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韩研机构发布NAND新材料技术，擦除速度提升23倍

KAIST研究团队利用氮氧化硼材料开发新型NAND隧穿层技术，实验室数据实现擦除速度提升23倍及PLC环境下32级电压状态精准控制。该技术旨在解决3D NAND堆叠导致的性能与可靠性衰减问题。