存储器、先进铜箔、玻纤布及ABF载板等元器件价格持续上涨，美国ICT通胀影响有限
存储器、先进铜箔、玻纤布及ABF载板等电子元器件价格因供应紧张、厂商转嫁成本而持续上涨一段时间。对于美国而言，即使苹果提高其核心产品的零售价格，对消费者物价指数（CPI）的影响也有限，供应侧冲击的严重程度低于预期。原文未说明具体涨价幅度。
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存储器、先进铜箔、玻纤布及ABF载板等电子元器件价格因供应紧张、厂商转嫁成本而持续上涨一段时间。对于美国而言，即使苹果提高其核心产品的零售价格，对消费者物价指数（CPI）的影响也有限，供应侧冲击的严重程度低于预期。原文未说明具体涨价幅度。
PSMC Q2营收环比增27%至172.9亿新台币，DRAM代工价格7月上调45%。受益于AI算力需求激增及存储价格飙升，公司毛利率扩张至28%。
硅电容获Intel认证，2027年12吋产能目标破1万片，且与美光合作HBM及先进制程量产在即。
韩国海关数据显示，3月CCL进口均价达2.07万美元/吨，同比大涨74.5%。Kingboard、Resonac及三菱瓦斯化学等厂商已实施多轮涨价，部分产品涨幅超30%。
AI需求激增导致供需失衡，推动CCL价格持续上行。
2英寸光通信级磷化铟衬底急单现货价突破3000美元，6英寸高端衬底涨幅超250%。AI爆发拉动800G/1.6T光模块需求，而全球产能仅占需求30%，缺口超70%。
磷化铟衬底及光芯片企业。
联电计划于2026年下半年调整晶圆价格，此前报道称涨幅约10%或于7月生效，主因需求强劲及成本上升。台积电与三星正削减8英寸产能，导致供应趋紧，世界先进已于4月提价约10%。
成熟制程代工服务面临直接涨价压力，多家供应商确认提价表明供应紧张将持续。
三星电子自2026年初起将HBM4逻辑芯片价格上调40-50%，其4nm产线已满载。涨价由AI需求激增驱动，台积电亦宣布2026年对5/4nm及以下节点全面提价。
两大晶圆厂对先进制程的直接大幅提价，确认了供应紧张和强劲的定价权，相关芯片采购成本将显著上升。
Raspberry Pi宣布对多款产品涨价，16GB Pi 5涨幅达100美元至305美元。受内存价格飙升影响，该公司在四个月内三次上调价格，但旧款机型因持有LPDDR2库存未受影响。
DRAM需求，且表明上游存储成本压力正传导至终端消费级芯片市场。
三星电机已上调其ABF载板价格，主因AI服务器与高性能计算需求激增。此举反映了结构性供不应求及原材料成本上涨。
制造商直接提价，对ABF载板现货成本构成直接上行压力，并预示下游先进封装可能面临供应紧张。
三星电机已上调高端FC-BGA基板价格，以应对AI服务器与高性能计算需求激增导致的供应短缺。此次涨价由需求持续超过供给驱动。
此举确认了关键AI/HPC封装组件的供应紧张与价格上涨压力。
MGC跟随Resonac将覆铜板价格上调30%，主因英伟达与苹果需求加剧了IC基板用高端玻璃纤维布的短缺。材料短缺迫使供应商向下游传导成本，挤压自身利润。
关键基板材料的直接、量化涨价，预示下游元件成本将持续承压。
日本材料巨头Resonac自3月1日起将CCL及粘合胶片价格上调30%。涨价由AI强劲需求驱动，预计将传导至HDI板、IC载板及高频高速PCB等高端制造环节。
明确的、大幅度的直接涨价，且传导路径清晰。
中国市场G.652.D单模光纤1月均价超40元/芯公里，创七年新高，部分报价达50元。英诺赛科氮化镓功率芯片完成谷歌AI硬件平台设计导入，切入数据中心电源供应链。
光纤价格飙升与氮化镓设计导入反映光通信与AI服务器电源需求强劲，支撑相关组件价格预期。
中国制造商大幅提升产能，导致2024年主流6英寸碳化硅衬底价格崩盘，8英寸价格亦大幅下跌。此前碳化硅衬底市场曾因短缺而维持高价。
产能急剧扩张造成明确供应过剩，对碳化硅衬底各尺寸产品价格构成下行压力。
已经到底了
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |