NuAxi半导体贸易情报
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韩研机构发布NAND新材料技术，擦除速度提升23倍
KAIST研究团队利用氮氧化硼材料开发新型NAND隧穿层技术，实验室数据实现擦除速度提升23倍及PLC环境下32级电压状态精准控制。该技术旨在解决3D NAND堆叠导致的性能与可靠性衰减问题。中性：此为远期研发里程碑，对当前NAND现货供应、价格及采购决策无直接影响。
3D NAND FlashPLC NAND
R&Dmaterial-science
来源：TrendForce · 2026/3/23 · 查看原始来源
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