Fraunhofer展示500kW/l SiC逆变器
Fraunhofer IZM展示了基于SiC MOSFET和AMB芯片嵌入技术的500 kW/l逆变器模块。该技术通过PCB嵌入和铜顶层金属化降低寄生电感,提升功率密度和热性能。
利多
SiC功率器件封装技术,但当前对现货价格影响中性,属于研发里程碑。
- 相关厂商
- Fraunhofer IZM、Mitsubishi Electric、AT&S、Infineon Technologies
- 影响评分
- 10 / 100,低影响
Fraunhofer IZM展示了基于SiC MOSFET和AMB芯片嵌入技术的500 kW/l逆变器模块。该技术通过PCB嵌入和铜顶层金属化降低寄生电感,提升功率密度和热性能。
SiC功率器件封装技术,但当前对现货价格影响中性,属于研发里程碑。
Nazzareno Rossetti探讨从单向电压调节器向双向转换器(如DAB)的设计转变,以支持现代能源管理系统(EMS)。文章指出同步整流天然支持反向电流,并提出两阶段拓扑结构实现软开关。
该技术趋势反映EMS设计升级,但缺乏具体供需数据,对现货价格影响有限。
SK海力士正研发HBM4新型封装技术,通过增加DRAM厚度并缩小层间距以应对信号干扰与供电挑战。该技术旨在满足性能目标且无需大规模资本开支。
此为长期研发进展,对当前供应链、需求及价格无直接影响。
已经到底了