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MOSFET IGBT核心器件涨幅达10%-25%

全球功率半导体企业自2026年以来密集发布涨价函，MOSFET与IGBT核心器件涨幅普遍达10%-25%。本轮涨价源于AI算力基础设施爆发、新能源高景气及8英寸成熟制程产能收缩三重因素共振。