日本批准台积电在熊本第二座晶圆厂生产3纳米芯片的修订计划
日本经济产业省（METI）于10月16日批准台积电（TSMC）修改后的计划，在其位于九州岛熊本县的第二座晶圆厂生产3纳米逻辑芯片。3纳米是目前最先进的商用芯片制程之一。该计划取代了2024年2月获批的6纳米和12纳米生产计划。原文未说明投产时间及产量等细节。
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- Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. (TSMC)
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日本经济产业省（METI）于10月16日批准台积电（TSMC）修改后的计划，在其位于九州岛熊本县的第二座晶圆厂生产3纳米逻辑芯片。3纳米是目前最先进的商用芯片制程之一。该计划取代了2024年2月获批的6纳米和12纳米生产计划。原文未说明投产时间及产量等细节。
据路透社援引消息人士报道，SK海力士正寻求美国政府批准，通过其美国子公司Solidigm在大连NAND闪存工厂的未使用空间（2023年完工但因存储市场低迷而设备安装未完成的Mod B区域）加装额外设备以扩大在中国生产，作为在美国投资建厂的筹资条件，扩建业务将用于资助一座新的美国NAND制造工厂；Solidigm还考虑最早明年进行首次公开募股以筹集额外资金。但SK海力士对路透社表示，大连Mod B的设备安装是在与美国政府协商并获其授权下进行的，公司并非寻求扩大Mod B产能，Solidigm拒绝置评。背景方面：2025年9月，美国商务部撤销了允许SK海力士和三星在中国设施无需个别出口许可证即可获得美国芯片制造设备的特别授权，称将继续允许维持现有运营所需的设备出货，但不打算批准用于产能扩张或技术升级的出口；2025年12月，据韩联社报道，华盛顿为三星和SK海力士中国设施2026年的美国芯片制造设备出货授予年度批准，但据路透社报道，针对大连工厂的授权限制了设备数量，且2027年额外美国设备与技术的批准尚未签发。据The Bell报道，随着NAND厂商增加堆叠层数，先进蚀刻设备的获取尤为重要，使用较旧的工具可能需要额外加工步骤，降低生产率并提高制造成本；据路透社报道，大连NAND工厂使用来自Lam Research、应用材料和KLA等美国主要供应商的设备。
韩国扩大反间谍法打击海外技术盗窃，5名前三星员工因涉嫌向中国转移DRAM技术被起诉。此举凸显地缘政治紧张局势加剧，预示未来出口管制将趋严。
DRAM供应前景，预计价格波动风险上升。
长鑫存储起诉五角大楼试图推翻“中国军工企业”认定。公司声称其DRAM产品符合民用JEDEC标准，非军用级，且无与解放军关联。
该诉讼结果将直接影响美国对华DRAM芯片出口管制政策及市场准入。
长鑫存储于8月28日向美国哥伦比亚特区地方法院起诉国防部，要求将其移出“中国军事企业”清单。该公司被列入清单的时间为2025年1月，其声称仅生产用于商业及民用领域的DRAM产品。
地缘政治风险升级，可能导致美国市场准入受限及供应链不确定性增加。
长鑫存储起诉美国国防部要求移出军方企业名单，称其产品仅面向民用且上半年收入激增874%。公司正寻求通过法律途径维护商业利益，并计划长期进入美国市场。
诉讼可能缓解声誉受损风险，但美国市场准入仍存在不确定性。
美国正与韩国谈判，要求DRAM制造商在美国进行数十亿美元的新投资。此举旨在解决美国对韩国公司扩张延迟的不满，并补充去年达成的3500亿美元协议。
9月投资方案，评估DRAM扩产对价格的影响。
美国商务部长卢特尼克明确警告苹果，禁止其采购中国长鑫存储生产的Mac产品线内存芯片。尽管苹果此前已完成相关测试并提交申请，但特朗普政府以政治敏感为由否决了该商业合作计划。
该事件标志着中美半导体供应链脱钩加速，苹果被迫放弃备选方案。
美议员致函商务部，拟收紧对华存储芯片管制。鉴于当前存储短缺，YMTC和CXMT正成为苹果等大厂的潜在替代方案。
此举若实施将切断市场对国产存储的采购，利好美韩存储巨头。
苹果正与美政府谈判，寻求获准使用受制裁的中国存储厂商CXMT的DRAM产品。鉴于三星、SK海力士和美光三大厂商扩产不足，全球DRAM供应极度短缺。
若获批将缓解供应压力，但受限于国内需求旺盛，CXMT产能可能无法完全满足苹果需求。
苹果正游说美国政府批准购买中国CXMT的内存芯片以降低成本。尽管CXMT被列入1260H清单，但苹果希望利用其比美光、三星、SK海力士更低的定价优势。
美光与SK海力士DRAM价格，因潜在供应多元化将加剧市场竞争。
Anthropic关闭Mythos模型及Fable 5，禁止所有外国国民访问。美国白宫以国家安全为由，针对SK集团及其关联半导体企业实施出口管制。
AI芯片需求，限制前沿模型测试将延缓硬件迭代。
东京电子因涉及台积电商业机密案被台湾法院罚款1.5亿新台币，其前中国区高管因关联中国本土设备初创公司而离职。事件凸显在华外企面临的法律与供应链风险加剧。
可能引发对中国半导体设备供应链的审查与摩擦，但对设备价格及供应暂无直接影响。
中国工信部介入稳定存储芯片供应链，此前DRAM与移动内存价格已大幅上涨。价格上涨已传导至智能手机等消费电子终端成本。
政策干预为短期价格方向带来不确定性，可能抑制进一步上涨。
美国修订后的《MATCH法案》计划对ASML的DUV浸没式光刻机对华销售实施全国性限制，但取消了针对泛林和东京电子低温蚀刻工具的早期禁令。该法案源于行业及盟友政府对4月初过于宽泛草案的强烈反对，旨在实施更具针对性的管控。
法案若通过将直接冲击ASML等设备商在华收入，重塑全球半导体设备供应链格局，并可能引发中国通过其他渠道加速设备储备。
日本批准向芯片制造商Rapidus追加40亿美元补贴，使其截至2027年3月的政府总注资达163亿美元。此举旨在加速其AI芯片制造及2027年2纳米量产目标，但该公司仍远落后于台积电并受中东冲突导致的成本上升影响。
此为长期政策驱动的产能扩张，可能改变未来先进逻辑芯片供应格局，但对近期交易无直接影响。
美国两党参议员提出《MATCH法案》，拟对中芯国际、长江存储等五家中国核心半导体企业实施近乎全面的先进晶圆制造设备出口禁令。法案旨在改变现行许可审批逻辑，从管制具体晶圆厂转为管制企业主体，并覆盖设备全生命周期交易与维护。
若法案落地，将切断相关企业获取及维护成熟制程关键设备的稳定渠道，长期影响其产能维持与升级，加剧供应链不确定性。
美国两党议员提出法案，拟全面禁止向中芯国际、长江存储等中国主要芯片制造商出口DUV光刻与刻蚀设备。该提案将管制对象从具体晶圆厂转移至公司实体，旨在切断中国厂商获取14nm及以下先进制程设备的能力。
此举将实质性收紧中国芯片制造设备的供应，加剧短缺风险，利好设备商。
特朗普政府撤销拜登AI扩散框架，停止执行芯片出口管制。美国政策反复，旨在控制先进计算流向对手但实际执行力度减弱。
政策不确定性增加，全球AI芯片供应链流向面临重构风险。
中国计划2030年实现80%芯片自给率，目标包括7nm产线建设与14nm稳定生产。尽管2024年自给率仅33%，但成熟制程产能占比预计将从25%升至42%。
成熟制程产能扩张带来的潜在供过于求风险。
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |