GMS发布MOSA兼容Thunderbolt™启用的Expansion™模块
General Micro Systems (GMS) 今日发布其 MOSA 兼容的智能外围 Expansion™ 模块，这是一系列雷电™ 使能的子系统。
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General Micro Systems (GMS) 今日发布其 MOSA 兼容的智能外围 Expansion™ 模块，这是一系列雷电™ 使能的子系统。
瑞萨电子近日发布了基于Gen 4+技术的650-V、20-mΩ d-mode GaN FET，采用8×8 mm双面散热（DSC）PQFN封装，型号为TP65H020G4PLSGBD，目前已向AI数据中心OEM和ODM送样，量产计划于2027年中。据瑞萨称，Gen 4+相较Gen 4通过单元设计和比导通电阻的渐进式改进，实现更低的RDS(on)、更小的尺寸、更低的栅极电容（CGS、CGD）和输出电容（Coss）；Gen 6预计要到2027年才提供样品。该器件为d-mode，与LV硅MOSFET配对使用。封装支持顶面、底面或双面散热，当前支持20-mΩ器件，未来10–15-mΩ器件或可单冷板散热。相比TOLT封装，DSC PQFN在x-y轴封装面积减少约57%至60%，高度约1 mm（对比TOLT的2.35 mm，表格中为2.3 mm），热阻抗低9%至10%（0.36 °C/W对比0.4 °C/W），四开关功率级PCB面积可减少约15%至25%。在6-kW、800 V转48 V、运行于650 kHz至1 MHz的IBC演示板风冷测试中，DSC全负载效率提升0.14%，相当于6-kW转换器中约10+ W的额外功率；测试未使用液冷，下一步将进行液冷测试。DSC 8×8（含650-V GaN）应用于初级侧，每个模块仅承受约400 V，两个模块串联以适应800 V总线。DSC封装技术的主要应用是初级侧800 V DC转换为48 V、12 V和6 V的中间总线转换器（IBC）。针对800 V转6 V输出电流超过3,000 A的情况，瑞萨正与EPC合作推进LV GaN的DSC封装选项。瑞萨在10月12日至15日于加州圣何塞举行的OCP全球峰会上展示了该器件，作为其800-V电源解决方案的一部分。
韩国爆料者Lanzuk近日称，三星Galaxy S27系列的主要硬件规划已接近敲定，发布时间可能落在明年1月、最迟不超过2月，但该消息未经三星确认，目前没有正式发布日期或发布会安排。作为对照，S24系列于1月中旬发布，S25系列于1月下旬亮相，S26系列延至今年2月下旬发布、3月开售。内存配置仍是规划中的变数：此前爆料称标准版S27和S27+可能继续使用LPDDR5X内存及UFS 4.x闪存，S27 Pro和S27 Ultra原计划升级至LPDDR6和UFS 5.0；最新说法称，随着内存成本高涨，三星也在考虑是否取消Pro和Ultra的升级以控制整机成本，若调整发生，高端机型最终配置和售价都可能受影响，目前两套方案都只是传闻。背景信息：LPDDR6标准已于2025年由JEDEC发布，数据速率为每引脚约10.6至14.4Gbps，高于LPDDR5X常见的8.5Gbps；三星今年公布的UFS 5.0方案标称顺序读取最高10.8GB/s、写入最高9.5GB/s，较UFS 4.1速度提升超过一倍、能效提高逾40%，并计划于今年第四季度开始量产，尚未确认哪些手机率先采用。另有传闻称S27 Ultra在高通下一代旗舰芯片前期测试中遇到发热问题，三星可能考虑重新采用Exynos 2700，但高通已否认相关芯片存在过热问题，处理器平台尚未定案。
TrendForce集邦咨询表示，2026年第四季DRAM原厂持续将先进制程投入生产Server（服务器）应用的高性能产品，整体维持供不应求格局，但合约价涨势放缓，预计Conventional DRAM（一般型DRAM）合约价将季增10%-15%；NAND Flash整体合约价格预计季增15%-20%。群智咨询指出，第三季度进入DRAM厂商与终端厂商博弈时期，AI算力端需求虽有支撑，但消费终端采购需求受到抑制，市场博弈加剧，整体价格涨幅将大幅收敛。10月16日，长鑫科技发布2026年前三季度业绩预告：预计收入2650亿元至2700亿元，同比增加2329.16亿元至2379.16亿元；归母净利润1310亿元至1325亿元，同比增加1362.8亿元至1377.8亿元。2026年上半年收入1503.1亿元（同比增长873.64%）、净利润776.05亿元，由此计算第三季度收入约1146.9亿至1196.9亿元（环比增长约15.25%至20.3%）、净利润约533.95亿至548.95亿元（环比增长约1%至3.9%），相比2026年第一季度、第二季度净利润环比增速246.09%、113.4%明显放缓；江波龙也预告DRAM和NAND Flash价格涨幅受前期较高价格基数影响明显收窄。同日，长鑫科技公告称，董事长朱一明提议公司使用自有或自筹资金以集中竞价交易方式回购公司A股股份，回购总额不低于10亿元、不超过20亿元。产能方面，长鑫科技在合肥运营两座12英寸DRAM晶圆厂、在北京运营一座12英寸晶圆厂，单座工厂月晶圆产能可达10万片，并持续建设合肥肥西测试基地新产线、新建上海DRAM及HBM产线；北京晶圆厂运营主体长鑫集电（北京）存储技术有限公司近日注册资本由约508.5亿增至约601.8亿，增幅约18%。2026年7月长鑫科技上市，募资净额663.1亿元投向技改升级项目（非新建产能）；2026年上半年固定资产账面价值1815.63亿元，占期末资产总额38.79%，计提折旧145.10亿元，同比增加27.85%。文章分析称，若DRAM价格涨幅继续放缓，公司产能扩充收益率和业绩增速可能承压。
Sandisk于10月19日宣布，将成为Meta虚拟现实(VR)眼镜闪存的独家供应商，该VR眼镜计划于2027年春季推出。产品包括microSD Express存储卡和USB-C闪存盘。Sandisk近期与Meta建立合作伙伴关系，共同设计面向VR应用的闪存产品，相关产品已通过初步测试以满足Meta的质量标准。Sandisk将在Meta VR眼镜推出后开始销售相关存储产品。Sandisk消费产品副总裁Sujin Park表示，高性能microSD Express存储卡与Meta VR眼镜兼容，用户可即时扩展可用存储。原文未说明该合作对价格或供应的影响。
10 月 19 日，RISC-V 中国峰会在深圳举行。阿里巴巴达摩院在峰会上发布车规增强处理器玄铁 E908A，成为首款同时达到 ASIL-B 和 ASIL-D 标准的 RISC-V CPU IP，其单点安全度量（SPFM）在业内首次超过 90%，为安全岛、域控、车载网关等场景提供实时计算底座。达摩院还首次发布面向自动驾驶和具身智能的处理器产品路线图，其中下一代 C950A 目标性能将达到现有 RISC-V 车规产品的 5 倍（此为目标，非已实现性能）。达摩院首席科学家孟建熠介绍，玄铁 C950 已成为高性能 RISC-V 技术演进的创新底座，在四类 Agentic 工作负载上的表现相比主流传统架构处理器提升 10% 以上；针对今年 8 月发布的 Qwen3.8-Flash-Next，推理速度达到 43token / 秒。另据行业机构预测，RISC-V 处理器年出货量正保持 50% 的高速增长，到 2030 年市场占有率将达到约 25%（为预测数据）。
Flip Electronics宣布已与Synaptics签署授权分销合作协议。根据该协议，Flip Electronics将分销Synaptics的嵌入式计算、无线连接和传感解决方案产品组合，重点关注面向汽车和IoT市场的老化、停产（EOL）和淘汰器件。Synaptics全球销售与营销高级副总裁Eric Stauffer表示很高兴通过Flip Electronics提供产品；Flip Electronics首席执行官Jason Murphy表示欢迎Synaptics加入其授权合作伙伴产品线。原文未说明原因之外未给出其他背景；协议的执行效果未在文中确认。
10月19日，北京铭芯启睿科技有限公司宣布完成超4亿元A轮融资，由博原资本领投，博世创投、米哈游、兆易创新等跟投，小米战投等老股东持续加注；相关报道未披露本轮估值及股权稀释比例。本轮资金将用于RRAM（阻变存储器）产业化、商业化及新产品LPU（语言处理单元）研发。同日披露前Graphcore总裁兼大中华区总经理卢涛加入公司，出任CEO兼联合创始人，并启动第一代LPU研发，面向大模型推理场景；卢涛表示第一代LPU不采用RRAM，将使用更成熟的存储介质，目标为支持数万亿参数完整模型、实现每用户每秒1000 Token，该指标为研发目标，尚无实测性能支撑；LPU目前处于研发阶段，未披露流片、验证或交付时间表。此前10月14日，公司发布首代1Gb RRAM芯片泰山一号流片信息，基于1TnR技术路线（1T4R结构，一个选择晶体管对应四个阻变存储单元），搭配28纳米CMOS工艺，披露存储密度30Mb/mm²、访问延时小于20纳秒，并集成片上硬件纠错电路；泰山一号已完成流片、正在推进验证，尚未披露量产进展。公司三条产品线中的嵌入式RRAM IP已进入客户场景并计划扩大规模，但未披露客户名称、订单金额或出货量；混合存算产品未披露具体芯片型号、流片进度或商业化节点。
一篇发布于Semiconductor Engineering的技术文章，主题为突破AI与HPC（高性能计算）SoC中的内存瓶颈，内容涉及针对RibbonFET与PowerVia工艺优化嵌入式内存IP。文章为技术背景内容，未报告任何价格变动、产能变化、政策事件或供需数据。
快科技10月19日报道，日本存储芯片巨头铠侠控股的市值已从今年6月约60万亿日元（约合人民币2.54万亿）的峰值跌至10月中旬约21万亿日元（约合人民币8876亿），蒸发约六成半。据高盛统计，10月1日至15日期间三星电子股价下跌20%，SK海力士下跌25%，美光科技下跌11%，闪迪下跌11%，铠侠下跌26%，六家主要存储厂商合计市值蒸发约7380亿美元；铠侠跌幅最深，因其业务高度集中于NAND闪存，且企业级服务器市场出货占比超过三成。文章给出的原因：一方面利率上升威胁AI数据中心的商业模式，另一方面以长江存储、长鑫存储为代表的国产芯片快速追赶，动摇海外巨头的定价权与市场份额。据Counterpoint Research数据，2026年第二季度长江存储NAND出货量份额约16.5%，首次超越铠侠与美光跃居全球第三，仅次于三星和SK海力士；若剔除SK海力士旗下Solidigm则升至全球第二；2025年第一季度至2026年第一季度长江存储全球NAND营收份额从9%升至14%。据TrendForce数据，长鑫存储2026年第二季度DRAM营收达146.24亿美元，环比增长99.3%，全球市占率从7.6%升至9.5%，同期全球DRAM产业整体环比增长59.5%。技术路线方面：长江存储基于自研Xtacking架构已实现267层3D NAND量产，并计划于2026年下半年启动超300层产品X5-9080的量产；长鑫存储计划年底前供应采用4F²架构的DDR5服务器内存（以上量产计划均为规划状态）。
日本NAND Flash龙头铠侠股价上周五盘中一度重挫16%，较上月高点累计下跌逾52%，市值累计蒸发至少30万亿日元（约合1850亿美元）；公司市值已从60万亿日元（3800亿美元）的历史高点蒸发近40万亿日元（2530亿美元），缩水至高峰期的三分之一左右，排名从日本第一滑落至第四位。该股自2024年上市以来年内最大涨幅一度超过600%，并于今年6月中旬市值超越丰田成为日本市值最高的上市公司，从登顶到市值腰斩仅用约一个月。原文说明的核心原因为AI资本支出回报遭质疑，叠加中国NAND厂商加速扩产、冲击全球NAND价格预期，贝恩资本减持与日本散户高杠杆仓位进一步放大下行风险。背景方面，美国芯片股指数上周四单日跌幅超过4%；铠侠将于10月底发布财报，据彭博汇总的分析师预测其未来一年预期回报率约为118%，东证指数（Topix）将于10月进行成分股调整并预计带来被动资金流入。
Flip Electronics与Synaptics达成授权分销协议，覆盖嵌入式计算、无线连接和传感元器件。原文未说明协议生效日期、财务条款或原因。该事件来自EE Times Asia的报道，仅为分销网络扩张消息，未涉及具体元器件型号或数量。
原文指出，AI数据中心投资持续扩张，使全球存储市场在2026年第四季度处于供应不足状态。DRAM与NAND闪存合约价格上涨，提振了对三星电子和SK海力士2027年业绩的预期；但原文同时指出，消费需求疲软以及长期协议（LTA）价格上限将限制价格进一步上涨。
美光正在为物理AI应用开发边缘推理内存（EIM），该内存通过将低功耗DRAM堆叠在逻辑芯片上以提高数据处理效率，预计将在2028年下半年实现量产。
加州大学伯克利分校、三星电子和英特尔的研究人员发表了题为“Nanoelectromechanically Gated Gain Cell eDRAM”的研究论文。论文摘要节选指出，存储墙以及静态随机存取存储器（SRAM）缩放放缓重新引发了对增益单元嵌入式动态随机存取存储器（gain-cell eDRAM）的兴趣；增益单元虽可提供高密度和能效，但其保留时间（retention）有限。该文属于研究发布，为背景信息，原文未提及价格、产能或商业化安排。
原文为Critical Manufacturing联合创始人兼CEO Francisco Almada Lobo的访谈。公司2009年成立于葡萄牙波尔图，核心产品为以制造执行系统(MES)为核心的工业运营平台；自2018年起成为ASMPT的一部分。其最强应用领域为半导体后段与先进封装，且该领域需求增长最快。公司提到新产能正在美国、欧洲、印度和东南亚建设，并指出先进封装将前端复杂性带入后段。这是背景性访谈内容，原文未涉及任何元件价格变动、产能关停或政策事件。
据快科技10月18日报道，日本NAND闪存厂商铠侠股价暴跌：10月9日到16日的一周下跌26%，目前股价约1.3万日元，近期低点为1.2万日元；与四个月前的3.6万日元相比，市值已跌去约2/3，当前市值约22万亿日元，而6月份高峰期曾超过60万亿日元，当时为数十年来日本首次有芯片公司市值超过丰田。铠侠同时是全球NAND闪存技术的发明者和日本存储芯片领域的独苗。原文将下跌归因于两个因素：一是全球AI产业变化，AI泡沫崩不崩的问题严重影响存储公司股价，美光、三星、SK海力士同样大跌；二是中国公司竞争，长江存储在闪存领域扩张速度快于长鑫，2季度份额已提升至17%，仅次于三星及SK海力士（若扣除收购Intel闪存业务且名义上独立运营的Solidigm的影响，长江份额跃居第二）；一年多以前长江份额还属others、约5%，去年底约10%，按此速度今年底可能达20%以上，明年可能坐稳第二甚至冲击第一。原文还称，考虑长江极为庞大的扩产计划，过不了两年闪存市场可能变成产能过剩、大肆杀价，而铠侠没有高价值的内存业务护体，可能是最早倒下的公司之一。
Kulicke & Soffa 财政第三季度 2026 年净收入为 3.304 亿美元，同比增长 123%，毛利率 47.8%，非GAAP每股收益 1.20 美元，超出预期。公司预计财政 2026 年第四季度收入约为 3.75 亿美元，截至 2026 年 10 月 3 日，因半导体、存储、汽车和工业市场需求增强。
10月18日消息，京东上线苹果iPhone Duo'尊享权益套装'，定价20998元起，每晚20:00开抢，较裸机版加价4999元；套装内含本机15999元起、苹果40W充电器329元、摩可·肖特UTG钢化膜929元、1年京东全面保修服务1800元（含意外故障）、5年电池不限次换新服务999元（需电池健康低于80%）、90天全保换新服务1200元及复购补贴999元。另有加价7999元的'臻享权益套装'在售，较'尊享套装'主要增加999元官方壳和399元充电宝，同样每晚20:00开抢，支持24期免息。据了解，iPhone Duo为苹果史上定价最高的机型，国行256GB起售价15999元，顶配2TB版本售价26499元，首轮货源紧张直接拉高二级市场价格。该机提供星光白和夜空双色，内外屏均为120Hz（ProMotion），内屏7.6英寸采用屏下摄像头，外屏5.4英寸，搭载A20 Pro处理器、大尺寸VC均热板、C2基带芯片，全球版本均采用eSIM设计。
硬件爆料者KeplerL2近日在NeoGAF论坛称，索尼下一代PlayStation主机的RAM与NAND闪存成本合计已超过680美元；该数字仅来自论坛发言，没有公开成本拆分、供应商报价或计算方法，索尼也尚未公布PS6的硬件规格、售价或上市时间，属于未经证实的估算。此前流传的配置包括GDDR7统一内存、160位总线、30GB容量（传闻容量上限可能达40GB，较可能为30GB），数据传输速率可能达每引脚32Gb/s、对应理论带宽约640GB/s，均未获索尼确认。报道未给出NAND闪存容量，也未说明680美元中RAM与存储各自占比。TechPowerUp此前引用KeplerL2的另一估算称，PS6整机物料成本可能从今年3月的约760美元升至7月的约960美元，该整体成本同样没有公开明细；现阶段关于PS6最终售价超过1000美元的说法也只是市场推测。文中将成本压力归因于DRAM与NAND市场供应紧张，以及人工智能数据中心对内存和存储的需求挤压其他产品供应；若内存成本持续高企，索尼可能需要调整容量、硬件配置、补贴策略或上市节奏。
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |