安世半导体12英寸双极分立器件平台量产
安世半导体(中国)自主研发的12英寸双极分立器件平台成功验收,实现小批量量产。相较于8英寸工艺,12英寸晶圆单片芯片产出可提升近2倍,旨在提升效率并降低单位成本。
此为长期工艺优化节点,对现货市场供应及价格无直接影响。
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安世半导体(中国)自主研发的12英寸双极分立器件平台成功验收,实现小批量量产。相较于8英寸工艺,12英寸晶圆单片芯片产出可提升近2倍,旨在提升效率并降低单位成本。
此为长期工艺优化节点,对现货市场供应及价格无直接影响。
Marvell在DesignCon 2026展会上演示了其支持256 GT/s速率的PCIe 8.0 SerDes技术。PCIe 8.0规范仍处于草案阶段,预计2028年定稿。
此为远期技术研发展示,对当前半导体供应链的供需及价格无直接影响。
纳微半导体高功率GaNSafe芯片获得AEC-Q100和AEC-Q101汽车级认证。此举标志着氮化镓技术向汽车市场渗透的关键一步。
此为研发里程碑,对当前交易市场的元件供应、需求和价格无直接影响。
Transphorm与Allegro宣布合作,将其SuperGaN FET与AHV85110隔离栅极驱动器结合,瞄准高功率应用。此举旨在提升GaN系统性能,加速其在数据中心及工业领域的采用。
此为长期技术合作,对当前元器件供需及价格无直接、可量化影响。
Transphorm公司将其GaN功率晶体管的短路耐受时间提升至5微秒,达到电机驱动应用的关键指标。该技术突破基于其专利设计,旨在提升高压功率转换的可靠性。
此为研发里程碑,对当前GaN元件现货供应、价格及库存无直接影响。
Transphorm宣布其高压氮化镓场效应晶体管累计现场运行时长突破1250亿小时。该数据旨在证明其面向工业和汽车应用的GaN技术平台的成熟度与可靠性。
/利空/关注: 中性,此为技术营销里程碑,对当前GaN元件的供应、需求及价格无直接影响。
Transphorm发布其GaN功率FET最新可靠性评级,现分为低功率与高功率等级。此举为符合JEDEC及AEC-Q101标准的产品规格常规更新。
此技术规格更新对当前供应链、需求或价格无直接影响。
Transphorm获得ARPA-E合同,将为先进电源转换研究提供GaN四象限开关。该项目属于政府资助的CIRCUITS研发计划,旨在探索固态断路器和矩阵变流器等新应用。
此为研发阶段进展,对商用GaN元件的当前供应、需求及价格无直接影响。
Transphorm在ISPSD 2022上展示了其1200V GaN功率晶体管实现99%效率的研发成果。该演示旨在展现高压GaN技术在功率转换领域的性能潜力。
此为实验室阶段研发进展,对当前商用元件的供应、需求及价格无直接影响。
已经到底了
爆款新品里,到底装了谁的芯片?拆开,一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |