Kioxia发布LD4系列E1.L SSD
Kioxia推出LD4系列E1.L SSD,采用Gen8 QLC闪存。该产品专为超大规模数据中心的高密度1U服务器及读密集型应用设计。
新产品的发布主要影响产品线布局,短期内对现货价格无直接影响。
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Kioxia推出LD4系列E1.L SSD,采用Gen8 QLC闪存。该产品专为超大规模数据中心的高密度1U服务器及读密集型应用设计。
新产品的发布主要影响产品线布局,短期内对现货价格无直接影响。
Kioxia推出搭载Gen 3 XL-FLASH技术的GP系列SSD,随机读取性能提升至2000万IOPS以上。新款LD4 SSD采用PCIe 5接口和BiCS 8 218层闪存,面向AI数据中心市场。
AI算力需求推动高性能存储升级,但新品发布暂无现货价影响。
DapuStor发布J5060企业级SSD,通过牺牲6%至20%的QLC容量换取更快的随机写入性能。该产品旨在解决QLC写入慢的问题,但目前缺乏定价及上市时间。
新品发布暂无现货影响。
大普微在FMS 2026峰会上展示了512TB级EDSFF E2外形规格的PCIe Gen5 QLC NVMe SSD。该产品基于自研DP800控制器和3D eQLC NAND,此前最大容量为256TB。
新产品发布通常对现有256TB级库存造成短期压力,但无直接现货价影响。
联想ThinkBook 14 G9全球机型首次搭载YMTC 512GB PCIe 4.0 SSD。此举标志着YMTC NAND闪存首次进入中国以外市场的笔记本供应链,有助于缓解全球NAND短缺。
供应多元化将缓解短缺压力并施压价格。
硅动科技在Computex 2026展示SM2524XT Gen5控制器及首款Gen6控制器SM8466。SM2524XT面向消费级,SM8466专为AI企业级设计。
新产品发布对NAND需求的长远影响。
戴尔与铠侠合作推出9.8 PB全闪存服务器,采用40颗245.76 TB LC9 QLC SSD。该系统专为AI基础设施设计,强调高密度与能效,竞品包括美光6600 ION等。
256 TB级大容量SSD的量产进展,这将重塑企业级存储市场格局。
美光发布6600 ION SSD,单盘容量达245TB且功耗仅30W。该产品基于第九代QLC NAND与PCIe 5.0技术,旨在替代机械硬盘并优化AI数据中心空间。
新产品发布,戴尔已宣布采用,可能改变高端存储需求结构。
美光推出245TB PCIe Gen5 SSD,宣称是全球容量最大商用产品。该产品采用Gen 9 276层QLC NAND,旨在通过节省电力和空间提升AI数据中心TCO。
新品发布可能刺激高端存储需求,但需关注竞争对手跟进情况。
美光宣布6600 ION SSD现已发货,容量达245TB。该产品采用G9 QLC NAND,专为AI和云工作负载设计,相比HDD部署可减少82%机架使用。
AI驱动SSD对HDD替代,提升数据中心存储密度与TCO。
Kioxia推出采用BiCS FLASH Gen 8 QLC技术的EG7系列SSD,面向PC OEM厂商。该产品旨在通过匹配TLC性能来降低TCO,面向轻薄本及商用笔记本。
新QLC产能释放将加剧市场竞争,对NAND Flash价格形成下行压力。
Kioxia推出EG7系列QLC固态硬盘,采用218层3D NAND,提供256GB至2TB容量及PCIe Gen 4接口。该产品替代了BG7 TLC版本,主打更低成本,目前处于样品阶段,预计本季度开始量产出货。
新QLC产品上市可能加剧低端存储市场竞争,但短期对现货价格影响有限。
SK海力士已开始向戴尔出货采用321层QLC NAND的PQC21消费级SSD,用于AI PC。此举属于行业向更高堆叠层数与密度发展的常规技术迭代。
此为既定产品发布,未提及产能、价格或供需平衡的即时变化,对现有NAND交易无直接影响。
SK海力士宣布321层QLC cSSD PQC21开始向戴尔出货,标志着V9工艺进入成熟量产。该产品通过结合高密度QLC与SLC缓存技术,满足AI PC对大容量和高性能的需求。
此为新产品发布,短期内对现货价格影响有限,但预示着高密度NAND产能的进一步释放。
SK海力士已开始向戴尔供应采用321层QLC NAND技术的PQC21 cSSD,提供1TB和2TB两种容量。此举旨在强化其在AI PC存储市场的地位,并扩大QLC cSSD份额。
此为针对特定客户的新品量产,对当前NAND整体供应及现货价格无直接影响。
SK海力士于4月开始向戴尔批量出货其首款321层QLC cSSD(PQC21)。此举旨在抢占AI PC及数据中心对高容量存储的需求。
该产品发布标志着技术路线演进,但未对现有NAND产品的供应或价格产生直接影响。
三星推出BM9K1 PCIe 5.0 QLC SSD,采用定制RISC-V控制器,顺序读取速度达11.4 GB/s。该设计旨在提升小型PC和笔记本能效,相比Arm控制器功耗降低23%。
QLC NAND性能受限,且目前仍使用Arm控制器,未来TLC版本才是关键。
三星在2026年闪存峰会展示BM9K1 PCIe 5.0 QLC SSD,计划2027年量产。该产品采用自研RISC-V架构控制器,读取速度达11.4 GB/s,能效提升23%。
新品发布对当前SSD现货市场影响有限,但RISC-V控制器架构转型值得关注。
铠侠披露其基于XL-Flash的GP系列SSD细节,目标2026年达1000万IOPS,并规划用于边缘AI推理的高带宽闪存(HBF)。此举旨在通过新存储架构提升GPU服务器数据吞吐效率,但产品尚未量产。
此为远期技术路线图,对当前现货市场供需及价格无直接影响。
江波龙宣布搭载自研主控的UFS 4.1产品已处于批量出货前夕,并展示了HLC UFS、pTLC UFS及面向AI可穿戴的ePOP5x等新技术。此举标志着该公司在高端存储产品领域的技术进展,并与多家晶圆厂及终端厂商建立了合作。
此为单一公司的产品研发里程碑,对当前电子元件市场的整体供应、需求及价格无直接、可量化的即时影响。
爆款新品里,到底装了谁的芯片?拆开,一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |