10月20日消息，英特尔半导体（大连）有限公司于10月14日完成工商变更，注册资本从2000万美元增至8.16亿美元，增幅达3980%，原文未说明增资原因。该公司成立于2006年6月，经营范围覆盖半导体集成电路产品的制造、封装测试、加工、仓储及销售，由英特尔（中国）有限公司全资持股。此次增资主体需与英特尔已出售的NAND闪存业务作区分：2020年10月，SK海力士宣布以90亿美元（约合602.43亿元人民币）收购英特尔的NAND闪存及SSD业务，交易涵盖大连NAND闪存制造工厂；承接该资产的法律实体原名为“英特尔半导体存储技术（大连）有限公司”，于2025年3月完成股权交割，随后更名为“爱思开海力士半导体存储技术（大连）有限公司”，由SK海力士方面全资持有。本次注册资本变动发生在另一家由英特尔中国全资持有的原有公司主体上，两者并非同一法律实体。
据快科技10月20日消息，德国硬件媒体ComputerBase近日发现，Lexar雷克沙在MediaMarkt和Saturn两家商城推出了采用PCIe 3.0 x4接口的M6系列SSD，但在快科技查询时，相关页面已经下架。M6系列包含256GB、512GB和1TB三款，M.2 2280规格，读取速度最高3500MB/s（已达PCIe 3.0 x4接口实际上限）；写入速度按容量分档：256GB最高1300MB/s、512GB最高2400MB/s、1TB最高3000MB/s；闪存标注3D TLC NAND，协议为NVMe 1.2，无DRAM缓存。虽然M6是新品，但其规格参数与Lexar于2021年4月发布的NM620基本完全一致（M.2 2280、PCIe 3.0 x4、3500/1300MB/s读写、3D TLC NAND、NVMe 1.2、125/250/500TB TBW）。定价方面，256GB约70欧元、512GB约150欧元、1TB约250欧元，折合人民币约525元、1125元、1875元。原文未说明新品回归旧接口及随后下架的原因。另据报道背景：TrendForce数据显示DRAM和NAND闪存价格持续上涨；Gartner预测2026年底DRAM价格较年初上涨130%，HBM大量挤占产能导致通用DRAM短缺；StorageSwiss认为这轮涨价不是短期短缺而是结构性产能再分配，价格高位将持续到2027年。
据韩国《电子新闻》周二报道，联想、惠普、戴尔等主要PC厂商已与内存制造商完成长期供应协议（LTA）签署，以锁定稳定货源。背景原因：今年AI基础设施抢占内存资源，今年上半年主要PC厂商的DRAM及固态硬盘（SSD）实际到货量仅为需求量的70%至80%，生产计划受到明显冲击。一名PC厂商高管表示，LTA的签署意味着明年的零部件采购"不会有大问题"；长期协议通常锁定一定周期内的供货量与价格区间。尽管DRAM和SSD价格明年预计仍将继续上涨，《电子新闻》援引业内预测称，综合CPU和GPU价格涨幅，明年PC零部件整体价格涨幅约在10%至20%区间，低于今年的压力水平。另据Omdia数据，今年第三季度全球PC出货量同比骤降21%，预计明年将再降7%；今年第二季度AI PC出货量占美国市场整体出货量的48.3%，第三季度有望突破50%；售价超过1500美元的高端PC出货量逆势增长36.8%。
据称，三星正与台积电合作，为NVIDIA新发布的NVHBM存储标准获取基底裸片（base die）供应；该报道性质为传闻（reportedly），合作尚未被证实落地。NVIDIA声称，与标准HBM4E相比，NVHBM将控制器集成到3D HBM堆栈中，可提供最高30%的额外内存带宽、降低15%的HBM功耗，并带来最高25%的额外可用计算裸片面积。报道称NVHBM量产前须满足若干严格条件，其中之一是NVIDIA的NVHBM基底裸片必须采用台积电3nm节点制造；尽管三星拥有自己的3nm产线，但据称NVIDIA的IP针对台积电节点优化，迫使三星与台积电合作并成为其客户。该安排仅针对基底裸片；在存储部分，三星将继续使用其第六代10nm工艺（HBM制造的典型工艺），即仅部分生产由台积电负责。
General Micro Systems (GMS) 今日发布其 MOSA 兼容的智能外围 Expansion™ 模块，这是一系列雷电™ 使能的子系统。
据泄露消息（来源为知名爆料者Jaykihn），英特尔正准备推出基于Nova Lake硅片的Xeon E系列处理器，将仅有两种版本：仅大核P-Core或仅能效核E-Core的SKU，不会提供同时包含P-Core与E-Core的混合SKU，混合设计将保留给常规的Nova Lake-S桌面处理器。P-Core only产品线据报将包含5种配置，分别为4、6、8、12和16个P-Core；E-Core产品线稍小，包含4种SKU，分别为4、8、16和32个E-Core；在产品线顶端，买家可在16 P-Core设计与32 E-Core配置之间选择。新Xeon E设计将采用W980芯片组平台，支持原生DDR5 ECC内存、最多48条PCIe通道（其中12条PCIe 5.0与12条PCIe 4.0来自芯片组）、Intel vPro技术；DMI 5.0 x4使DMI芯片组总线带宽达每方向128 Gbps；CPU提供两个40 Gbps的USB4或Thunderbolt 4端口；来自处理器的PCIe 5.0 x16 PEG插槽可借助lane switch分割为x8/x8等组合；两个CPU直连M.2 NVMe插槽均可配置为Gen 5。该消息为泄露信息，属计划中的产品路线图，原文未说明原因，无价格或供应数据。
FADU宣布于10月19日实现第三季度收入1436亿韩元、营业利润363亿韩元，较上季度增长96%和124%；收入同比增长460%，营业利润转正。截至10月，公司基于监管披露获得约4563亿韩元新订单，是其2025年全年收入924亿韩元的四倍多，增长源于全球科技巨头和主要云服务提供商对用于AI基础设施的内存需求上升。FADU已完成下一代PCI Express Gen6固态硬盘（SSD）控制器的开发，计划年底开始全规模销售，同时开发面向2028年向客户交付样品的Gen7控制器。在2026年10月15日的开放计算项目（OCP）全球峰会上，FADU发布了文件语义SSD（FS-SSD）技术，使SSD能够理解数据结构的意义和上下文。公司还在扩展产品组合，超越功率管理集成电路（PMICs）和防掉电保护IC（PLP ICs），将半导体设计能力延伸至AI数据中心的数据信号恢复和高速信号解决方案。
据快科技10月19日消息，知名爆料人Jaykihn披露，英特尔正基于Nova Lake架构筹备全新的Xeon E处理器系列，该系列采用单一核心类型设计（全P核或全E核），而非混合搭配。泄露的产品线包含5种P核配置（4、6、8、12与16核）及4种E核配置（4、8、16与32核），所有这些处理器均不含LP-E核，而LP-E核预计将成为消费级Nova Lake桌面产品线的标配；需要P核与E核兼备的客户被建议转向常规Nova Lake-S处理器。即将推出的处理器预计采用英特尔W980芯片组，该芯片组规格于今年2月被披露，支持ECC内存、最多48条PCIe通道并支持英特尔vPro功能。截至目前，英特尔尚未正式确认Nova Lake至强E的具体配置、频率、功耗限制或发布时间表。
英伟达要求三星、美光和海力士使用台积电3纳米节点制造的基die用于其定制NVHBM，原因是标准化；三星和美光已确认同意该请求，预计2027年量产；海力士已使用台积电12纳米工艺生产HBM4基die；三星亦在验证其2纳米工艺作为备用；三星将继续为不想采用NVHBM的客户生产标准HBM。NVHBM相比标准HBM4E可提供最高30.%更高带宽和15%更低功耗。
英特尔在开放计算项目全球峰会上公布面向AI推理的GPU D系列，代号Crescent Island，产品页面称为D270。该加速卡最高可配置480GB LPDDR5X显存，但英特尔品牌PCIe卡配置为160GB LPDDR5X，设计允许ODM合作伙伴推出最高480GB的定制卡，480GB为系列支持的上限而非每张卡的实际容量。英特尔称单卡可承载最多3000亿参数的模型，八卡系统可运行参数量超过1万亿的模型，主打长上下文和多路并发推理。其他指标包括最高1.5TB/s显存带宽、FP8格式下1.3 petaflops算力、350W功耗上限，采用Xe3P架构，支持标准PCIe形态和风冷设计。该系列已进入客户送样阶段，但尚未公布一般上市日期或公开售价。
韩国ASIC设计解决方案提供商ASICLAND在SEDEX 2026上展示了其自有的AxHub AI芯片设计与验证平台，并表示计划加速定制芯片开发，通过其台湾研发中心强化先进制程与封装能力。原文未说明原因之外的具体动因细节，且未给出任何价格或数字。公司同时披露，存储控制器项目仍为其主要收入来源，支撑其向AI芯片量产及海外市场拓展的计划。上述扩张与量产计划均为公司的意向/规划，尚非已实现的成果。
美光正在为物理AI应用开发边缘推理内存（EIM），该内存通过将低功耗DRAM堆叠在逻辑芯片上以提高数据处理效率，预计将在2028年下半年实现量产。
据Seoul Economic Daily报道（ZDNet曾在9月报道三星为定制HBM采取双轨策略，同时利用自家代工和竞争对手台积电），NVIDIA已要求三星、SK hynix和美光在其于8月发布的NVHBM基底层中采用台积电3nm工艺。据称三星设备解决方案（DS）部门经内部评估后同意了这一要求。报道给出的原因是：NVIDIA推动供应商间生产标准化以确保HBM性能一致并简化产品验证；此外行业估计台积电3nm良率超过90%，而三星代工2nm（SF2）工艺良率约为60%。NVHBM的定制基底层集成了传统上由GPU承载的内存控制器；据NVIDIA称，相比标准HBM4E，该技术提供最多30%的更高内存带宽、15%的更低HBM功耗和25%的更多XPU计算裸片面积。该合作并非全新：据Seoul Economic Daily，三星和台积电四年前首次合作以确保HBM与台积电GPU封装工艺兼容，此次是首次延伸至HBM制造。三星仍保留自有代工选项：由于台积电3nm产能面临AI加速器和智能手机芯片的竞争需求，三星正在2nm工艺上验证NVHBM基底层生产，作为台积电产能受限时的潜在替代方案。台积电在10月15日的财报电话会议上提示3nm产能紧张，该节点占第三季度晶圆销售额的33%，为其所有工艺节点中最大份额；据Economic Daily News，董事长兼CEO魏哲家宣布在台南再建一座3nm晶圆厂的计划（叠加亚利桑那、日本熊本和台湾南部科学园区的现有扩建项目），新厂定于2028年上半年开始量产。三星还继续为标准HBM产品线自制基底层：今年早些时候进入量产的HBM4和正在进行生产验证的HBM4E均使用三星代工4nm工艺制造基底层，其核心裸片在其华城和平泽园区的1c DRAM产线上制造；三星计划对供应其他客户（包括AMD）的定制HBM保持基底层turnkey生产方式。
联想将于1024程序员日14:30在湖南长沙长沙智谷举行联想AI主机P7超能创享会，并于同日开启该新品预约。该产品基于此芯科技P1 SoC+后摩智能M50 dNPU方案。
IT之家10月18日消息，极夜 (TOPFEEL) 在发布 DeskOne A1 的同时带来体积更小的 DeskOne W2 迷你工作站，体积约 7.3L，三维仅 245×249×120 (mm)，采用全铝机身。该机型配备 FCLGA1700 插槽，支持第 12~14 代英特尔桌面处理器，提供 2 个 DDR4-3200 SO-DIMM 内存插槽和 1 条 PCIe Gen4 ×16 插槽（扩展卡限长 245mm、限宽 45mm）。存储方面拥有 3 个 PCIe Gen4 ×4 的 M.2 SSD 盘位，另一个 M.2 为 Gen4 ×2，另有 2 个 2.5" SATA 盘位；预留 M.2 无线网卡插槽，外部接口包括 2 个 2.5GbE RJ-45 在内的一系列接口。整机集成定制 650W TFX 金牌电源，处理器散热为 6 热管风冷 + 12025 风扇，系统散热为 2 颗 9015 规格风扇。原文未说明该发布与半导体价格或供需变化相关的信息。
10 月 18 日消息，极夜 (TOPFEEL) 昨日（即 10 月 17 日）公布了其 AI 双卡工作站 DeskOne A1，该型号基于英特尔酷睿 Ultra 9 处理器 275HX。DeskOne A1 拥有全铝机身，三维 370×195×290 (mm)，体积约 21L，标配 850W 电源，后部预留 4 槽宽度的扩展卡 I/O 面板开口。配置方面，其具备 4 条 DDR5 内存插槽（支持 7200MT/s）、2 条 PCIe Gen5 插槽（×16 / ×8 + ×8 / ×8 + ×4 + ×4）、1 条 PCIe Gen4 ×4 插槽，存储接口提供 1 个 M.2 PCIe Gen5 ×4、2 个 M.2 PCIe Gen4 ×4、2 个 SFF-8654 SlimSAS 4i (PCIe Gen4 / SATA)，并预留 M.2 无线网卡插槽。正面提供 2 个雷电 4、3 个 USB-A 10G、3.5mm 二合一音频插孔；反面提供 10GbE RJ-45、2.5GbE RJ-45、4 个 USB-A 10Gbps、2 个雷电 5、HDMI 2.1、2 个 Mini DisplayPort 输入、COM 扩展口。原文未说明价格及上市时间。
快科技10月17日报道，Bolt Graphics于当地时间10月13日宣布完成Zeus架构GPU测试芯片调试工作。测试芯片在台积电12nm工艺上流片，面积仅6mm²，A0步进回片未发现任何功能问题，功耗仅1.4W，从通电到通过功能测试不到24小时。Zeus架构集成了专用电磁仿真硬件，是首个在硬件层面执行麦克斯韦方程组的商用GPU架构。据Bolt宣称，Zeus 1C路径追踪性能可达RTX 5090的2.5倍，4C版本可达10倍；FP64电磁仿真测试中，4C版本性能号称是英伟达B200的300倍。商用产品计划采用台积电N5P制程，预计2027年第一季度开放开发者访问权限，2027年底向早期访问客户交付首批产品，2028年启动PCIe AIC和服务器量产并全面上市。Bolt指出选择N5P是为了避免与AI芯片争抢晶圆产能。需注意的是，目前所有性能数据均来自Bolt官方对测试芯片或早期原型的宣称，并非第三方对量产产品的独立实测；从测试芯片到商用GPU之间，仍需完成完整的设计收敛、软件生态建设与客户验证。原文未说明原因。
据10月17日消息（转引Wccftech今日报道），华硕推出旗下首款英特尔 Arc Pro B70 显卡，面向 AI 推理及工作站市场，意味着此前缺席多个世代的华硕再次加入英特尔独立显卡产品阵营。该产品名为 UGen Intel Arc Pro B70 32GB GDDR6，采用英特尔 Xe2 架构的 Big Battlemage GPU，配备 32GB GDDR6 ECC 显存、32 个 Xe 核心和 256 个 XMX AI 引擎，INT8 AI 算力最高可达 367 TOPS，典型板卡功耗 310W；采用双槽设计和涡轮式散热结构，配备 1 个 HDMI 接口和 3 个 DisplayPort 接口，使用 PCIe 5.0 x16 接口，显存带宽为 608GB/s。该卡支持 vLLM、llama.cpp、Ollama、PyTorch、OpenVINO、oneAPI 和 Vulkan 等 AI 框架及工具，最多支持 4 张显卡协同工作，合计提供 128GB 显存。华硕暂未公布该卡具体售价；同类英特尔 Arc Pro B70 显卡的市场价格通常在 1,299 美元至 2,000 美元（约合 8,701 元至 13,397 元人民币）以上，具体取决于产品型号及销售渠道。
日本存储芯片厂商铠侠控股的市值从今年6月约60万亿日元的高点回落至10月中旬约21万亿日元，蒸发约六成半。10月15日，铠侠股价盘中一度下跌约14%，收盘跌幅约12.3%；次日收报13375日元。按拆股调整后的价格计算，该股较6月22日约37,565日元的高点回落约64%；铠侠于10月1日实施3合1拆股，比较历史每股价格需使用调整后口径。铠侠股价此前受益于人工智能数据中心扩建带来的NAND闪存需求和价格上涨，其截至6月的2026财年第一季度营收达1.767万亿日元，营业利润1.27万亿日元，净利润约8422亿日元，当时预计7至9月季度营收可达2.39万亿日元、营业利润约1.89万亿日元，并称数据中心需求有望保持强劲；第二季度财报定于10月30日公布。关于回落原因，文章指出AI基础设施投资面临融资成本上升的考验，利率走高推高数据中心借贷和建设成本，投资者要求相关企业证明预期收入足以覆盖计算能力、能源和债务支出，近期市场对部分AI数据中心公司的融资计划和估值更审慎；同时中国长江存储（YMTC）竞争力提升增添变量——Counterpoint Research的10月更新称YMTC在2026年第二季度按NAND位元出货量升至全球第三、份额约16.5%，排在三星和SK海力士之后、领先铠侠和美光，Counterpoint并估计企业级SSD收入占YMTC总收入的比例到2028年可能接近39%。文章强调，云服务商可能调整资本开支并影响服务器和企业级固态硬盘需求属于行业风险，目前不代表铠侠订单已经出现下滑；铠侠市值回落并非单一因素造成。
据 IT之家 10 月 17 日消息，GPU 初创企业 Bolt Graphics 当地时间本月 13 日宣布，已完成 Zeus 架构 GPU 测试芯片的调试工作，为商用产品的 2028 年发售打下基础。该测试芯片在台积电 12nm 工艺上流片，尺寸仅 6mm²，A0 步进回片未发现任何功能问题，功耗 1.4W。Bolt 的 Zeus 架构集成专用电磁仿真硬件，同时可加速路径追踪图形负载，适用于物理 AI 等复杂计算场景。商用 GPU 芯片将采用台积电 N5P 制程工艺，预计 2027Q1 开放开发者访问权限、2027 年底向早期访问计划客户提供首批产品、2028 年启动 PCIe AIC 和服务器量产并于同年全面上市。
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |