韩日提出垂直DRAM架构,互连提升4倍
韩日研究人员提出V-Die与MOSAIC架构,将DRAM垂直放置以解决HBM散热问题。V-Die通过液冷将互连提升4倍并降低37%延迟,MOSAIC则利用感应耦合提升30%容量与3倍热导率。
中性
该技术目前仍处于原型阶段,对现货价格无直接影响。
- 相关厂商
- SK hynix、Samsung Electronics、Micron、UNIST、University of Tokyo
- 影响评分
- 10 / 100,低影响
韩日研究人员提出V-Die与MOSAIC架构,将DRAM垂直放置以解决HBM散热问题。V-Die通过液冷将互连提升4倍并降低37%延迟,MOSAIC则利用感应耦合提升30%容量与3倍热导率。
该技术目前仍处于原型阶段,对现货价格无直接影响。
三星和SK海力士开发HPB及iHBM架构以解决HBM散热问题,预计HBM4e验证、HBM5量产。
技术路线图调整,短期供需无实质影响。
已经到底了