中国发改委点名WF₆、硅片及金属材料价格上涨为存储芯片涨价提供成本支撑。WF₆是DRAM与3D NAND制造中CVD工艺的关键前驱体气体。利多：核心原材料成本持续攀升，直接推高存储芯片制造成本，为现货价格提供上行支撑。

群联电子报告NAND闪存现货价一夜暴涨50%，主因超大规模数据中心及云服务商需求激增。尽管其库存从356亿新台币增至500亿新台币，CEO仍担忧资金与库存不足及价格崩盘风险。利多：现货市场出现极端价格波动，直接反映供应紧张，但需警惕高位回调风险。

美股西部数据、闪迪、美光及希捷盘初股价集体上涨，涨幅介于2%至4%。此次上涨反映了市场对存储板块的积极情绪。利多：主要存储厂商股价异动，预示现货市场NAND Flash及HDD价格可能获得短期支撑。

TrendForce预计2026年主流笔记本价格将涨近40%。受DRAM与NAND Flash供应紧张及CPU涨价双重因素驱动。利多，品牌商为保利润率将被迫上调终端售价。

群联CEO证实NAND原厂报价一夜跳涨50%，反映供应端极度吃紧。公司库存水位升至500亿新台币，其中仅3%为零售产品，业务正转向企业级并签订长期协议。利多：原厂报价突发性暴涨是供应严重短缺的直接信号，将立即推高现货市场价格。

闪迪股价盘中涨幅扩大至6%，西部数据涨超2%，美光科技跌幅收窄至0.1%。美股存储板块整体走强，反映市场对NAND Flash供需格局的乐观预期。利多：关键存储股价格异动直接指向交易层面对NAND短期价格与需求的看涨情绪。

存储芯片价格疯狂上涨，导致智能手机厂商面临大幅上调在售及新品售价的压力。成本压力源于内存市场供应紧张，可能进一步拉长消费者换机周期。利多：高端手机需求维持高位叠加存储芯片涨价，预示NAND Flash与DRAM供应持续紧张，价格存在上行压力。

DDR5现货价周涨8%，NAND Flash合约价Q1涨5-10%，主因AI服务器需求及原厂减产。三星、SK海力士、美光优先保障HBM等高利润产品，挤压标准品产能。利多：现货与合约价双涨，直接推高存储芯片采购成本。

小米高管王腾及卢伟冰预计，内存芯片价格将在二季度继续上涨，本轮涨价周期将延续至2027年底至2028年。涨价主因是AI需求暴涨导致存储芯片严重不足，且新产能建设需2-3年。利多：行业核心参与者确认了内存价格持续上涨的明确路径与时长，对现货交易构成直接看涨信号。

美银报告指出DRAM与NAND需求远超供给，行业营业利润率预计分别超60%与30%。韩国2月半导体出口同比增161%，南亚科技销售额同比飙升587%，主要受DDR4/DDR5价格大涨及产品结构优化驱动。利多：现货价格持续强势（DDR5周环比稳定，NAND周涨超10%），新合同价格上调预示3月销售与利润率将进一步攀升。

三星电子计划在第二季度再次上调主要NAND产品供应价格，幅度预计与第一季度相近（约100%）。涨价主因是AI数据中心需求增长，以及三星与SK海力士将产能转向HBM导致NAND供应收紧。利多：明确的、量化的连续涨价计划，预示NAND现货价格短期内将持续上行。

三星电子计划第二季度将主要NAND闪存供货价格涨幅设定在与第一季度相近的水平，预计较去年底累计上涨约两倍。此轮涨价由AI需求激增与上游厂商减产共同驱动，导致市场供不应求。利多：明确的、量化的涨价计划将直接推高PC、手机等终端产品的存储组件成本。

三星计划在2026年第二季度将NAND闪存合约价上调100%，全年累计涨幅或超200%。此轮涨价主因AI需求扩张及供应商在DRAM与NAND产能上的博弈。利多：明确的涨价计划与幅度将直接推高SSD及整机成本，削弱PC等传统客户议价能力。

三星电子计划将Q2 NAND价格上调100%，与一季度持平。AI需求爆发及厂商削减NAND产能转向HBM，导致供需失衡加剧。利多。行业龙头提价将带动SK海力士、铠侠等跟进，价格强势周期延续。

vivo X300 Pro 全系新增北斗卫星通信版，顶配 16GB+1TB 售价 7299 元，全系涨幅约 500 元。受存储成本上涨影响，OPPO 在售机型也将于本月涨价。利多 NAND Flash 需求与价格。

2026年2月，1Tb TLC NAND闪存晶圆现货价格暴涨25%至25美元，DDR5 16Gb芯片均价亦环比上涨7.4%。AI基础设施需求导致产能优先分配至高利润服务器内存，消费级NAND及常规DRAM供应严重不足。利多：现货与合约价预测均大幅上修，供应结构性压力持续。

2月NAND闪存晶圆现货价飙升25%，1Tb TLC型号达25美元；DRAM现货价亦普涨，DDR5 16Gb均价升至39美元。北美AI基础设施需求抢占产能，导致消费级存储供应严重不足，TrendForce已将Q1 DRAM合约价涨幅预测上调至90-95%。利多：现货与合约价格同步大幅跳涨，供应结构性短缺明确，采购压力加剧。

2026年2月NAND闪存晶圆现货价环比飙升25%，1Tb TLC达25美元；DDR5 16G芯片均价涨7.4%至39美元。价格上涨核心动力来自AI基建吸收服务器DRAM/HBM产能，以及存储厂商将更多NAND产能转向企业级SSD。利多：现货价格持续快速上行，TrendForce已将Q1 DRAM合约价涨幅预期上调至90-95%，供应趋紧态势明确。

2026年2月现货市场1Tb TLC NAND晶圆价格环比暴涨25%至25美元，DDR5 16G芯片上涨7.4%至39美元。TrendForce将Q1 DRAM合约价涨幅预期从55-60%上调至90-95%，主因AI数据中心需求远超供给。利多：现货与合约价双重强劲上涨，预示存储芯片价格将持续承压上行。