25DeepSeek自研芯片融资70亿，寻求国产替代
DeepSeek启动70亿美元融资自研推理芯片，旨在降低对英伟达与华为的依赖。此举响应美国出口管制并应对国内竞争，预计将重塑中国AI算力供应链格局。利空华为Ascend及英伟达H800在华份额，关注国产替代长期趋势。
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DeepSeek启动70亿美元融资自研推理芯片，旨在降低对英伟达与华为的依赖。此举响应美国出口管制并应对国内竞争，预计将重塑中国AI算力供应链格局。利空华为Ascend及英伟达H800在华份额，关注国产替代长期趋势。
联想ThinkBook 14 G9全球机型首次搭载YMTC 512GB PCIe 4.0 SSD。此举标志着YMTC NAND闪存首次进入中国以外市场的笔记本供应链，有助于缓解全球NAND短缺。利空：供应多元化将缓解短缺压力并施压价格。
Kioxia启动1 Tb TLC NAND闪存样品出货，采用第10代BiCS FLASH技术。该产品面向企业及数据中心AI存储，层数达332层，接口速度提升33%。利多：Kioxia加速布局高密度AI存储产能，强化高端NAND闪存竞争力。
Kioxia于7月3日开始1Tb TLC BiCS 10 NAND样品出货，计划2027年量产。该产品采用332层堆叠与CBA技术，传输速度达4.8Gb/s。关注：新世代技术发布预示未来产能扩张，短期现货价格影响有限。
海康威视存储预热C5000ECO固态硬盘，采用Gen5 x4接口与DRAM-less方案，顺序读取速率达11.9GB/s。该产品基于3D TLC NAND闪存，适配全场景需求。中性：新品发布对现货市场短期供需影响有限。
SK海力士在HPED 2026展示12层36GB及16层48GB HBM4，以及12层36GB HBM3e，重申与HPE的合作伙伴关系。利多。新规格确认AI服务器内存需求强劲，强化全栈AI内存供应商地位。
SK海力士向主要客户交付12层HBM4E样品，单引脚速率达16Gbps，能效提升超20%。该产品采用先进MR-MUF工艺，热阻降低17%，确保了高带宽环境下的结构稳定性。利多：样品交付确认了HBM4E量产进度，强化了SK海力士在AI存储领域的供应链主导地位。
SanDisk发布了为PlayStation 5优化的Optimus GX PRO 850P M.2 NVMe SSD，容量最高达8TB。该产品是850X的变体，使用WDC Black G2控制器和Kioxia NAND，但尚未公布具体规格和价格。关注NAND游戏机市场需求，但无即时价格或供应影响。
Netac在Computex 2026展示了DDR5内存（最高7600MHz）及便携/企业级SSD。产品采用3D TLC NAND及铝制散热设计，但价格与供货情况尚未公布。中性：新品发布无明确缺货或涨价信号，对现货市场影响有限。
TwinMOS在Computex 2026展示Volt X DDR5-6000 CL36内存及Core X Pro Gen 5 SSD。该产品面向发烧友市场。利多：无。
硅动科技在Computex 2026展示SM2524XT Gen5控制器及首款Gen6控制器SM8466。SM2524XT面向消费级，SM8466专为AI企业级设计。关注：新产品发布对NAND需求的长远影响。
Minisforum在Computex 2026发布All-Flash S5与N5 MAX，搭载Intel Wildcat Lake及AMD Strix Halo处理器，提供最高200TB存储。该产品专为AI开发与存储密集型工作流设计。关注：新产品发布，未来AI与存储需求潜力。
三星在Computex 2026展示首款采用HPB散热技术的HBM5样机，并确认12层HBM4E样品已出货。两家韩国存储巨头正竞相解决下一代AI内存的裸片间接口散热瓶颈，三星计划在HBM5基础裸片采用内部2nm工艺。关注：属于长期技术路线图确认，对当前HBM现货定价与即期供应无直接影响。
群联宣布与英特尔合作，将Pascari aiDAPTIV内存扩展方案与英特尔酷睿Ultra Series 3处理器结合。此举旨在打破系统内存瓶颈，支持AI PC本地运行更大规模的MoE AI模型。关注：短期无现货价格波动，但有望提升AI PC对NAND控制器及存储组件的单机容量需求。
闪迪计划于2026年推出SATA SSD新品320与520，容量覆盖250GB至4TB。受AI硬件热潮影响，NVMe及SATA SSD价格近期均上涨10%至20%，1TB产品售价约204美元。利多：当前存储市场供应吃紧，高价NVMe迫使部分用户转向SATA方案，关注新品定价策略。
Microchip推出dsPIC33CK Value Line系列DSC，提供100MHz处理与12位ADC。该系列针对成本敏感型实时控制应用，兼容AEC-Q100 Grade 1。中性：新产品发布，主要影响设计选型而非现货价格。
SK海力士推出iHBM散热方案，将HBM热阻降低30%。该方案通过在D2D PHY区域集成ICE散热元件，解决高功率密度下的散热瓶颈，并利用MR-MUF技术实现量产。利多HBM需求及价格，提升AI芯片在高高温高压环境下的稳定性。
日本胶带厂商Lintec计划投资70亿日元，于2026年量产1万张EUV光罩防尘膜。公司正与日本产业技术综合研究所合作开发碳纳米管基EUV光刻防尘膜，以提升高温下的耐久性。关注。传统工业巨头跨界进入EUV防尘膜领域，长期或增加供应竞争，但短期对价格影响有限。
华为在巴黎IDI Forum 2026展示并量产61.44TB与122.88TB SSD，规划245TB版本。受美国实体清单限制，华为采用自研DoB封装技术绕开3D NAND层数限制，直接焊接裸片提升密度。利多：国产存储技术突破，为数据中心提供新方案。
华为发布61.44TB及122.88TB SSD，采用Die-on-Board封装技术绕过美国制裁。该技术通过在PCB上直接堆叠YMTC的Xtacking 4.0颗粒来提升密度。中性：此举虽缓解了制裁对产能的限制，但散热与信号完整性仍是技术挑战。