Wolfspeed起诉Navitas，拟禁售GaN/SiC产品
Wolfspeed起诉Navitas侵犯GaN和SiC专利，寻求美国法院下达永久禁令。Wolfspeed拥有深厚专利壁垒，而Navitas采用轻资产模式在快充和汽车SiC市场扩张，双方在功率半导体领域竞争加剧。
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若禁令生效，Navitas在美国市场的产品供应将面临重大风险。
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Wolfspeed起诉Navitas侵犯GaN和SiC专利，寻求美国法院下达永久禁令。Wolfspeed拥有深厚专利壁垒，而Navitas采用轻资产模式在快充和汽车SiC市场扩张，双方在功率半导体领域竞争加剧。
若禁令生效，Navitas在美国市场的产品供应将面临重大风险。
美国ITC确认英诺赛科侵犯英飞凌专利，正式禁止GaN产品进口及销售。此前德国法院已多次判决英诺赛科败诉，此次禁令进一步收紧其全球供应。
英飞凌GaN业务，利空英诺赛科美国市场出货。
慕尼黑地方法院7月3日裁定英诺赛科侵犯英飞凌GaN专利，禁止其在德国销售。这是英飞凌赢得的第四起相关裁决，加剧了上海GaN市场的竞争。
禁令限制了供应，预计将推高GaN价格。
苹果正游说美国政府批准购买中国CXMT的内存芯片以降低成本。尽管CXMT被列入1260H清单，但苹果希望利用其比美光、三星、SK海力士更低的定价优势。
美光与SK海力士DRAM价格，因潜在供应多元化将加剧市场竞争。
慕尼黑地方法院裁定英飞凌胜诉，禁止英诺赛科在德国制造及销售侵权GaN产品。这是英诺赛科在德美系列专利诉讼中的第三、四次败诉。
英飞凌GaN业务，利空英诺赛科德国市场准入。
慕尼黑地方法院裁定Innoscience当前GaN功率器件不侵犯Infineon德国专利。该裁决与上月美国ITC判决一致，仅针对已停产的旧款产品。
确认Innoscience核心产品全球市场准入无虞，供应风险解除。
TrendForce指出，中国“大基金”及地方政府的第三代半导体补贴规模远超韩国的49.4亿美元R&D计划。在AI数据中心对功率半导体需求激增的背景下，中国供应商在SiC和GaN技术上取得进展，挑战了现有IDM。
大规模政府补贴可能引发产能扩张和价格竞争，迫使新进入者寻求下一代技术。
中国最高法院裁定英飞凌侵犯专利，禁止其在华销售GaN芯片。双方均为英伟达800V AI电源供应商，此前在美欧中多地展开专利诉讼。
中国GaN市场供应格局重塑，英飞凌面临断供风险，价格看涨。
韩国政府投入5000亿韩元（3.29亿美元）用于SiC和GaN功率半导体的研发与量产。此举旨在解决对海外供应商的依赖，并利用AI数据中心和能源需求增长。
政策支持将加速本土产能建设，改变未来供应链格局。
福建省发布“十五五”光电产业集群行动方案，明确支持Micro LED及高世代显示设备国产化。该政策旨在提升核心装备自主保障能力。
国内Micro LED设备与化合物半导体材料厂商。
美国国际贸易委员会裁定Innoscience侵犯英飞凌GaN专利，并下令禁止其产品在美国进口和销售。该裁决面临60天总统审查期，且Infineon在慕尼黑法院的诉讼中亦占据优势。
英飞凌GaN市场份额，利空Innoscience美国业务，GaN供应趋紧。
英飞凌胜诉美国ITC，裁定Innoscience侵犯GaN专利。美国国际贸易委员会维持初步裁决，可能限制Innoscience产品出口。
Innoscience，利多英飞凌GaN市场份额。
Innoscience获美国ITC终裁，确认其当前GaN器件不侵犯Infineon专利，美国出货不受限。裁决仅认定旧款产品侵权且已停产，不影响现有商业供应。
消除了进口禁令风险，保障了Innoscience GaN产品在美国及全球市场的供应连续性。
德国英飞凌确认美国ITC对中企英诺赛科GaN芯片下达进口及销售禁令。裁定英诺赛科侵犯英飞凌GaN专利，涉及8英寸硅基GaN功率芯片。
英诺赛科美国市场出货，禁令生效前尚有60天总统审查期。
Innoscience胜诉GaN专利诉讼，英飞凌无效请求被驳回。北京知识产权法院确认其8英寸硅衬底GaN核心技术专利有效。
知识产权纠纷将重塑GaN市场竞争格局。
13位中国半导体高管制定2030年实现80%自给自足计划。新规要求新建晶圆厂使用50%国产设备，且需建成7nm产线。
产能扩张计划将加剧市场竞争，导致价格承压。
格芯在美国国际贸易委员会和德州西区法院起诉高塔半导体，指控其侵犯11项工艺技术专利。诉讼涉及用于智能手机、汽车和通信的芯片制造技术，格芯要求禁止相关产品进口并索赔。
若ITC发布排除令，可能中断高塔半导体的产品供应，但其客户和供应链面临不确定性。
GlobalFoundries起诉Tower半导体侵犯11项专利，并寻求利润赔偿及进口禁令。此次法律战针对Tower在射频芯片和硅光子学等成熟节点的技术。
潜在进口禁令可能引发Tower供应链中断，需警惕其客户面临的产品供应风险。
深圳发布2026-2028年AI服务器计划，重点发展SiC、GaN及储能系统。该计划旨在打造零碳数据中心，利用光伏与储能实现源网荷储一体化。
政策驱动高压功率器件与储能需求长期增长。
日本政府计划将国内半导体产值从2020年的320亿美元提升至2040年的2500亿美元，并将控制机器的物理AI芯片作为优先领域。该战略涉及研发支持、工业用地获取及放宽用水等法规以吸引晶圆厂建设。
此为长期产能扩张政策信号，对当前现货交易无直接影响。