2026年OCP全球峰会（10月12日至15日，圣何塞）显示焦点从开放服务器硬件转向开放AI基础设施，机架级标准化正扩展至AI工厂系统级协同设计
2026年OCP全球峰会于10月12日至15日在加利福尼亚州圣何塞举行，峰会凸显行业焦点从开放服务器硬件转向开放AI基础设施；机架级标准化目前正扩展到AI工厂的系统级协同设计。原文未说明原因。
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2026年OCP全球峰会于10月12日至15日在加利福尼亚州圣何塞举行，峰会凸显行业焦点从开放服务器硬件转向开放AI基础设施；机架级标准化目前正扩展到AI工厂的系统级协同设计。原文未说明原因。
SECO 的 Modular Vision 10.1 MX95 已从早期订购预订阶段进入大规模生产阶段。
General Micro Systems (GMS) 今日发布其 MOSA 兼容的智能外围 Expansion™ 模块，这是一系列雷电™ 使能的子系统。
瑞萨电子近日发布了基于Gen 4+技术的650-V、20-mΩ d-mode GaN FET，采用8×8 mm双面散热（DSC）PQFN封装，型号为TP65H020G4PLSGBD，目前已向AI数据中心OEM和ODM送样，量产计划于2027年中。据瑞萨称，Gen 4+相较Gen 4通过单元设计和比导通电阻的渐进式改进，实现更低的RDS(on)、更小的尺寸、更低的栅极电容（CGS、CGD）和输出电容（Coss）；Gen 6预计要到2027年才提供样品。该器件为d-mode，与LV硅MOSFET配对使用。封装支持顶面、底面或双面散热，当前支持20-mΩ器件，未来10–15-mΩ器件或可单冷板散热。相比TOLT封装，DSC PQFN在x-y轴封装面积减少约57%至60%，高度约1 mm（对比TOLT的2.35 mm，表格中为2.3 mm），热阻抗低9%至10%（0.36 °C/W对比0.4 °C/W），四开关功率级PCB面积可减少约15%至25%。在6-kW、800 V转48 V、运行于650 kHz至1 MHz的IBC演示板风冷测试中，DSC全负载效率提升0.14%，相当于6-kW转换器中约10+ W的额外功率；测试未使用液冷，下一步将进行液冷测试。DSC 8×8（含650-V GaN）应用于初级侧，每个模块仅承受约400 V，两个模块串联以适应800 V总线。DSC封装技术的主要应用是初级侧800 V DC转换为48 V、12 V和6 V的中间总线转换器（IBC）。针对800 V转6 V输出电流超过3,000 A的情况，瑞萨正与EPC合作推进LV GaN的DSC封装选项。瑞萨在10月12日至15日于加州圣何塞举行的OCP全球峰会上展示了该器件，作为其800-V电源解决方案的一部分。
海光信息2026年第三季度营收58.56亿元，同比增长45.46%；净利润10.48亿元，同比增长37.90%。公司将业绩增长归因于人工智能产业快速发展，以及国产化进程由政策驱动全面转向市场驱动，国内高端芯片需求持续攀升。海光信息于2026年10月20日发布三季报。
华丰科技拟投资约3.62亿元建设高速线模组扩产项目(二期)。该消息为拟建/计划中的扩产项目，原文未说明项目动工时间、建设周期、产能规模或达产时间等细节，也未说明扩产原因。
TrendForce集邦咨询表示，2026年第四季DRAM原厂持续将先进制程投入生产Server（服务器）应用的高性能产品，整体维持供不应求格局，但合约价涨势放缓，预计Conventional DRAM（一般型DRAM）合约价将季增10%-15%；NAND Flash整体合约价格预计季增15%-20%。群智咨询指出，第三季度进入DRAM厂商与终端厂商博弈时期，AI算力端需求虽有支撑，但消费终端采购需求受到抑制，市场博弈加剧，整体价格涨幅将大幅收敛。10月16日，长鑫科技发布2026年前三季度业绩预告：预计收入2650亿元至2700亿元，同比增加2329.16亿元至2379.16亿元；归母净利润1310亿元至1325亿元，同比增加1362.8亿元至1377.8亿元。2026年上半年收入1503.1亿元（同比增长873.64%）、净利润776.05亿元，由此计算第三季度收入约1146.9亿至1196.9亿元（环比增长约15.25%至20.3%）、净利润约533.95亿至548.95亿元（环比增长约1%至3.9%），相比2026年第一季度、第二季度净利润环比增速246.09%、113.4%明显放缓；江波龙也预告DRAM和NAND Flash价格涨幅受前期较高价格基数影响明显收窄。同日，长鑫科技公告称，董事长朱一明提议公司使用自有或自筹资金以集中竞价交易方式回购公司A股股份，回购总额不低于10亿元、不超过20亿元。产能方面，长鑫科技在合肥运营两座12英寸DRAM晶圆厂、在北京运营一座12英寸晶圆厂，单座工厂月晶圆产能可达10万片，并持续建设合肥肥西测试基地新产线、新建上海DRAM及HBM产线；北京晶圆厂运营主体长鑫集电（北京）存储技术有限公司近日注册资本由约508.5亿增至约601.8亿，增幅约18%。2026年7月长鑫科技上市，募资净额663.1亿元投向技改升级项目（非新建产能）；2026年上半年固定资产账面价值1815.63亿元，占期末资产总额38.79%，计提折旧145.10亿元，同比增加27.85%。文章分析称，若DRAM价格涨幅继续放缓，公司产能扩充收益率和业绩增速可能承压。
数字相机市场在两年复苏后预计于2026年放缓,而运动相机和手持智能相机接棒成为下一批增长引擎。光学行业观察人士表示,消费者不再期待一台相机覆盖所有场景,而是为特定用途选择专用设备——这一转变使运动相机成为最明显的赢家。原文未给出具体厂商、型号或价格数据。
据天眼查App显示，近日长鑫集电（北京）存储技术有限公司发生工商变更，注册资本由约508.5亿人民币增至约601.8亿人民币，增幅约18%。该公司成立于2016年8月，法定代表人为赵纶，经营范围含集成电路设计、集成电路芯片及产品制造、集成电路制造等，由长鑫科技集团股份有限公司、北京亦庄国际投资发展有限公司、国家集成电路产业投资基金二期股份有限公司、北京亦庄科技有限公司、北京屹唐科技有限公司共同持股。原文未说明增资原因，亦未披露产能或投资具体用途。
根据Gartner 2026年10月报告，2026年第三季度PC出货量为5540万台，同比下降22.4%。原因是内存和存储成本上升，DRAM成本较去年同期增长五倍，PC厂商将更高的部件成本转嫁给客户，导致PC出货量大幅下降。出货量已降至早2023年水平，下降主要由更高价格、厂商对稀缺部件的重新优先配置以及向高价配置转移驱动，导致低价设备供应减少，消费者更换购买力下降，企业则将支出转向工作站和AI PC等有针对性的投资。全球前六大PC厂商均出现出货量下降：联想下降22.4%，惠普下降30.9%，戴尔下降25.4%，苹果下降7.1%，华硕下降13.0%，宏碁下降11.2%，其他厂商下降25.6%。苹果市场份额提升1.7个百分点。
日本理化学研究所（RIKEN）及其合作团队在硅自旋量子比特并行控制方面取得实验进展，相关研究于2026年10月15日发表于《自然·物理》（Nature Physics），论文题为《硅自旋量子比特阵列中的高保真度单量子比特门并行操作》。研究团队使用包含五个硅自旋量子比特的实验装置，通过一条共享微波控制线路进行控制：经优化的器件设计和精细校准后，五个量子比特分别单独进行单量子比特操作时量子门保真度均超过99.99%，其中最好者接近99.999%；在最多三个量子比特同时操作时保真度维持在99.99%以上；五个量子比特全部同时运行时保真度约为99.9%。研究人员发现，并行操作时精度下降的一个重要原因是微波信号引起的量子态相位偏移，即交流斯塔克位移（AC Stark shift），并开发了基于量子比特两两校准的方案来补偿部分误差；剩余误差的一项重要来源被团队认为是驱动诱导退相干（drive-induced decoherence），仅靠相位补偿无法完全解决。研究人员指出，该实验仅在五个量子比特装置上验证，并不意味着已构建实用规模的量子计算机；该成果被视为利用现有半导体制造技术构建更大规模硅基量子处理器的重要一步，长期目标是实现基于硅自旋量子比特的容错量子计算机。
Anthropic已签署其在加拿大的首个数据中心租约，租用由能源公司EverWind Fuels在加拿大新斯科舍省Point Tupper规划的数据中心园区的容量。该设施将分两期建设，首期95兆瓦计划于2027年底前启用；租约签署已发生，但设施本身仍处于规划/建设阶段，尚未建成。
Clunix与NeoAI Cloud签署谅解备忘录，计划在浦合AI数据中心构建AI与HPC一体化运行环境，Clunix将把其AI与HPC管理技术集成到NeoAI Cloud正在建设的下一代GPU基础设施中，并使用其AI编排平台NovaTier建立裸金属GPU集群供给、AI与HPC一体化工作负载调度以及NVL72等机架级系统的运行环境。该数据中心为全液冷AI专用设施，项目总成本6000亿韩元，一期目标容量40兆瓦，可容纳约10000颗Nvidia下一代Vera Rubin GPU，机架功率密度超过150千瓦，完工时间定于2027年11月；NHN Cloud已预租一半可用容量即16兆瓦并将联合运营。双方还将利用Clunix在制造业和研究领域的HPC客户基础，吸引浦合钢铁、材料、二次电池产业及本地研究机构的计算需求。
2023年10月16日，马来西亚政府 unveils 六款由本地公司开发的半导体创新（即六款本地设计芯片），其合并销售潜力为马币3亿（约合美元7350万）。经济部长阿克马尔·纳斯鲁拉·莫哈末·纳西尔表示，赢得客户并通过行业资格认证仍是接下来的挑战。此举源于马来西亚从芯片组装转向拥有设计权的推动已达到必须寻找买家的阶段。
9月22日，高通联合阶跃星辰、无量火和江波龙，将30B MoE模型完整部署在第六代骁龙8超级至尊版移动平台上，并在参考设计设备上完成验证，模型推理无需调用云端；9月16日，vivo宣布预研蓝心30B MoE端侧模型；10月13日，面壁智能发布35B-A3B开源模型MiniCPM-V 4.7，并公布在iPhone 17 Pro Max上的实机运行结果。原文明确将这一变化归因于MoE（混合专家）等技术逐渐成熟，使模型总参数规模与单次推理计算量部分解耦。文章指出该变化发生在手机存储成本持续上涨的背景下，并引述集邦咨询称2026年高端手机运行内存配置更多集中在12GB、16GB配置受到压缩。按高通公布数据，经联合优化后模型运行内存需求较常规方案降低超过50%，预填充吞吐超过每秒330个Token、解码吞吐超过每秒28个Token；面壁MiniCPM-V 4.7在iPhone 18 Pro Max上测试仅用约3GB运行内存实现每秒20个以上Token解码。vivo周围认为30B MoE工作电流低于500毫安是较理想目标，到2028年底若能控制在600毫安上下有望具备实际使用条件；文章同时强调芯片从规划到落地约需24个月，技术路线仍存变数，商业价值尚无定论。
美光正在为物理AI应用开发边缘推理内存（EIM），该内存通过将低功耗DRAM堆叠在逻辑芯片上以提高数据处理效率，预计将在2028年下半年实现量产。
本文为中金公司2026年10月19日发布的研报《AI高景气能否经住供给考验？》。报告以标准化未预期盈利（SUE大于1）定义高景气行业，测算显示美股电气设备、半导体及设备、电子、软件以及A股电子等板块景气度较高；认为景气上行源于需求打开增长空间、供给约束放大回报弹性。报告从相对投资强度（RI）和新增融资两个维度衡量供给扩张：2026年RI较高的行业包括全球半导体存储、全球半导体代工、美国建材、美国PCB、美国光模块等；新增融资超过50%分位数的仅有全球半导体代工和美国半导体设备（两者处于历史68%分位数），投资强度大且融资强度也大的行业只有全球半导体代工。报告引入行业收入集中度（HHI）并以1997~2025年数据实证：中低集中度组中相对投资强度与下一期ROE及SUE变化呈负相关，高集中度组则转为正相关；历史案例显示美国半导体设备1998年RI达0.535（历史89.7%分位），至2001年ROE累计下降28.0个百分点，美国PCB 2000年RI达0.324（89.7%分位），一年后ROE下降63.2个百分点，而2001年全球半导体代工HHI达4289、RI为0.250（82.8%分位），一年后ROE反而提高7.5个百分点。基于2026年和2027年市场一致预期的测算，报告结论为：当前投资预期尚不至于对全球科技行业景气构成全面压力；未来两年供给环境相对有利、资本回报和景气度相对受益的主要是中国半导体设备和电网设备，面临较大考验的是全球数字芯片设计；中国光模块、美国光模块和PCB可能阶段性受益，美国有色金属可能阶段性承压。
据Wccftech对英伟达Vera团队采访时披露（2026年10月19日报道），英伟达为其Vera CPU选择了单片式（monolithic）计算裸片，而非主要x86竞争对手所采用的chiplet架构；Vera还配备定制LPDDR5X内存子系统和英伟达第二代Scalable Coherent Fabric。原因方面，报道解释称与传统云端工作负载优先考虑高核心数和吞吐量不同，agentic AI需要强大的单线程性能、高内存带宽和低延迟，以快速执行顺序任务并保持GPU高利用率。单片式设计使CPU核心无需跨越chiplet之间边界即可通信，降低数据移动延迟。英伟达称Vera提供3.4 TB/s的双向（bisection）带宽，为其对比中领先的x86处理器的三倍；Vera性能为前代Grace的1.5倍；对于Python脚本和代码编译等顺序任务型agentic工作负载，公司宣称最高达领先x86处理器的2倍性能，几何平均基础上为1.6倍优势。Vera还引入Spatial Multithreading技术。英伟达最初主要将Grace CPU定位为GPU系统的主机处理器，但报道指出agentic AI和强化学习需求的增长促使其转向独立Vera CPU机架。另据中央社报道，英伟达个人计算高级副总裁Jeff Fisher在台湾接受采访时否认将停产旗舰GeForce RTX 5090显卡的传闻，称其不属实，并表示RTX 5090仍是英伟达将持续供应的关键产品；他承认供应紧张正影响整个全球行业而非仅英伟达，但称公司正尽一切可能将产品推向市场。TechPowerUp补充称，RTX 5090在其1,999美元的建议零售价（MSRP）附近仍难觅货，亚马逊和Newegg上的部分 listings 超过8,000美元。
原文为Critical Manufacturing联合创始人兼CEO Francisco Almada Lobo的访谈。公司2009年成立于葡萄牙波尔图，核心产品为以制造执行系统(MES)为核心的工业运营平台；自2018年起成为ASMPT的一部分。其最强应用领域为半导体后段与先进封装，且该领域需求增长最快。公司提到新产能正在美国、欧洲、印度和东南亚建设，并指出先进封装将前端复杂性带入后段。这是背景性访谈内容，原文未涉及任何元件价格变动、产能关停或政策事件。
据SPIE Digital Library的技术分析，常规极紫外（EUV）光刻使用13.5纳米波长、通过反射光学系统配合定制光掩模，虽能以高产能打印极小特征，但每个新设计都需要昂贵的掩模组。无掩模EUV光刻提出不将图形存储在物理掩模上，而是使用可编程阵列或其他快速可寻址光学元件，将数字图形直接写入晶圆，从而避开电子束光刻串行逐点写入的速度瓶颈，缩短设计迭代周期并降低小批量生产的固定成本。文章指出该技术并非对EUV扫描仪或电子束工具的简单替代：EUV辐射被大多数材料强吸收，系统需在真空和专用反射光学下运行；可编程图形发生器需在EUV曝光下保持纳米级定位精度、控制热量与污染并避免缺陷；光刻胶在极小尺寸下的随机变异以及海量图形文件的实时处理也是挑战。首批成功应用可能是有选择性的，如快速原型、小批量先进器件、研究、掩模修复或特定关键层，而非全面取代大规模量产光刻。此内容为技术背景分析，不涉及具体厂商、产量、价格或订单数据。
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |