MOSFET IGBT核心器件涨幅达10%-25%
全球功率半导体企业自2026年以来密集发布涨价函,MOSFET与IGBT核心器件涨幅普遍达10%-25%。本轮涨价源于AI算力基础设施爆发、新能源高景气及8英寸成熟制程产能收缩三重因素共振。
利多
核心逻辑为供给持续紧张,行业利润率有望在未来数年持续改善。
- 相关厂商
- Global Power Semiconductor Manufacturers
- 影响评分
- 98 / 100,高影响
全球功率半导体企业自2026年以来密集发布涨价函,MOSFET与IGBT核心器件涨幅普遍达10%-25%。本轮涨价源于AI算力基础设施爆发、新能源高景气及8英寸成熟制程产能收缩三重因素共振。
核心逻辑为供给持续紧张,行业利润率有望在未来数年持续改善。
分析师建议申购珂玛与斯达转债。珂玛转债票息13.5%且转股价值101.47,主要应用于半导体设备先进陶瓷零部件;斯达转债票息11.5%且转股价值95.36,主营IGBT与SiC功率半导体。该申购建议对正股构成利多。
已经到底了