NuAxi半导体贸易情报
低影响影响力评分：10/100
住友电工研发出2英寸金刚石衬底GaN HEMT
住友电工与大阪公立大学在联合研究中于2英寸多晶金刚石衬底上制造出GaN HEMT器件。该技术旨在提升移动及卫星通信核心器件的功率密度与散热性能。中性：此为远期研发进展，对当前组件供应、价格及交易无直接影响。
GaN HEMTDiamond Substrate
R&DGaNthermal-management
来源：Semiconductor Today · 2025/6/2 · 查看原始来源
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