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住友电工研发出2英寸金刚石衬底GaN HEMT

住友电工与大阪公立大学在联合研究中于2英寸多晶金刚石衬底上制造出GaN HEMT器件。该技术旨在提升移动及卫星通信核心器件的功率密度与散热性能。