美媒关注长鑫技术突破：为何它能让全球存储巨头集体下挫
2026年10月14日，CNBC报道称长鑫存储的技术突破导致全球存储巨头股票集体大跌。美光股价下跌3.62%，韩国上市的SK海力士股价收跌10%，三星电子下跌7.4%，其他存储芯片相关股票如闪迪、希捷和西部数据也纷纷走低。长鑫存储宣布新型DRAM架构4F²取得进展，预计年底推出新一代DDR5 RDIMM产品。事件为观察到的股价下跌。
- 相关厂商
- 美光、SK海力士、三星电子、闪迪、希捷、西部数据
- 影响评分
- 98 / 100，高影响
2026年10月14日，CNBC报道称长鑫存储的技术突破导致全球存储巨头股票集体大跌。美光股价下跌3.62%，韩国上市的SK海力士股价收跌10%，三星电子下跌7.4%，其他存储芯片相关股票如闪迪、希捷和西部数据也纷纷走低。长鑫存储宣布新型DRAM架构4F²取得进展，预计年底推出新一代DDR5 RDIMM产品。事件为观察到的股价下跌。
CanSemi 在 ChiNext 首日（10月13日）以 IPO 价格 12.01 元人民币每股发行，开盘股价涨至 45 元人民币，涨幅 274.69%，募资约 75 亿元人民币。
存储板块经历多重压力叠加的集中抛售：美光周一收跌3.88%，闪迪跌幅更深至5.97%，两只标杆股连续七个交易日中六个交易日下跌，美光距6月高点跌幅接近20%，濒临技术性熊市。原文将导火索归结为三重冲击：一是韩国市场在韩文日假期休市后补跌，KOSPI周一大跌3.65%收于6384.2点，紧贴200日均线支撑位6376点，KOSDAQ跌4.8%，KRXSEMI下挫5.2%，SK海力士与三星各跌约4.5%；外资连续第五日净卖出，科技板块单日净卖出规模达13亿美元，其中SK海力士遭抛售7.82亿美元、三星遭抛售4.15亿美元，散户在三星净买入7.1亿美元但呈下降趋势。二是三星与SK海力士合计约55万亿韩元（约400亿美元）的韩国史上最大回购计划已提前数周结束，三星回购于10月6日实际终止；回购结束后三个交易日KOSPI累计下跌约8%，KOSPI较6月22日历史高点下跌约30%，SK海力士跌幅达45%。三是长鑫科技总裁曹堪宇在10月9日至10日上海举行的第四届集成芯片和芯粒大会上宣布4F²架构研发取得关键进展，并预计年底推出融合4F²架构、混合键合等先进技术的新一代DDR5 RDIMM产品，面向服务器内存市场；4F²使单元面积缩减约三分之一，理论上可实现约50%的存储密度提升；SK海力士直至2025年才公布4F²路线图，三星目标是2028年实现基于该架构的10nm以下DRAM量产，若长鑫年底如期交付，将在单元架构层面领先韩国两大巨头约两年。基本面上，南亚科技三季度营收达新台币1336亿元，环比增长62%、同比暴增612%，毛利率85.7%环比提升6.2个百分点，营业利润率80%，混合平均售价环比涨幅超60%，管理层预计2027年合同价格仍可实现两位数涨幅；三星三季度营业利润近九倍增长。高盛Prime Book数据显示上周美国信息技术板块转为净卖出最多的板块，且是七周内卖出速度最快的一次。后续关注点：三星将于10月29日举行财报电话会议，ASML向韩国客户上调备件价格约10%将于2027年1月生效，台积电周四、ASML周三公布业绩。
PSMC Q2营收环比增27%至172.9亿新台币，DRAM代工价格7月上调45%。受益于AI算力需求激增及存储价格飙升，公司毛利率扩张至28%。
硅电容获Intel认证，2027年12吋产能目标破1万片，且与美光合作HBM及先进制程量产在即。
Omdia报告显示2026年Q1存储器营收几乎翻倍，NAND平均售价环比大涨95%。AI需求强劲及供应受限是主要推手。
预计Q2将继续保持强劲增长势头。
UMC CFO刘志诚宣布2H26起对新增订单实施约10%的晶圆涨价，2027年幅度可能更大。受原材料成本上升及新加坡扩产成本高于台湾等因素驱动，且台积电3nm涨价传闻已现。
晶圆代工价格趋势转强，供需结构改善预期增强。
飞凯材料预计光纤涂料价格将上涨，并计划于一年后形成新产能投放市场。公司指出当前产线利用率较高，将结合上游原材料成本与市场竞争情况调整价格。
价格上涨预期叠加产能扩充计划，利好公司营收与利润空间。
Raspberry Pi因内存成本飙升在四个月内三次上调价格，16GB Pi 5型号涨幅达$185。此前该型号售价$120，12月涨至$145，2月再涨至$205，最终定在$305。
持续的成本压力表明供应链紧张，可能引发下游库存去化。
PSMC核心业务Q1转盈，代工价回升，营收增势延至6月。受益于美光收购P5厂及HBM合作，高阶产能利用率提升。
代工涨价周期确立，HBM供应链整合带来长期溢价。
Raspberry Pi宣布对多款产品涨价，16GB Pi 5涨幅达100美元至305美元。受内存价格飙升影响，该公司在四个月内三次上调价格，但旧款机型因持有LPDDR2库存未受影响。
DRAM需求，且表明上游存储成本压力正传导至终端消费级芯片市场。
TrendForce预计2026年第二季度DRAM合约价将环比上涨58-63%，NAND Flash价格将环比上涨70-75%。本轮涨价由AI/数据中心需求驱动，供应商将产能优先分配给HBM、服务器DRAM及企业级SSD等高利润产品，导致PC等传统应用供应受限。
AI需求重塑供应结构，核心存储芯片价格获明确上涨动能。
台积电与三星代工计划上调5/4nm及以下节点价格，行业收入预计增长24.8%。AI芯片需求推动先进工艺产能利用率满载，订单可见性延伸至2027年。
涨价与供应限制将推高代工价格。
TrendForce预计Q1 NAND闪存价格将环比暴涨85-90%。主要增长动力来自北美云服务提供商大规模部署AI服务器带来的企业级SSD需求。
价格涨幅明确，需求端驱动强劲，对NAND现货交易构成直接看涨信号。
年初至今，多家芯片龙头企业对MCU、功率器件等产品提价10%-80%。调价主因是上游原材料及关键贵金属价格大幅上涨，供需失衡进一步助推。
明确且广泛的提价行为，表明元器件成本上行压力将持续。
联想与宏碁因存储芯片成本飙升50%-100%，将于2026年3月初对部分商用及消费PC产品提价。惠普预计内存/存储占PC物料成本比例将从15-18%升至约35%，短缺或持续至2027年。
终端厂商明确提价动作及BOM占比翻倍，直接印证内存芯片现货价格持续上涨压力。
上证科创板人工智能指数日内下跌3.03%，成分股星环科技-U领跌14.09%，科创人工智能ETF(589520)同步下跌3.0%。CPO技术因高带宽、低功耗优势被视为满足AI算力爆发的关键方案，产业化进程或提前至2027年前。
AI主题指数及成分股出现显著日内跌幅，反映市场短期情绪转弱，交易员需警惕相关半导体标的波动风险。
智谱AI宣布GLM-5模型海外订阅价上调30%-60%，API费用上涨67%-100%，为2026年国内大模型首次大幅提价。涨价主因是用户量和调用量激增导致高负载，以及算力与技术投入成本持续攀升。
AI算力需求强劲且成本刚性，利好上游AI加速芯片、HBM及高端GPU的定价与需求。
已经到底了