PSMC第三季度营收同比增长80%、净利润增长338%、毛利率达48%，并计划2027年对成熟制程再提价10–20%
据TrendForce转发的消息，存储器价格上涨与晶圆代工产能紧张推动功率半导体厂商（原文简称PSMC）2025年第三季度（原文仅称Q3，未给出具体年份）营收同比增长80%，净利润同比增长338%，第三季度毛利率达48%。PSMC还计划于2027年对成熟制程进一步提价10–20%；该涨价为计划事项，原文未说明是否已实施。
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据TrendForce转发的消息，存储器价格上涨与晶圆代工产能紧张推动功率半导体厂商（原文简称PSMC）2025年第三季度（原文仅称Q3，未给出具体年份）营收同比增长80%，净利润同比增长338%，第三季度毛利率达48%。PSMC还计划于2027年对成熟制程进一步提价10–20%；该涨价为计划事项，原文未说明是否已实施。
力积电（PSMC）公布2026年第三季度营收为新台币213亿元（6.543亿美元），环比增长23%，因代工价格上调、平均售价（ASP）走强及产能利用率改善，毛利率从28%提升至48%，净利润达新台币65亿元。原文说明，AI服务器正拉动对存储、电源管理IC及先进封装的需求，PSMC预计第四季度营收将实现两位数增长，并表示2027年代工价格将再上涨10%至20%（此为涨价目标/计划，尚未发生）。
据公司预期，持续的供应短缺使利基型存储器市场保持火热，Elite Semiconductor Microelectronics Technology（ESMT）估计结构性供应缺口超过30%。该公司预计供需紧张将持续至2028年或更长时间，且涨价预计将持续到2026年第四季度，并支持其第四季度营业表现强于第三季度。以上均为公司预期/估计，属于对未来的预测，而非已实现的结果；原文未说明除供应短缺之外的其他原因。
PSMC第三季度营收环比增长23%、同比增长80%至213亿新台币，净利润分别环比增长98%、同比增长338%至65亿新台币，毛利率提升20个百分点至48%，原因是存储器价格上涨和代工产能紧张。据Liberty Times，PSMC总裁Martin Chu预计第四季度营收将环比实现两位数增长，因平均售价持续上升；第三季度已完成的存储器晶圆ASP比同期投片晶圆低逾30%，说明近期涨价尚未完全反映在营收中，价格较高的晶圆预计在第四季度贡献更多。据TechNews，全球DRAM供应紧张（主要厂商将产能转向HBM并逐步退出特殊型DRAM）使PSMC特殊型DRAM代工价格保持高位；PSMC与Micron的1p DRAM合作正在推进，PDK将于2026年底交付，设备预计2027年一季度到达，试产计划2027年二季度开始。PSMC称MLC NAND供应紧张推动高容量SLC NAND需求，公司正将SLC代工平台转向24nm；AI服务器所需NOR Flash为传统服务器的三至五倍，PSMC是中国以外唯一的NOR Flash代工厂。据PSMC财报说明会，其8英寸和12英寸逻辑代工服务的投片晶圆ASP第三季度上涨8–10%；由于产能持续受限，公司计划在2027年进一步调涨价格10–20%，并正在谈判长期协议(LTA)以锁定价格和产量。55nm BCD产品已开始出货，客户寻求三年合约；2026年代工产能满载挤压智能手机PMIC生产，主要手机厂商寻求2027年产能；2027年MOSFET和IGBT产能的80%已由LTA覆盖；GaN产品已进入小批量晶圆生产，等待最终客户验证。IPD订单能见度延伸至2028年，8英寸和12英寸晶圆已量产；WoW混合键合技术小规模试产进行中，量产目标2027年上半年。Micron PWF项目按计划推进，中试线建设预计2026年底完工，量产计划2027年第四季度。
10月21日A股主要指数集体回调（上证指数跌0.60%、深证成指跌0.82%、创业板指跌1.62%），但存储方向午后回暖：机构预估四季度DRAM合约价格环比上涨约20%，三星电子、SK海力士当日分别收涨5.67%、5.8%；半导体设备ETF（561980）则收跌0.93%，算力硬件内部分化。同日科创芯片设计ETF（589390）涨1.10%。工信部披露，截至9月底全国智能算力规模达2592 EFLOPS、同比增长146%，并将加快算力设施扩容提质。上述DRAM四季度价格上涨为机构预估，非已实现数据。
10月21日，荣耀在杭州发布新一代电竞手机WIN2和WIN RT2，新机首销价较上一代明显上涨：WIN2相同配置首销价分别上涨至5499元、6299元和6999元，较首代WIN系列分别增加1500元、1900元和2300元（荣耀通过国补等优惠将WIN2到手价压低至4999元起，WIN RT2国补后3149元起售）。类似变化也出现在一加和iQOO：一加16三个存储版本首销优惠价较一加15分别上涨1900元、2300元和2800元；iQOO16的12GB+256GB版本从iQOO15的4199元上涨至5999元，16GB+512GB版本从4999元上涨至7499元，涨幅分别为1800元和2500元。原文说明的原因是持续攀升的存储成本：Counterpoint Research数据显示，2026年第二季度智能手机存储器价格环比上涨超过80%，同时新一代旗舰芯片及其他硬件升级也在推高整机成本。
存储芯片价格上涨正在挤压智能手机制造商和消费者，推动第三季度智能手机出货量降至2012年以来同期最低水平，并加速市场退出入门级设备。品牌方采取涨价、削减低利润率机型和限制生产的措施，而消费者推迟换机以及对二手和翻新手机的兴趣进一步抑制需求。原文未说明存储芯片涨价的原因。
据2026年10月21日盘前早报，DDR5现货周涨25%，与存储原厂技术路线图窗口形成涨价共振。美光科技于当地时间10月21日上午8时举办技术网络研讨会，由总裁兼CTO主讲DRAM、HBM及NAND技术创新。原文未说明DDR5现货上涨的原因。
据TrendForce最新内存现货价格趋势报告（2026年10月21日发布），本周DRAM市场表现分化：DDR5供应持续紧张，供应商明显不愿出货，即便部分买家愿意提高目标价仍无法获得配给，询价断断续续，未能引发追价动能；品牌DDR4芯片方面，下游模组厂严格控制资金与库存，限制实际订单释放，交易情绪低迷。主流芯片（即DDR4 1Gx8 3200MT/s）平均现货价本周（10月20日）上涨0.84%至46.357美元。NAND闪存方面，因最大买家模组厂需求疲弱且库存持续高企，现货交易量低迷；卖家认为降价未必能有效刺激需求，降价意愿有限，现货价格窄幅波动。512Gb TLC晶圆现货价本周（10月19日）下跌1.28%，平均报价为18.592美元。
韩国综合股价指数（KOSPI）持续下跌：10月20日收报5552.74点，下跌3.73%，结束此前两个交易日的小幅回升，为自4月7日以来最低收盘点位，较6月创下的历史高点已回落约40%；仅10月上半月累计下跌17.11%，为全球主要股指中最大跌幅。周二，SK海力士跌4.23%，三星电子跌2.98%。据原文，外资周二净卖出超5000亿韩元，本土机构（含养老金）同步卖出，散户为主要接盘方。原文给出的下跌原因包括：外资撤离、上市公司回购明显放缓（自8月下旬以来回购是托市主要力量，但三星电子已完成回购计划、SK海力士回购接近尾声）、美国长期国债利率走高以及市场担心AI领域投资过热；原文未说明其他原因。摩根大通数据显示，即便剔除三星电子和SK海力士两大存储芯片巨头，KOSPI远期市盈率也仅为8.4倍，低于近九成历史时间；与此同时，市场对三星电子和SK海力士未来盈利的预期在10月持续上调。摩根大通还指出，CTA等量化基金在最新一轮暴跌后可能已转为押注下跌，跟踪韩股的杠杆型基金规模依然很高，其被动卖出压力消化前市场仍可能再遭抛售。原文称费城半导体指数（SOX）已初现企稳迹象而韩股仍在下跌，两者走势分化，并提示若KOSPI守不住关键点位，美国芯片股的反弹可能受阻。
TrendForce转发消息称，尽管存在对中国竞争和AI支出的担忧，机构投资者仍看好存储行业。据预测，4Q26 DRAM合约价格预计环比上涨约20%，但涨幅可能正在放缓；来源提及AI需求和供应紧张（AI Demand, Tight Supply）为相关背景。该数据为预测而非已实现结果。
快科技10月20日消息，继nova 16、Mate 80系列之后，华为又一款在售主流机型官宣上调售价，这是这一轮存储涨价潮里华为第三波集中调价。华为官方商城显示，畅享90 Plus售价较首发定价统一上涨300元，两个存储版本同步上浮：128GB版本从1499元调整到1799元，256GB版本从首发价1799元涨到2099元，涨幅均为300元。此前畅享90 Pro Max已于10月7日完成调价，目前售价区间1899元至2599元，整体上涨约200元；定位最入门的畅享90标准版暂未调价，仍维持1299元至1599元首发区间。华为自10月9日零点起上调nova16系列全机型售价，nova16与nova16 Pro零售价统一上调400元，nova16 SE上调200元。上月华为对Mate 80系列集中调价，Mate 80基础款上涨800元，Mate 80 Pro和Pro Max均上涨1000元，畅享90 Pro Max同步上调200元。余承东此前受访时公开表示，当前内存组件价格急剧上涨，每台手机成本额外增加已超过200美元，压力远超行业此前预判；由于华为全系列手机内存配置规格普遍高于同价位竞品，受上游元器件成本上涨冲击更明显。他称存储涨价带来的成本压力是整个手机行业共同面对的挑战，已有不少厂商陆续上调在售产品售价。此前华为在价格上相对克制、自行消化成本，长期自行消化导致终端业务整体利润率明显下滑，扛了大半年成本压力后才启动分批次调价。
快科技10月20日消息，受内存、存储等核心元器件成本持续上涨影响，华为商城显示华为畅享90 Plus全版本统一上涨300元，起售价从1499元上调至1799元。今年以来华为、小米、荣耀等多家手机厂商陆续上调部分在售机型售价，涨价潮已从高端旗舰蔓延至千元机市场。该机于今年3月发布，提供128GB、256GB两种存储版本，首发售价分别为1499元、1799元；搭载麒麟8000芯片，预装HarmonyOS 6操作系统。原文指出，随着上游元器件成本压力持续向终端市场传导，手机厂商定价策略正在发生变化。
10月19日，A股存储器板块走势分化：国产DRAM（内存）龙头长鑫科技股价收跌7.77%，创下其上市以来单日第二大跌幅；而大普微、德明利、佰维存储等行业细分龙头股价回升，扭转此前普遍跌势。同日，多家行业上市公司发布回购计划。业内人士表示，当前资金对存储龙头溢价提出更苛刻的要求，板块定价逻辑从价格普涨预期转向业绩验证。（来源：证券时报）
据Commercial Times报道，尽管涨幅放缓，机构投资者对存储行业长期前景保持乐观，受AI推理需求扩大及成熟存储产品新供给有限的支撑；2026年第四季度DRAM合约价格预计环比上涨约20%。该预计涨幅较第二季度的约80%和第三季度的约40%有所放缓，原因（据报告所述）为比较基数抬高、终端市场购买力减弱以及长期协议（LTA）下的价格上限逐渐生效。CXMT公布其下一代4F² DRAM架构取得进展，机构投资者指出该架构理论上可比主流6F²设计将存储单元面积缩小约33%，但量产仍面临良率、漏电流和数据保持方面的挑战，且该设计适用于整个DRAM单元还是仅特定区域尚不明确，全面商业化普遍预计在2028年之后；MoneyToday指出CXMT的公告尚未显著影响持续上涨的DRAM现货价格。另据Chosun Biz报道，苹果、特斯拉等公司提出在存储成本上升时转向CXMT、YMMT等中国供应商的可能性，但分析师认为鉴于中国供应商在价格竞争力、可用数量和销售市场方面的限制，短期价格压力有限。据Commercial Times，若NVIDIA将Rubin Ultra从12-Hi HBM切换为8-Hi HBM（同时保持每GPU堆栈数量和每DRAM层容量不变），每GPU的HBM容量将下降约33%，而相同的DRAM晶粒供应理论上可多支持50%的GPU；TrendForce指出8-Hi HBM在2027年每Gb成本预计比12-Hi高10–20%。机构投资者认为更大AI模型、更长上下文窗口和增长的KV cache需求正推动对服务器DRAM和企业级SSD的容量与带宽需求。
美国与亚洲AI相关资产同步走弱：费城半导体指数（SOX）连续8个交易日下跌，创2008年以来最长连跌纪录，单周跌幅达11.5%，为十多年来最大的单周跌幅之一；韩国KOSPI指数因存储产业链集中度较高、杠杆ETF交易活跃、融资余额高企且空头仓位有限，成为本轮调整的震中，韩国自7月中旬限制杠杆ETF后，KOSPI于10月15日再度熔断。AI云计算基础设施企业CoreWeave股债同步承压，股价单周重挫25%，垃圾级债券收益率升至15%附近，5年期CDS所反映的违约风险显著上升，隐含违约概率超过60%；AI相关高收益债券利差亦较整体高收益债券指数的利差明显走阔。据原文，本轮调整更多源于拥挤仓位集中平仓与信贷市场避险情绪的共振：此前AI交易过度拥挤、主经纪商账簿净敞口处于历史极高水平，加之美国CPI强劲重燃利率担忧、极度超买的技术面触发机械性去杠杆；市场对债务融资建设AI基础设施的信用压力担忧升温，并重新聚焦2027-2028年的资本开支融资问题。原文同时明确，此次回调并非由订单削减或指引走弱所触发，韩国存储芯片盈利及远期EPS预期仍有支撑，半导体远期盈利预测也未同步大幅下修，重估核心是对供给侧利润率可持续性、存储稀缺性溢价及长期竞争格局的重新定价。
快科技10月19日报道，日本存储芯片巨头铠侠控股的市值已从今年6月约60万亿日元（约合人民币2.54万亿）的峰值跌至10月中旬约21万亿日元（约合人民币8876亿），蒸发约六成半。据高盛统计，10月1日至15日期间三星电子股价下跌20%，SK海力士下跌25%，美光科技下跌11%，闪迪下跌11%，铠侠下跌26%，六家主要存储厂商合计市值蒸发约7380亿美元；铠侠跌幅最深，因其业务高度集中于NAND闪存，且企业级服务器市场出货占比超过三成。文章给出的原因：一方面利率上升威胁AI数据中心的商业模式，另一方面以长江存储、长鑫存储为代表的国产芯片快速追赶，动摇海外巨头的定价权与市场份额。据Counterpoint Research数据，2026年第二季度长江存储NAND出货量份额约16.5%，首次超越铠侠与美光跃居全球第三，仅次于三星和SK海力士；若剔除SK海力士旗下Solidigm则升至全球第二；2025年第一季度至2026年第一季度长江存储全球NAND营收份额从9%升至14%。据TrendForce数据，长鑫存储2026年第二季度DRAM营收达146.24亿美元，环比增长99.3%，全球市占率从7.6%升至9.5%，同期全球DRAM产业整体环比增长59.5%。技术路线方面：长江存储基于自研Xtacking架构已实现267层3D NAND量产，并计划于2026年下半年启动超300层产品X5-9080的量产；长鑫存储计划年底前供应采用4F²架构的DDR5服务器内存（以上量产计划均为规划状态）。
存储厂商长鑫科技（688825.SH）发布三季度业绩预告后，10月19日早盘股价大跌，截至上午10点40分跌6.31%，市值蒸发1927亿元，总市值降至2.87万亿元，回落至3万亿元以下，在A股市值排行榜从第一名滑落至第三名。长鑫科技10月16日晚间发布前三季度业绩预告：预计前三季度营收2650亿元至2700亿元，同比增长726%~741.5%，净利润1310亿元至1325亿元，同比扭亏为盈；据此计算第三季度营收1146.9亿元~1196.9亿元，同比增长589%~619%，净利润533.95亿元~548.95亿元，营收环比增长15.25%~20.3%，净利润环比增长1.04%~3.88%，相比第二季度营收环比增长95.9%、净利润环比增长113.4%，环比增速有所放缓。原文未说明环比增速放缓的详细原因，公司称2025年下半年以来AI算力需求快速增长、前三季度产能利用率保持高位。公司同日（10月16日晚间）公告董事长朱一明提议以自有或自筹资金回购股份，回购资金总额不低于10亿元、不超过20亿元，信息披露似乎未明显提振投资者信心。背景方面：江波龙披露第三季度扣非净利润环比下降22%~38%，称DRAM和NAND闪存价格涨幅较前期明显收窄；TrendForce预计第三季度一般型DRAM价格环比增长13%~18%，第四季度环比增速进一步缩减至10%~15%；三星电子第三季度营业利润突破百万亿韩元，销售额和营业利润均创单季新高，但同比增幅已收窄。
根据Gartner 2026年10月报告，2026年第三季度PC出货量为5540万台，同比下降22.4%。原因是内存和存储成本上升，DRAM成本较去年同期增长五倍，PC厂商将更高的部件成本转嫁给客户，导致PC出货量大幅下降。出货量已降至早2023年水平，下降主要由更高价格、厂商对稀缺部件的重新优先配置以及向高价配置转移驱动，导致低价设备供应减少，消费者更换购买力下降，企业则将支出转向工作站和AI PC等有针对性的投资。全球前六大PC厂商均出现出货量下降：联想下降22.4%，惠普下降30.9%，戴尔下降25.4%，苹果下降7.1%，华硕下降13.0%，宏碁下降11.2%，其他厂商下降25.6%。苹果市场份额提升1.7个百分点。
据博板堂爆料，快科技10月19日消息：戴尔显示器近日已在内部发布通知，将于2026年10月正式启动出货价上调，涨幅约为3%至5%，主要涉及中高端机型，部分高端旗舰型号涨幅可能突破5%，而入门级新品被明确排除在本轮涨价之外。此前的7月份戴尔曾经历一轮成本上涨，当时公司选择内部吸收，未将压力传导至渠道和消费者；进入10月后，持续的成本压力促使戴尔启动新一轮出货价调整。行业背景方面，存储芯片、面板驱动IC及部分被动元件价格持续走高，正向显示终端传导成本压力，原文未说明具体成本上涨的原因。行业媒体分析，出货价上调并不等同于零售价立即同步上涨，分销商和零售商可能吸收部分差价，终端零售价调整存在滞后性。若成本继续上行，不排除戴尔未来启动新一轮涨价；截至目前，戴尔官方尚未公开确认此次涨价。