三星存储ASP涨40-60%，HBM4供不应求
三星Q2 2026营收创纪录，存储业务营收环比大增56%，DRAM和NAND ASP分别上涨40%和60%。受益于AI服务器需求激增及供应短缺，HBM4芯片出货量创历史新高，服务器收入占比达峰值。
利多
存储芯片价格持续飙升，供需紧张格局未改，HBM4产能扩张预期强烈。
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三星Q2 2026营收创纪录，存储业务营收环比大增56%，DRAM和NAND ASP分别上涨40%和60%。受益于AI服务器需求激增及供应短缺，HBM4芯片出货量创历史新高，服务器收入占比达峰值。
存储芯片价格持续飙升，供需紧张格局未改，HBM4产能扩张预期强烈。
三星DS部门Q1利润率高达65.7%，DRAM和NAND价格季度涨幅近90%。SK海力士利润率更高达72%，但三星凭借存储业务主导地位贡献了93.8%的总利润。
存储芯片价格暴涨推动三星创纪录盈利，挤压非存储业务利润空间。
SK海力士Q1利润率创纪录达72%，券商预计三星电子存储利润率在71.9%至77%之间。
受AI需求推动，DRAM和NAND价格飙升，三星凭借更大产能优势，通用存储利润率有望超HBM。
三星电子自2026年初起将HBM4逻辑芯片价格上调40-50%，其4nm产线已满载。涨价由AI需求激增驱动，台积电亦宣布2026年对5/4nm及以下节点全面提价。
两大晶圆厂对先进制程的直接大幅提价，确认了供应紧张和强劲的定价权，相关芯片采购成本将显著上升。
华硕宣布Q2全线产品涨价25-30%，主因是DRAM与SSD成本飙升及CPU短缺。此消息证实了上游存储与处理器供应紧张，利多相关芯片供应商。
三星电子因DRAM、NAND闪存及AP成本飙升，在韩国停售上市仅三个月的Galaxy Z Tri-Fold折叠屏手机。内存成本占智能手机BOM比例已从10-15%飙升至30-40%，导致三星MX部门营业利润预计同比暴跌超60%，并启动紧急成本削减。
内存价格暴涨正直接侵蚀终端厂商利润并抑制需求，可能加速库存去化并支撑上游芯片价格。
恩智浦宣布自2026年4月1日起上调部分产品价格，德州仪器与英飞凌亦将同期提价，幅度最高达85%及5-15%。本轮调价由原材料、能源、物流及人力成本持续上涨驱动。
三大IDM同步提价，显示成熟制程芯片成本压力明确传导至定价，市场议价权向供应商倾斜。
三星半导体部门向苹果的LPDDR5X报价涨幅达100%并被接受，确立高价基准。内存供应紧张迫使三星手机部门在S26初期量产中采用50%美光芯片，且双方后续均计划大幅提价。
移动DRAM价格面临明确且剧烈的上行压力，供应紧张与高价基准已被市场接受。
魅族手机业务已停止运营，预计2026年3月正式退出市场，其CMO确认内存价格飙升导致魅族22 Air发布计划取消。公司自2024年底寻求买家未果，已无法向供应商付款，大量债务已成坏账。
一个主要OEM的退出直接削减了DRAM/NAND的采购需求，突显高价内存正在淘汰弱势厂商，可能缓解部分供应压力。
苹果已接受三星LPDDR5X内存100%的提价，NAND报价据报翻倍，合约周期从半年缩短至季度。此举源于供应可见性收紧，主要供应商谈判立场强硬。
确认的巨额涨价及供应商议价能力增强，预示内存合约价将持续承压上行。
三星电子存储器业务与美光将各自供应首批Galaxy S26系列约50%的LPDDR5X内存，改变了美光独供S25系列首发的格局。向三星移动部门的初期报价已显著提升，但仍低于供给苹果等其他手机品牌的价格。
高端移动DRAM需求坚挺，供应商议价能力增强，后续交易存在明确涨价空间。
宏碁日本宣布自2026年2月20日起上调笔记本电脑和台式机官方售价。此次调价主因内存与SSD等关键零部件采购成本持续上涨，供应链自2025年11月以来极度紧张。
OEM厂商将成本压力传导至终端，证实上游存储芯片供应短缺与价格涨势持续。
已经到底了
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |