GMS发布MOSA兼容Thunderbolt™启用的Expansion™模块
General Micro Systems (GMS) 今日发布其 MOSA 兼容的智能外围 Expansion™ 模块，这是一系列雷电™ 使能的子系统。
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General Micro Systems (GMS) 今日发布其 MOSA 兼容的智能外围 Expansion™ 模块，这是一系列雷电™ 使能的子系统。
瑞萨电子近日发布了基于Gen 4+技术的650-V、20-mΩ d-mode GaN FET，采用8×8 mm双面散热（DSC）PQFN封装，型号为TP65H020G4PLSGBD，目前已向AI数据中心OEM和ODM送样，量产计划于2027年中。据瑞萨称，Gen 4+相较Gen 4通过单元设计和比导通电阻的渐进式改进，实现更低的RDS(on)、更小的尺寸、更低的栅极电容（CGS、CGD）和输出电容（Coss）；Gen 6预计要到2027年才提供样品。该器件为d-mode，与LV硅MOSFET配对使用。封装支持顶面、底面或双面散热，当前支持20-mΩ器件，未来10–15-mΩ器件或可单冷板散热。相比TOLT封装，DSC PQFN在x-y轴封装面积减少约57%至60%，高度约1 mm（对比TOLT的2.35 mm，表格中为2.3 mm），热阻抗低9%至10%（0.36 °C/W对比0.4 °C/W），四开关功率级PCB面积可减少约15%至25%。在6-kW、800 V转48 V、运行于650 kHz至1 MHz的IBC演示板风冷测试中，DSC全负载效率提升0.14%，相当于6-kW转换器中约10+ W的额外功率；测试未使用液冷，下一步将进行液冷测试。DSC 8×8（含650-V GaN）应用于初级侧，每个模块仅承受约400 V，两个模块串联以适应800 V总线。DSC封装技术的主要应用是初级侧800 V DC转换为48 V、12 V和6 V的中间总线转换器（IBC）。针对800 V转6 V输出电流超过3,000 A的情况，瑞萨正与EPC合作推进LV GaN的DSC封装选项。瑞萨在10月12日至15日于加州圣何塞举行的OCP全球峰会上展示了该器件，作为其800-V电源解决方案的一部分。
联想于10月19日在韩国推出搭载Nvidia RTX Spark的Yoga Pro 9n笔记本电脑。该款笔记本采用Arm架构CPU与Blackwell架构RTX GPU的SoC平台，支持最高128GB统一内存。起售价为674.9万韩元（64GB LPDDR5X版），预售价624万韩元。具备Lenovo X Power散热系统，TDP最高80W，噪音低至22分贝。配备15英寸OLED屏幕，峰值亮度1100尼特，刷新率165Hz，覆盖100%sRGB及DCI-P3色域。触控板为ForcePad提供触感反馈，支持第二代Yoga Pen（Wacom AES 3.0）。机身厚度16.7mm，重约1.65公斤，电池容量92.5Wh，支持USB4、杜比全景声四扬声器、三麦克风3D降噪、键盘特殊涂层、凹陷键帽及1.5mm键程。
显示贴合设备制造商Shindo Eng Lab于当地时间10月15日在旧金山SEMICON West 2026上公布了一种芯片封装架构，将图形处理器（GPU）与高带宽存储器（HBM）垂直堆叠，中间夹一层约200微米厚的玻璃陶瓷中介层。该架构中GPU位于中介层上方、HBM位于下方，两者通过中介层中的垂直导电通孔连接；液冷模块分别置于GPU上方和HBM下方以相反方向散热；电力由底部印刷电路板（PCB）经金属柱输送至中介层并分配给两颗芯片。原文指出，当前AI半导体封装采用将GPU与HBM并排放置在硅中介层上的2.5D架构，垂直堆叠会缩短芯片间距离，但带来热量集中和热胀冷缩导致翘曲等挑战；Shindo声称其可调整热膨胀特性的玻璃陶瓷中介层结合两侧冷却可缓解这些问题。形成垂直导电通孔的技术为透过玻璃陶瓷通孔（TGCV），公司于9月发布，该工艺在玻璃陶瓷基板上用光刻同时形成孔洞图案并以铜填充；Shindo最初将TGCV作为倒装芯片球栅阵列（FC-BGA）基板中有机核心的潜在替代品提出。Shindo主要为显示面板与盖板玻璃贴合提供层压和真空贴合设备，此前无半导体基板业务经验。该公司已为该架构提交专利申请，并正与约10家公司进行技术讨论，已向其中部分公司提供样品；尚未披露其打算直接制造并销售中介层还是供应设备。Shindo一位官员表示，最终目标是实现以TGCV为基础技术、垂直集成GPU与HBM的3D架构，并计划将该结构提交给委外封测（OSAT）公司讨论潜在应用。该架构尚属提案阶段，未见量产或商业化实现。
10月19日，国家统计局新闻发言人、国民经济综合统计司负责人王冠华在国新办新闻发布会上表示，前三季度“人工智能+”行动有力带动了新兴领域的投资和出口，原文将此归因于人工智能的应用拓展及“两新”政策支持。前三季度电子电路制造业、集成电路制造业、信息服务业投资分别增长了58.7%、14.2%和20.2%；在“两新”政策支持下，企业加快智能化改造，带动设备购置投资增长9.7%。出口方面，前三季度我国电子元件、电线电缆等产品的出口分别增长70%和25.3%。
快科技10月18日消息，海外用户DallasGrave继为RTX 5090加装两个8pin接口分担16pin原装接口负载后，推出全新设计，在PCB上焊接四个8pin接口，可完全脱离原装16pin接口独立供电；新PCB直接焊接在显卡供电触点上，可与原有12V-2x6接口并联使用，也可完全独立运行。DallasGrave表示设计采用保险丝连接和等长PCB走线分配电流，600W负载下每根导线电流约4.1至4.4A，相比标准16pin接口几乎减半；该方案已在分流改装的显卡上测试至800W，PCB温度达到45°C。原文指出，RTX 5090自发售以来12V-2x6接口熔毁事故反复出现，主要原因是显卡功耗高达575W，逼近接口600W理论上限，未完全插紧或极端负载下容易过热熔毁。DallasGrave正在为多款显卡设计适配版本，团队还在开发可选的主动监控模块和定制背板；改装计划通过邮寄服务提供，12月还将在拉斯维加斯开设实体店提供当日安装。DallasGrave还承认，原计划出售预改装RTX 5090的方案已行不通，因为库存预计即将售罄。
Kulicke & Soffa 财政第三季度 2026 年净收入为 3.304 亿美元，同比增长 123%，毛利率 47.8%，非GAAP每股收益 1.20 美元，超出预期。公司预计财政 2026 年第四季度收入约为 3.75 亿美元，截至 2026 年 10 月 3 日，因半导体、存储、汽车和工业市场需求增强。
在2026年开放计算项目（OCP 2026）全球峰会上，英特尔展示了硅光子技术发展蓝图，数据中心系统与解决方案公司副总裁尼克·杜贝将硅光子形容为下一代系统架构的“黄金之锤”，并称英特尔是目前唯一能够大规模量产300毫米磷化铟（InP）硅光子晶圆的高产能代工厂。原因方面，源文称传统铜线互连正日益逼近物理极限，在传输距离、封装边缘带宽密度及每比特传输能耗等方面面临瓶颈，数据中心架构需向光互连演进，能耗目标推进至低于5皮焦耳每比特。英特尔指出，当前光学收发器市场中激光芯片与磷化铟材料产能长期供不应求，其将磷化铟光源技术直接整合进300毫米硅晶圆制程以提升制造效率与产能规模；自2016年投入商用以来，已累计出货超过800万个光学收发器和3200万个集成激光器。英特尔正依托300毫米硅光子制程与集成磷化铟光源技术推动共封装光学（CPO）与近封装光学（NPO）发展。
10月6日，由于担忧ASML可能进入混合键合设备市场以及HBM相关设备需求延后，美国银行下调了荷兰封装设备厂商Besi的投资评级，当日Besi股价下跌5.39%；次日瑞银进一步下调评级，Besi股价再跌8.49%，短短两个交易日累计下挫约13.4%。ASML早在2025年就已交付面向先进封装的TWINSCAN XT:260光刻系统，今年又传出研发混合键合设备的消息，并与Prodrive Technologies、VDL ETG等长期供应商进行合作接洽；2026年5月15日公布的国际专利WO2026098870A1《Bonding Apparatus》申请人为ASML Netherlands BV，但ASML尚未公开确认其混合键合设备的商业交付时间、客户认证进度或量产性能。10月1日，应用材料与Besi升级合作，Besi将成为应用材料位于硅谷的EPIC研发中心创新合作伙伴，该中心规划投资规模最高约50亿美元，投资将随客户项目推进逐步展开；五天后应用材料又宣布与英特尔深化合作，研发范围覆盖下一代晶体管、片上互连以及Foveros 3D先进封装。2026年3月，路透社援引知情人士报道称Besi因混合键合技术受到潜在收购方关注，Lam Research和应用材料均在相关名单中，但截至目前公开报道并未证实相关收购交易最终达成。此外，2026年5月Imec与EV Group宣布在晶圆到晶圆混合键合研究中实现200nm铜互连间距，300mm晶圆上所有测试芯片键合后铜焊盘叠对偏差低于40nm。大规模混合键合设备订单真正释放的时间仍受下游技术路线与量产进度制约。
SEMI Americas总裁Joe Stockunas于10月15日在SEMICON West 2026上表示，希望将晶圆厂建设的投资税收抵免扩展到供应商基础设施，并正在努力实现这一目标。他指出，自CHIPS法案以来，已宣布的投资超过8000亿美元，凤凰城已有3300亿美元的投资。
据快科技10月17日消息，广汽埃安全新车系Ray的首款车型Ray7当晚在北京国家速滑馆"冰丝带"正式开启预售，共推出5款车型，预售价12.88万至15.88万元。该车定位"大5米超级纯电轿车"，车身尺寸4960/1900/1455mm，轴距2920mm，全系800V平台，后置单电机最大功率180kW，电池由宁德时代提供并融合埃安弹匣电池2.0技术，提供45.58kWh和62.98kWh两种容量，CLTC续航分别为530km和702km。智能座舱搭载高通骁龙8295P座舱芯片，配24GB运存和128GB闪存；智驾采用与文远知行L4同源的端到端大模型，并搭载华为DriveONE多合一电驱、全球首发的华为EMB全电线控制动及华为iTRACK动态扭矩分配系统。原文未说明原因，文中提及预售价低于此前外界预期的15万级。该新闻属于整车产品发布背景信息，不构成半导体价格或供需变化的直接证据。
湖南贝哲斯信息咨询有限公司发布2026年版中国镱 (Yb) 蒸发材料市场分析报告，共12章节。报告称全球镱 (Yb) 蒸发材料市场规模预计从2025年的 亿元（人民币）增至2032年的 亿元，年复合增长率达 %，国内市场规模2025年达 亿元（原文未给出具体数值）。报告按种类（颗粒状、块状、丝状、粒状、其他）和最终用途（光学器件、半导体沉积、物理气相沉积、化学气相沉积、其他）细分市场，列出的主要企业包括ALB Materials Inc、Heeger Materials、Stanford Advanced Materials、China Rare Metal Material、Advanced Engineering Materials、Testbourne Ltd、QS Advanced Materials。报告对2026-2031年市场规模及前景做出预测。此为市场研究报告推广信息，非实际交易或价格事件，原文未说明具体市场规模数值及增长原因。
Terafab 项目已获得 16.8 亿美元的一期资金（四期总额最高可达 119 亿美元）；其位于奥斯汀的研究晶圆厂正在每月处理几千片晶圆，迭代工艺配方、晶体管设计和封装变体，而格里姆斯县正在建设的产能晶圆厂目标是每月 10 万片晶圆起始量，首片硅预计在 2029 年交付，采用埃隆·马斯克所命名的英特尔 14A 工艺。站点和一期资金已获批准，研究晶圆厂正在施工，但尚未公开首片晶圆日期或所有权条款，且特斯拉和英特尔均未签订合约约束。文章认为，先进封装而非光刻将决定单屋顶概念是否盈利。
第二届中国银河证券大宗商品论坛（以"商品·科技·宏观"为主题）上，与会机构普遍认为大宗商品市场正进入宏观、产业、科技多因素交织共振的新阶段。银河证券章俊认为全球利率中枢上行将成常态，"高利率常态"将系统性影响包括大宗商品在内的大类资产定价体系。马凯认为未来中国大宗商品将出现K型分化：地产基建等旧动能商品处于空头配置逻辑，AI算力基础设施与新能源汽车渗透率提升催生铜、铝等有色金属高增速需求的多头逻辑。吴康概括2020年以来全球石油市场经历三次"黑天鹅"冲击，并给出油价情景：基准情景下（海峡逐步恢复）2027年布伦特年均价约85美元，高风险情景下（封锁持续）年均价可能维持在120美元以上，并认为当前市场定价对中东问题反映不够充分。陈虹称页岩气增长是全球化工原料格局重构的最核心变量，乙烷裂解只产乙烯不产丙烯的结构性矛盾直接推动了2026年二季度PP价格的逆势拉涨；她判断乙烷是少数有机会的化工原料，全球乙烷船数量将从2024年底的40艘扩张至2028年底的105艘，70%运力指向中国。冯源认为2026年煤炭市场反弹是供给侧多重扰动叠加的结果而非单纯需求驱动：中国煤炭产量连续三个月出现10%的同比降幅，印尼全年出口减少约3000-4000万吨，印度库存去化至四年同期最低值；他对2027年的判断是市场对煤炭价格回落的预期过多，2027年动力煤价格大概率在1000元人民币附近震荡。圆桌嘉宾认为AI算力中心建设带来铜、锡等金属的确定性增量需求，AI提升传统产业效率从需求侧对价格形成微妙下行压力，高波动将成为大宗商品常态。以上均为论坛专家观点与预测，非已实现的市场结果。
化工溶剂经销商Yuan Jen Enterprises正积极扩展其电子材料业务。公司董事长Yuan-Jen Hsu表示，公司于2025年9月成立了专门的电子材料事业部(Electronic Materials Division),聚焦半导体周边材料。除现有的电子级双氧水(hydrogen peroxide)、电子级异丙醇(IPA)和丙酮(acetone)产品组合外，公司正积极寻求下一代半导体材料的机会，并将先进封装与特种线材材料作为主要增长方向。原文未说明任何已落地的产能或投资项目细节，该业务扩展属于公司的计划/目标。
SK hynix公布了名为Hynix Transaction Processing Unit (H-TPU)的自研微核心计划，旨在降低对高功耗CPU核心的依赖。该计划于ISOCC 2026（国际SoC设计会议）上由公司SoC设计副总裁Koo In-jae披露，尚属计划而非已落地产品：H-TPU尚未在实际企业级SSD控制器产品中得到验证，且未给出日期。H-TPU采用四级顺序执行流水线，置于集群中处理读写命令处理、元数据管理与缓冲控制等重复性I/O工作，总数量超过100颗；管理任务仍留给传统Arm CPU，是卸载而非替代。据称每颗H-TPU功耗仅约为通用CPU核心的2.5%，面积约为其4%（报道未指明对比所用的CPU核心）。报告所称原因是SSD控制器CPU在功耗和面积上已达极限，且PCIe带宽每代翻倍而控制器CPU时钟和控制能力无法跟上。SK hynix据报道计划将H-TPU应用于其NAND产品（包括下一代企业级SSD控制器）以及高带宽闪存（HBF），据报道HBF预计明年推出；H-TPU据报道已用于Nvidia与SK hynix合作的AIN P项目（Nvidia称为'Storage Next'）。
TDK 推出 Micronas HAR 3025 双芯片抗 stray-field 稳健电机位置传感器，具备冗余设计、ASIL D 就绪（SEooC），符合 ISO 26262:2018 和 ISO 11452-8:2015 标准，样品已可获取，量产计划于 2027 年上半年开始。原文未说明原因。
Antaira Technologies宣布其LMX-1204G-SFP-T-BABA管理型千兆以太网交换机完全符合2026年10月1日生效的《建设美国，购买美国》(BABA)法案第二阶段要求，该交换机在美国制造并已可即时供货；根据联邦公路管理局(FHWA)要求，制造产品的组件成本国内占比自2026年10月1日起提高至55%，该交换机至少55%的组件成本在美国开采、生产或制造，系统 integrator、承包商和政府机构可在联邦资助的基础设施项目上部署而无需承担国内含量风险。Antaira同时公布了下一款符合BABA要求的平台LMP-1204G-SFP-bt-24-T-BABA，为系列新增每端口最高100W的IEEE 802.3bt PoE++供电，计划于2027年第一季度投产；该型号包含四个IEEE 802.3bt PoE++端口（每端口最高100W）、四个IEEE 802.3at PoE+端口（每端口最高30W）和四个千兆SFP插槽，采用12–55VDC宽压输入。公司的BABA计划于2025年启动，当时推出了LMX-1204G-SFP-T-BABA并将制造业务扩展至美国。
据2026年10月14日快科技报道，显卡涨价被指并非一次性波动，高价格将长期化，显卡价格还会大幅上涨。日前传闻称NVIDIA将停产RTX 5090显卡，原因是其要把显卡核心转移到更赚钱的专业卡市场上，游戏卡只卖6000美元，专业卡起步就是16000美元——该停产信息仅为传闻。过去一年来RTX 5090显卡从2600-2900欧元涨到6000-6800欧元，涨幅超过132%；其他RTX 50系列显卡整体涨幅超过50-70%；N卡平均涨幅66%，A卡平均涨幅46%，I卡平均涨幅38%。文章称原因包括：成本端内存涨价影响最大，且电容、电感、PCB、玻纤布、功率半导体及铜、锡等原料和物流价格均在上涨，导致主板、显卡厂商利润压力到极限，价格从生产端向消费端传导；再加上AI需求高涨。文章并预测AMD及NVIDIA接下来还会调整价格，RTX 5090价格甚至可能翻倍上涨——此为文章预测而非已实现结果。
CXMT总裁曹坤宇宣布，公司首款4F² DRAM产品将是服务器DDR5 RDIMM，预计年底前推出；该宣布在Integrated Chips and Chiplets Conference上周六发表，文章发表于2026年10月13日。该内存采用垂直晶体管将电池占地面积在纸上减少约三分之一，但尚未公布速度或容量。CXMT预计将销售一种仅在三星和SK海力士研究论文中出现的存储单元。原文未说明原因。