品价格或供需的影响，本条为产品获奖信息，不构成价格或供应变化依据。
快科技10月16日消息，元太科技(E Ink)正式推出新一代彩色电子纸技术E Ink Kaleido 4。该面板延续低功耗、类纸阅读等核心优势，并提升彩色显示的色彩表现、亮度、对比度与动态显示能力。具体指标为：色域容积提升2倍至40K以上，白画面反射率提升15%，对比度提升50%；其采用全新Oxide TFT背板，支持更高驱动电压以提升画面刷新速率，并结合新算法支持18FPS视频播放，同时配备全新设计的前光系统。汉王科技率先基于该面板推出M10C二代彩墨办公本，其翻页、滑动速度提升27%，覆盖微蚀刻AG黑色钢化玻璃面板，搭配8192级压感无源数位笔，基于高通8核处理器，存储器组合为4GB+128GB。
Taihan Cable & Solution于10月15日在监管文件中表示，已与子公司T.E.USA (TAIHAN ELECTRIC USA LTD)签署1200亿韩元合同，为美国一项以交钥匙方式授予的超高压电网项目供应材料，该合同相当于公司去年3.636万亿韩元营收的3.21%。T.E.USA负责包括当地工程与施工的整体项目，Taihan负责制造和供应超高压电缆及电缆附件；由于保密协议，项目总价值和客户未披露；项目预定于2028年12月31日完工。公司今年上半年在英国、新加坡和澳大利亚获得超高压电网项目，1月还在美国赢得1000亿韩元交钥匙项目，囊括全部500千伏高压交流(HVAC)地下电网项目及一份320千伏高压直流(HVDC)电缆供应合同。业绩方面，第二季度营业利润达608亿韩元，上半年达1213亿韩元，较上年同期557亿韩元增长逾一倍，达去年全年营业利润1286亿韩元的94%以上；截至6月底订单积压为4.0629万亿韩元，史上首次突破4万亿韩元。原文将增长归因于AI数据中心建设增加推动美国电力需求快速上升，以及对老化电网更换和新输电基础设施投资的扩大。
总部位于美国加州Commerce的XMax Inc(前身Nova LifeStyle Inc)——该公司原主营现代家具的设计、采购与分销,后多元化发展人工智能软件及平台服务——已同意收购Hexa Creation Inc。Hexa Creation是一家美国公司,专注于面向AI数据中心电源基础设施及其他高压应用的1200V垂直氮化镓(GaN)功率半导体技术。协议已达成,但来源未说明交易完成时间及是否需监管批准。
pSemi高级产品营销经理Jason Ngai在Power Corner访谈中介绍ARC1C0608 LED背光驱动IC，该器件适用于单节（1S）锂离子笔记本，需将2.7至5.5 V输入升压至最高30 V的LCD背光电压。Ngai称现代SoC待机效率提升后，显示屏成为主要功耗来源，占总系统功耗最高约70%，且显示屏无法待机，只能调暗或关闭。他指出LED背光驱动为升压变换器，输入电压越低效率越差：典型1S LED驱动器效率约为中80至高80百分比区间，但在电池电压范围（满电约4.35 V，接近截止约3.2–3.6 V）内会降至中60至中70百分比。ARC1C0608采用升压加电荷泵的专有两级架构，可实现最高95%峰值效率，在大部分工作范围内效率为高80至90以上百分比；以3.8 V输入、22–24 V输出为例，电荷泵以3倍倍压工作，升压级只需升至约8 V。该架构降低对电感的依赖，可配合1.2 mm高（甚至0.6 mm高，效率仅降约1%）的芯片电感实现薄型方案。除笔记本外，该IC也适用于平板、VR头显、无人机车灯及自行车显示等单电池显示应用。
Microchip Technology推出辐照耐受型氮化镓(GaN)点-of-load(POL)转换器POL-05-20S-T,面向航天处理系统。该器件可提供最高20A连续输出电流，采用紧凑表贴封装，尺寸为1.51 × 1.51 × 0.45英寸，重量25 g,输入电压范围4.75 V至13.2 V,输出可在0.7 V至5 V之间调节，工作温度范围为满载时−55°C至+100°C。辐照耐受规格方面，Microchip规定了总电离剂量(TID)高达50 krad暴露前后的电气参数，并在线性能量转移(LET)高达43 MeV·cm²/mg水平下对单粒子效应(SEE)进行了表征。该产品面向FPGA、微控制器、ASIC等处理密集型器件的核芯电压轨等大电流、快速瞬变负载，现已有量产数量的供货。
Navitas Semiconductor宣布与NVIDIA合作开发一款24 kW、800 VDC转12 VDC的电源传输板(PDB),面向下一代AI数据中心基础设施，基于Navitas的GaNFast技术，支持NVIDIA MGX生态系统，可将电源直接传送给高性能计算处理器(xPU)。该方案计划在2026年OCP全球峰会的NVIDIA AI Factory MGX Wall合作伙伴展示区展出。此板为Navitas此前与NVIDIA合作发布的20 kW、800 V转6 V电源板的后续产品，两者均支持高压直流配电过渡及GaN和SiC技术在AI基础设施中的应用。新板设计目标为最高24 kW输出、满载效率97%、功率密度超过2,000 W/in³,采用NVIDIA 400 mm × 60 mm外形规格，可集成在计算主板靠近xPU处；采用单级转换架构，直接将800 VDC转换为12 VDC,省去常规50 V转12 V中间总线转换器(IBC)级，减少转换步骤、功率损耗和元件数量；12 V输出向VRM供电。初级侧功率级使用16颗NV6034 GaNFast FET(650 V耐压、18 mΩ导通电阻)，采用堆叠半桥拓扑和8 mm × 8 mm双冷却DFN封装。
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |