NuAxi半导体贸易情报
低影响影响力评分：10/100
Transphorm GaN晶体管短路耐受时间达5微秒
Transphorm公司将其GaN功率晶体管的短路耐受时间提升至5微秒，达到电机驱动应用的关键指标。该技术突破基于其专利设计，旨在提升高压功率转换的可靠性。中性：此为研发里程碑，对当前GaN元件现货供应、价格及库存无直接影响。
GaN FETsPower Transistors
R&Dtechnology-milestoneGaN
来源：Semiconductor Today · 2023/8/10 · 查看原始来源
查看 NuAxi 完整情报 →
实时定价、供应信号与 AI 分析，为半导体贸易商而生