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8nm汽车级eMRAM研发实现低于ppm级可靠性

IEDM 2025论文展示了针对汽车应用的8nm 128Mb嵌入式STT-MRAM开发，实现了低于ppm级别的可靠性。该技术攻克了在-40°C至150°C宽温域下，因工艺微缩导致的短路缺陷和读取裕度退化等挑战。