GlobalFoundries以FDX Fusion(基于FD-SOI)重回先进节点竞赛,声称具备7 nm级特性且晶体管密度为初代22FDX两倍
GlobalFoundries以称为FDX Fusion的方案重回先进节点竞赛,该方案基于全耗尽绝缘体上硅(FD-SOI)技术。背景方面:2018年,GlobalFoundries曾宣布无限期停止其7 nm节点开发,原文将此归因于节点设计成本日益高昂(需要数十亿美元投资)、复杂度提升以及许多厂商遇到良率与制造困难;此后该公司继续开发不专注于更小晶体管尺寸的独特半导体方案。原文称FDX Fusion通过在沟道下方创建全绝缘层进一步强化衬底隔离,可实现超低功耗存内计算、嵌入式非易失性存储(如eMRAM)的无缝集成以及高效密集逻辑设计。GlobalFoundries声称FDX Fusion在尺寸方面具备7 nm级节点特性,且晶体管密度为第一代22FDX节点(22 nm级设计)的两倍。上述性能数据为公司声称,事件状态为公布/计划性质。
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