95美光Q2营收三倍，AI与机器人需求强劲
美光2026年Q2营收达238.6亿美元，同比大增三倍。主要受AI及自动驾驶汽车对300GB以上DRAM需求激增推动。利多，供需紧张格局延续，产能扩张将支撑价格上行。
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美光2026年Q2营收达238.6亿美元，同比大增三倍。主要受AI及自动驾驶汽车对300GB以上DRAM需求激增推动。利多，供需紧张格局延续，产能扩张将支撑价格上行。
三星电子预计AI需求将导致今年内存供应持续紧张，并已开始HBM4的量产出货。公司计划提升DDR5、SOCAMM2及GDDR7等高价值产品份额，以满足数据中心AI投资需求。利多：行业龙头确认AI内存结构性短缺将持续，支撑相关产品价格预期。
OPPO、vivo、荣耀等多家手机品牌已官宣对新旧机型调价，涨幅最高达500元，主因内存成本飙升。内存制造商将产能转向AI服务器所需的HBM和DDR5，导致消费级内存供应短缺、价格高企。利多：内存供应链短缺已传导至终端产品价格，确认消费级DRAM/NAND现货市场面临持续上涨压力。
SK集团会长预测全球内存芯片短缺将持续至2030年，晶圆供应落后需求逾20%。短缺主因AI数据中心需求激增及主要厂商产能转向HBM，导致传统DRAM产量不足、价格飙升。利多：结构性供应短缺明确，支撑DRAM/HBM价格长期上行压力。
三星电子93%的工会成员投票支持罢工，若谈判破裂将于5月21日发起为期18天的罢工。争议焦点为奖金制度，三星在韩生产其全部DRAM及约三分之二的NAND闪存。关注：若罢工发生，将直接冲击全球DRAM与NAND闪存供应，引发市场波动。
NAND Flash现货价格预计将企稳并上涨，因市场预期新季度合约价谈判将带来显著涨幅。本周512Gb TLC晶圆现货价下跌0.58%至23.000美元，市场关注合约价对现货的拉动效应。利多：合约价大幅上涨预期将传导至现货市场。
三星暂停DDR4涨价，但主流DDR4现货周涨1.44%至33.88美元。市场观望情绪浓厚，但预计2Q26价格回升。利多：DRAM现货价格获支撑，NAND现货跌0.58%但合约价看涨。
DDN与英伟达达成合作，通过软件定义存储和BlueField-4 DPU优化AI推理，宣称KV缓存加载速度提升27倍，推理成本降低两位数。该方案旨在解决数据瓶颈，提升GPU利用率，使AI基础设施更具经济性。关注：该技术突破可能重塑AI推理市场的成本结构，影响相关硬件需求。
三星因存储成本上升，据报将终止Galaxy Z Tri-Fold折叠屏手机销售。其手机部门今年营业利润预计同比暴跌超60%，已启动紧急措施。利空：作为关键采购方，三星的需求急剧萎缩，将对上游存储芯片（DRAM/NAND）的出货和库存构成压力。
北京君正表示DRAM、Flash及部分计算芯片价格出现调整，其新制程DRAM产品已开始销售。公司预计今年业绩将有较好增长。关注：价格调整反映市场供需博弈，新制程产品上量是抵消价格压力的关键变量。
铠侠宣布开发出面向AI/HPC的“超高IOPS SSD”，采用XL-FLASH技术并支持GPU直接访问，旨在扩展GPU显存容量。该产品与英伟达“Storage-Next”计划相关，评估样品预计2026年末向特定用户提供。中性：此为远期技术研发节点，对当前NAND/SSD现货供需及价格无直接影响。
北京君正表示DRAM、Flash及部分计算芯片价格已有调整，其新制程DRAM产品已开始销售。公司预计今年业绩将实现较好增长。关注：价格调整反映市场波动，新制程产品上市可能影响特定细分市场需求。
SK集团董事长崔泰源预计，因AI需求激增及晶圆产能瓶颈，全球存储芯片短缺将持续至2030年。其指出AI存储芯片短缺率已超30%，DRAM、NAND及HBM价格将长期上涨。利多：核心供应商高层明确发出长期短缺预警，预示供应将持续紧张并支撑价格上涨趋势。
MLC NAND合约价在2026年第一季度翻倍，预计第二季度将再次翻倍。全球主要存储器制造商退出旧制程节点，导致低容量eMMC供应中断，新增产能被迅速吸收。利多：持续的供应短缺和已确认的剧烈价格上涨，预示NAND闪存价格将继续上行。
三星与SK海力士正面临针对HBM及3D NAND技术的非执业实体专利诉讼激增。法律纠纷在HBM需求旺盛期消耗公司资金与管理精力。关注：诉讼为存储巨头带来运营与财务不确定性，可能影响利润率与供应链稳定。
三星电子因DRAM、NAND闪存及AP成本飙升，在韩国停售上市仅三个月的Galaxy Z Tri-Fold折叠屏手机。内存成本占智能手机BOM比例已从10-15%飙升至30-40%，导致三星MX部门营业利润预计同比暴跌超60%，并启动紧急成本削减。利多：内存价格暴涨正直接侵蚀终端厂商利润并抑制需求，可能加速库存去化并支撑上游芯片价格。
群联电子发布aiDAPTIV技术，利用其Pascari SSD作为新内存层级，扩展本地AI推理工作负载的可用内存。此举为应对AI模型内存约束的技术展示，旨在提升固定硬件配置下的效率。中性：此为系统级软件/控制器方案发布，对NAND Flash供需及价格无直接影响。
铠侠宣布开发GP系列超高IOPS SSD，旨在为AI系统提供GPU直连闪存以扩展HBM内存容量。该产品针对未来数据密集型AI工作负载，样品预计2026年底向部分客户提供。中性：此为远期研发进展，对当前现货供应、需求及价格无直接影响。
SK海力士在GTC 2026上展示了HBM3E、HBM4及LPDDR5X等最新AI内存产品线，重申与英伟达的合作关系。该活动聚焦未来AI架构，但未提供任何关于供应、需求或价格的实质性数据。中性：此为技术展示，对当前交易无直接影响。
SK海力士将于NVIDIA GTC 2026展示其HBM4、HBM3E及LPDDR6等全系列AI内存产品线，并突出与NVIDIA的合作。此举旨在强化其AI时代内存技术领导者的市场定位。中性：此为产品展示与战略宣示，未提供影响现货供需或价格的直接数据。