特斯拉Terafab项目凸显与三星及TSMC的紧张关系，工程师相关指控未获任何一方证实
特斯拉与三星及台积电（TSMC）的往来凸显出，随着AI处理器需求加速，芯片设计公司与代工厂之间的紧张关系。一名工程师提出指控，内容包括价格压力、索取敏感信息的要求，以及为特斯拉的Terafab项目招聘三星员工；特斯拉和三星均未证实这些指控。
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- Tesla、Samsung、Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. (TSMC)
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特斯拉与三星及台积电（TSMC）的往来凸显出，随着AI处理器需求加速，芯片设计公司与代工厂之间的紧张关系。一名工程师提出指控，内容包括价格压力、索取敏感信息的要求，以及为特斯拉的Terafab项目招聘三星员工；特斯拉和三星均未证实这些指控。
快科技10月19日消息，Intel下代Nova Lake-HX与Nova Lake-H移动处理器的封装布局近日首次曝光，信息来自Moore's Law Is Dead公布的裸片图片。据披露，Nova Lake-HX采用6芯片堆叠封装，核心配置为8个P核+16个E核+4个LPE核共28核，封装尺寸12×30mm，面积约360mm²；其中计算模块面积约104mm²，采用台积电N2P工艺，承载全部8P+16E共24个核心；图形模块采用Intel 3-E工艺，集成4个Xe核心，面积约26mm²；SoC枢纽模块和外围控制模块均采用Intel 18A-P工艺，面积分别为72mm²和58mm²，SoC枢纽模块承载4个LPE核；另有两颗被动填充模块，面积分别为21mm²和85mm²，用于物理支撑和散热均衡。Nova Lake-H的图形、SoC枢纽和外围控制模块与HX版完全相同，差异在计算模块和被动模块：H版计算模块面积缩至55mm²，承载4P+8E共12核，被动模块缩减至45mm²，封装尺寸12×23mm，面积约276mm²，比HX版短7mm。MLID还提到测量值与真实值误差在5%以内，且修改了数值以保护消息源；此外12 Xe配置将使用一个占据图形模块和相邻填充模块空间的单一芯片。该信息为第三方爆料，原文未说明产品发布时间。
韩国ASIC设计解决方案提供商ASICLAND在SEDEX 2026上展示了其自有的AxHub AI芯片设计与验证平台，并表示计划加速定制芯片开发，通过其台湾研发中心强化先进制程与封装能力。原文未说明原因之外的具体动因细节，且未给出任何价格或数字。公司同时披露，存储控制器项目仍为其主要收入来源，支撑其向AI芯片量产及海外市场拓展的计划。上述扩张与量产计划均为公司的意向/规划，尚非已实现的成果。
快科技10月19日消息，REDMI K100已官宣10月27日发布，官方确认新机搭载骁龙8至尊版旗舰芯片，并首次加入游戏独显D2，形成"狂暴双芯"组合。骁龙8至尊版是高通首款采用自研Oryon CPU架构、台积电3nm工艺的旗舰平台，配2颗超大核与6颗性能核、Adreno 830 GPU；游戏独显D2为REDMI此前在至尊版机型上采用的定制独显芯片，承担硬件级画面超分与超帧补帧任务。官方确认屏幕升级为165Hz高刷电竞直屏。根据爆料（非官方确认），该机将升级为6.9英寸大屏直屏方案，搭载超级像素屏幕技术，内置10000mAh级硅碳负极电池（小米手机史上最大电池）并支持100W有线快充。官方已公布新机外观，推出与Pro同款的流萤绿配色，背部右侧有Bose调音标识。原文未说明原因（无价格/供应相关事件）。
快科技10月19日消息，iQOO预告将于10月28日发布全新小平板iQOO Pad Pro，号称“口袋电竞巨兽”。该机采用8.8英寸165Hz OLED屏幕，搭载高通第五代骁龙8至尊版旗舰平台（简称骁龙8E5）和自研电竞芯片Q3，内置9020mAh大电池。其中骁龙8E5采用台积电第三代3nm（N3P）制程工艺，延续高通自研Oryon架构，采用2+6全大核设计并放弃传统小核，配备2颗主频4.6GHz的Prime超级内核与6颗主频3.62GHz的性能内核；对比上代，单核性能提升20%，多核性能提升17%。该平板还搭载自研冰穹四重风冷散热系统（含被动散热的冰穹VC均热板、双层超高导热石墨，以及主动散热的LCP扇叶风扇与高导热铝合金风道）、高导热凝胶与冰穹隔热气凝胶，机身厚5.74mm、重298g，并搭载自研Q-flex操控技术、超感触控和超感陀螺仪。此为发布预告，产品尚未实际发布。
美光正在开发面向人形机器人的内存架构，加入三星电子和SK海力士的行列，共同瞄准必须处理传感器数据同时受电池功耗限制的物理AI系统。三家公司在为机器人和自动驾驶汽车追求内存设计与存储产品。文中未说明具体时间、投资规模或量产时间表，该开发属于进行中/计划中的研发事项，尚无落地或出货的确认信息。
法国监管信息页面近日上线一款全新iPad mini智能保护套，型号A3632；该编号与iPad mini 6、mini 7及所有前代mini的SmartFolio均不匹配，MacRumors将其视为iPad mini 8即将推出的间接证据。监管文件显示新保护套稀土元素用量从老款约3947mg升至至少6610mg（约涨67%），再生材料比例从至少9%降至3%，侧面说明磁吸布局有调整。多方爆料称iPad mini 8屏幕拟从LCD升级到OLED（尺寸传闻约8.4英寸）、芯片从A17 Pro跳到台积电2nm的A20 Pro、内存从8GB提到12GB、或支持Wi-Fi 7和蓝牙6、蜂窝版预计搭载自研C1X或C2基带加eSIM，以上均为未官宣信息，最终以苹果公布为准。彭博社Mark Gurman 10月15日爆料称，苹果已邀请部分媒体参加10月28日在美国洛杉矶举办的产品发布会，iPad mini 8将与重新设计的14/16英寸MacBook Pro、M6芯片版24英寸iMac一同亮相。价格方面，现款iPad mini（A17 Pro）美国起售价原本599美元，2026年6月因内存与存储芯片涨价上调了100美元；mini 8换用成本更高的OLED面板后，起售价继续上探是行业普遍预期。
据《工商时报》援引机构投资人消息，谷歌TPU v9项目（由联发科参与）的初步tape-out可能因设计修改推迟至2027年1月，出货可能推迟至2028年第一季度；2026年11月的送样目标保持不变，生产版本tape-out预计在第二季度。报道称，谷歌TPU v9 Core A设计（代号Humufish）的修改使开发延迟约三周，影响联发科负责的Core B与I/O设计。另据TrendForce，该芯片预计采用英特尔的EMIB-T先进封装，基板良率仍是产能扩展与成本竞争力的关键挑战。据彭博援引消息人士，字节跳动接近达成协议采购联发科的数据中心芯片，有望成为继谷歌（Alphabet）之后联发科的第二个主要ASIC客户。台湾ASIC设计公司方面：GUC受云端客户CPU与ASIC项目支撑，9月营收达新台币71.45亿元，同比增长97.8%；Alchip因3nm AI加速器出货增加，9月营收达新台币99.79亿元，同比大增496%。Faraday已取得三星2nm工艺设计套件（PDK）以争取相关设计机会；据《工商时报》报道，三星4nm产能据称已被满载利用，促使部分AI ASIC客户评估其2nm节点。Faraday还完成了英特尔18A-P的设计环境搭建并开始提供设计服务，计划在2027年争取更多项目。《工商时报》援引机构投资人称，全球AI ASIC加速器出货量预计2027年达到1410万颗，同比增长约69%。
据Seoul Economic Daily报道（ZDNet曾在9月报道三星为定制HBM采取双轨策略，同时利用自家代工和竞争对手台积电），NVIDIA已要求三星、SK hynix和美光在其于8月发布的NVHBM基底层中采用台积电3nm工艺。据称三星设备解决方案（DS）部门经内部评估后同意了这一要求。报道给出的原因是：NVIDIA推动供应商间生产标准化以确保HBM性能一致并简化产品验证；此外行业估计台积电3nm良率超过90%，而三星代工2nm（SF2）工艺良率约为60%。NVHBM的定制基底层集成了传统上由GPU承载的内存控制器；据NVIDIA称，相比标准HBM4E，该技术提供最多30%的更高内存带宽、15%的更低HBM功耗和25%的更多XPU计算裸片面积。该合作并非全新：据Seoul Economic Daily，三星和台积电四年前首次合作以确保HBM与台积电GPU封装工艺兼容，此次是首次延伸至HBM制造。三星仍保留自有代工选项：由于台积电3nm产能面临AI加速器和智能手机芯片的竞争需求，三星正在2nm工艺上验证NVHBM基底层生产，作为台积电产能受限时的潜在替代方案。台积电在10月15日的财报电话会议上提示3nm产能紧张，该节点占第三季度晶圆销售额的33%，为其所有工艺节点中最大份额；据Economic Daily News，董事长兼CEO魏哲家宣布在台南再建一座3nm晶圆厂的计划（叠加亚利桑那、日本熊本和台湾南部科学园区的现有扩建项目），新厂定于2028年上半年开始量产。三星还继续为标准HBM产品线自制基底层：今年早些时候进入量产的HBM4和正在进行生产验证的HBM4E均使用三星代工4nm工艺制造基底层，其核心裸片在其华城和平泽园区的1c DRAM产线上制造；三星计划对供应其他客户（包括AMD）的定制HBM保持基底层turnkey生产方式。
原文为Critical Manufacturing联合创始人兼CEO Francisco Almada Lobo的访谈。公司2009年成立于葡萄牙波尔图，核心产品为以制造执行系统(MES)为核心的工业运营平台；自2018年起成为ASMPT的一部分。其最强应用领域为半导体后段与先进封装，且该领域需求增长最快。公司提到新产能正在美国、欧洲、印度和东南亚建设，并指出先进封装将前端复杂性带入后段。这是背景性访谈内容，原文未涉及任何元件价格变动、产能关停或政策事件。
华为科学家黄宇在2026年10月15日的湾区芯片博览会上表示，EDA工具是Tau（τ）定律面临的最大挑战。华为于2026年5月25日在ISCAS 2026正式提出Tau定律，并在2026年10月发布搭载基于LogicFolding技术的Kirin 9050 Pro芯片的Mate 90系列，标志该理论从概念走向商用。
据报道，内存价格上涨与供应趋紧正促使部分中国智能手机厂商转向回收（翻新）内存芯片。据TechNews，部分品牌据称通过深圳华强北电子市场的贸易商采购从废弃手机（可能包括二手iPhone）中回收的内存芯片。消息称内存采购成本大增，部分芯片每颗据报上涨最高人民币500元；另有传言称深圳地方政府向手机品牌提供每部约人民币300元的补贴，厂商需自行消化约人民币200元；由于无法完全转嫁成本，部分品牌据报正削减产量和销量以控制损失。TechNews指出，上述涨价、补贴及使用翻新芯片的情况尚未获中国官方或相关企业证实；且此类芯片主要局限于超低成本无品牌手机，不太可能进入旗舰机供应链。背景方面：TrendForce称AI服务器需求持续挤压DRAM供应，短缺与涨价预计持续至2027年；TrendForce预测2026年全球智能手机产量将同比下降14%至约10.7亿部（该预测因提前采购及部分恢复生产而上调）。财经4月调查显示，山东一回收商3月收购约1000部废弃手机、拆解逾600部以备芯片转售，部分无法开机的设备据报可卖逾人民币100元；部分回收商偏好OPPO、vivo、华为的Android手机，而消息人士称华强北贸易商主要收购二手iPhone。STAR Market Daily 9月调查显示翻新芯片可用于汽车配件、物联网设备及海外翻新手机等低端应用，但分析师提醒其存在良率损失与兼容性风险，且若大厂调整生产，回收溢价可能迅速消失。
据SPIE Digital Library的技术分析，常规极紫外（EUV）光刻使用13.5纳米波长、通过反射光学系统配合定制光掩模，虽能以高产能打印极小特征，但每个新设计都需要昂贵的掩模组。无掩模EUV光刻提出不将图形存储在物理掩模上，而是使用可编程阵列或其他快速可寻址光学元件，将数字图形直接写入晶圆，从而避开电子束光刻串行逐点写入的速度瓶颈，缩短设计迭代周期并降低小批量生产的固定成本。文章指出该技术并非对EUV扫描仪或电子束工具的简单替代：EUV辐射被大多数材料强吸收，系统需在真空和专用反射光学下运行；可编程图形发生器需在EUV曝光下保持纳米级定位精度、控制热量与污染并避免缺陷；光刻胶在极小尺寸下的随机变异以及海量图形文件的实时处理也是挑战。首批成功应用可能是有选择性的，如快速原型、小批量先进器件、研究、掩模修复或特定关键层，而非全面取代大规模量产光刻。此内容为技术背景分析，不涉及具体厂商、产量、价格或订单数据。
据首尔经济日报10月18日报道，业内消息人士18日称，英伟达已向三家NVHBM供应商——三星电子、SK海力士（000660.KS）和美光提出要求：基底裸片统一使用台积电3纳米工艺制造，核心裸片统一采用代号1c的第六代DRAM工艺。NVHBM基于第七代下一代HBM标准HBM4E架构开发，是英伟达在8月发布的定制版高带宽内存。英伟达提出该要求的原因是各家HBM供应商制造方案各不相同，难以基于同一套设计实现稳定一致的性能，同时标准化可减轻针对每家供应商单独开展产品验证的工作量。负责三星晶圆代工业务的设备解决方案事业部（Device Solutions）经过内部评估，决定接受英伟达的要求，即三星将采用台积电工艺为英伟达下一代定制HBM生产基底裸片，调整此前HBM核心裸片与基底裸片均自主生产的一站式全包制造模式。报道同时提到：对于标准HBM产品，三星仍保留一站式全包生产策略；三星今年全球率先量产第六代HBM4，目前第七代HBM4E正在进行量产验证，这两款产品的基底裸片均采用三星自研4纳米代工工艺，核心裸片在三星华城、平泽厂区的1c产线生产；面向AMD等其他客户的定制HBM，三星计划继续沿用一站式全包生产方案；三星也保留了在自家晶圆厂研发、生产NVHBM的可能性，业内人士称三星正在验证能否在自有产线上制造NVHBM基底裸片，作为防止NVHBM需求超出台积电产能上限的预案。
据彭博社记者马克·古尔曼在最新一期《Power On》通讯中披露，苹果早已知晓由于制造环节面临挑战，iPhone Duo将遭遇"严重的供应限制"，但仍按计划于上周五开启新机预订，而没有等到库存准备更充分后再推向市场；古尔曼称这一决定属于一次"重大失误"，并认为苹果似乎更看重在新财年第一财季尽早将产品推向市场，而非优先满足消费者需求。据透露，苹果最初曾计划仅在美国和中国率先推出iPhone Duo，随后再逐步扩展至其他市场，但最终改变策略，选择在全球超过70个国家和地区同步启动预订。报道称，市场对此次新品的需求远超供应能力，预订开启后不到30分钟，苹果官网显示的大多数地区iPhone Duo发货时间便迅速推迟至约2027年1月25日。报道同时指出，苹果以往在发货时间预估上往往较为保守，实际交付有时快于最初公布的时间表，因此部分消费者仍有可能获得更早的发货安排。
Kulicke & Soffa 财政第三季度 2026 年净收入为 3.304 亿美元，同比增长 123%，毛利率 47.8%，非GAAP每股收益 1.20 美元，超出预期。公司预计财政 2026 年第四季度收入约为 3.75 亿美元，截至 2026 年 10 月 3 日，因半导体、存储、汽车和工业市场需求增强。
在2026年开放计算项目（OCP 2026）全球峰会上，英特尔展示了硅光子技术发展蓝图，数据中心系统与解决方案公司副总裁尼克·杜贝将硅光子形容为下一代系统架构的“黄金之锤”，并称英特尔是目前唯一能够大规模量产300毫米磷化铟（InP）硅光子晶圆的高产能代工厂。原因方面，源文称传统铜线互连正日益逼近物理极限，在传输距离、封装边缘带宽密度及每比特传输能耗等方面面临瓶颈，数据中心架构需向光互连演进，能耗目标推进至低于5皮焦耳每比特。英特尔指出，当前光学收发器市场中激光芯片与磷化铟材料产能长期供不应求，其将磷化铟光源技术直接整合进300毫米硅晶圆制程以提升制造效率与产能规模；自2016年投入商用以来，已累计出货超过800万个光学收发器和3200万个集成激光器。英特尔正依托300毫米硅光子制程与集成磷化铟光源技术推动共封装光学（CPO）与近封装光学（NPO）发展。
英伟达推动NVHBM标准化计划，要求三星、台积电、美光和SK海力士统一采用台积电3纳米工艺生产基底芯片，核心存储芯片采用第六代DRAM工艺。三星首次接受放弃HBM完全自主的“交钥匙”模式。NVHBM预计带宽增加30%，功耗降低15%。三星代工亏损从2025年6.74万亿韩元降至2026年3.92万亿韩元，降幅41%。
高盛策略师Louis Miller在周报中称，高盛AI超大规模云计算商信贷利差指数（GSUCHS30）已扩张至年内最宽水平；上一次利差接近当前水平（7月）时，相关股票价格较现在约低15%，因此要么债市悲观过度，要么股市还有约15%的下行空间未被消化（此为高盛的测算/警告，非已实现跌幅）。高盛更广泛的AI受益股篮子相对于剔除AI成分的标普500指数，已较6月高点累计下跌约25%；AI超大规模云计算商信用违约互换（CDS）触及历史新高；20只垃圾评级AI数据中心债券中有7只依赖单一租户CoreWeave作为还款来源，而CoreWeave自身债券已跌至困境级别。本周高盛AI主题仪表盘显示：NeoClouds五日跌幅24.8%，光学网络下跌21.4%，存储芯片下跌16.6%，唯一明显上涨的主题为"AI-at-Risk"上涨3.5%。高盛对此的核心解释是AI资本支出增长可能已触顶、融资可持续性和资本回报率取代盈利预期修正成为市场辩论核心：据高盛投资研究数据，超大规模云计算商资本支出同比增速在2026年第三季度达到峰值116%，市场普遍预期此后逐季放缓、至2027年底降至约20%；其资本支出（扣除折旧后净值）对标普500每股盈利增长的贡献预计2026年约11个百分点、2027年7个百分点、2028年转为-1个百分点。其他信号：周五看跌期权成交量达今年第二高（仅次于6月）；GSP1BETA较近期高点下跌15%；周期股对防御股比率（GSP1CYDE，剔除大宗商品）隐含增长预期约2%；贝塔调整后净敞口处于五年第67百分位而净杠杆率仅第17百分位；金融条件已从正向驱动力转为负向拖累。Miller未预判市场全面崩溃，认为市场正通过轮动消化压力，并提出五项策略：做多SPXXAI（自10月6日以来跑赢标普500达586个基点）；做多质量因子（GSP1QUAL三个月涨20%、RSI超80，警告存在大幅逆转风险；GSPEQUAL近一个月涨7.5%）；中期看好ACA受益股（GSHLCACA）；看好10月25日巴西决选前后机会（GSBZRATE）；对冲中国台湾半导体敞口——台积电在上调全年业绩指引并加速产能扩张后股价仍下跌2.3%，对冲基金在中国台湾持仓达历史最高，高盛亚洲团队推荐做空GSXATWSM及GSXATTXT。
据业内分析和摩根大通报告，台积电正考虑加快其代号A14（Angstrom）的1.4纳米工艺量产计划：按目前计划预计2027年第三季度进入试产阶段，目标2028年上半年启动大规模生产，并可能在2028年下半年开始贡献营收；此前市场普遍预期其2028年下半年才开始生产1.4纳米晶圆，但随着AI芯片需求在2026年和2027年持续供不应求，台积电面临提前扩充先进制程产能的压力，据称将依靠四座工厂共同承担1.4纳米产能建设。苹果预计成为首批采用该工艺的客户之一，分析人士认为若台积电2028年实现量产，苹果可能在同年或随后推出基于该工艺的A22 Pro芯片；另有消息称苹果可能在仅经历两代2纳米产品后便转向1.4纳米。目前估计每片1.4纳米晶圆制造成本高达4.5万美元，高通、联发科等厂商可能选择在2纳米工艺上停留更长时间而非迅速跟进。上述内容均为计划或分析预期，尚未实施。
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |