英伟达定制HBM计划促成罕见合作 三星与台积电联手开发3纳米基底芯片
英伟达推动NVHBM标准化计划，要求三星、台积电、美光和SK海力士统一采用台积电3纳米工艺生产基底芯片，核心存储芯片采用第六代DRAM工艺。三星首次接受放弃HBM完全自主的“交钥匙”模式。NVHBM预计带宽增加30%，功耗降低15%。三星代工亏损从2025年6.74万亿韩元降至2026年3.92万亿韩元，降幅41%。
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- 三星电子、台积电、美光、SK海力士
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英伟达推动NVHBM标准化计划，要求三星、台积电、美光和SK海力士统一采用台积电3纳米工艺生产基底芯片，核心存储芯片采用第六代DRAM工艺。三星首次接受放弃HBM完全自主的“交钥匙”模式。NVHBM预计带宽增加30%，功耗降低15%。三星代工亏损从2025年6.74万亿韩元降至2026年3.92万亿韩元，降幅41%。
onsemi与Sungrow宣布将onsemi的EliteSiC混合功率模块技术集成到Sungrow的PowerTitan 3.0储能平台，用于电网级储能系统的高功率DC-AC转换。据onsemi称，与上一代平台相比，新架构将逆变器级效率提升0.4个百分点，支持额定功率最高450 kW的功率转换单元，峰值效率超过99.3%。onsemi的分析显示，在100 MW电池储能装置中，0.4%的效率提升每年可节省超过475 MWh电量（与上一代模块相比）。该SiC混合技术结合碳化硅与硅功率器件，采用三级逆变器架构，提供更高功率密度和更好热性能。双方曾在平台开发、系统优化、工程验证和资格认证方面合作，此次采用建立在两家公司既有的战略关系之上。
总部位于美国加州Commerce的XMax Inc(前身Nova LifeStyle Inc)——该公司原主营现代家具的设计、采购与分销,后多元化发展人工智能软件及平台服务——已同意收购Hexa Creation Inc。Hexa Creation是一家美国公司,专注于面向AI数据中心电源基础设施及其他高压应用的1200V垂直氮化镓(GaN)功率半导体技术。协议已达成,但来源未说明交易完成时间及是否需监管批准。
Navitas Semiconductor宣布与NVIDIA合作开发一款24 kW、800 VDC转12 VDC的电源传输板(PDB),面向下一代AI数据中心基础设施，基于Navitas的GaNFast技术，支持NVIDIA MGX生态系统，可将电源直接传送给高性能计算处理器(xPU)。该方案计划在2026年OCP全球峰会的NVIDIA AI Factory MGX Wall合作伙伴展示区展出。此板为Navitas此前与NVIDIA合作发布的20 kW、800 V转6 V电源板的后续产品，两者均支持高压直流配电过渡及GaN和SiC技术在AI基础设施中的应用。新板设计目标为最高24 kW输出、满载效率97%、功率密度超过2,000 W/in³,采用NVIDIA 400 mm × 60 mm外形规格，可集成在计算主板靠近xPU处；采用单级转换架构，直接将800 VDC转换为12 VDC,省去常规50 V转12 V中间总线转换器(IBC)级，减少转换步骤、功率损耗和元件数量；12 V输出向VRM供电。初级侧功率级使用16颗NV6034 GaNFast FET(650 V耐压、18 mΩ导通电阻)，采用堆叠半桥拓扑和8 mm × 8 mm双冷却DFN封装。
Astute Group与Samwha Capacitor Group签署特许经销协议，将Samwha的电容器、储能元件、铁氧体产品、电感和变压器技术纳入Astute的产品组合，为Astute客户提供获得Samwha元件的授权渠道，覆盖电子、工业、汽车和能源应用。Samwha Capacitor Group由五家关联公司组成，在全球拥有11家工厂和17个销售办事处。其产品组合包括多层陶瓷电容器（MLCC，含标准、软端子、开放模式和浮动模式产品）、圆片陶瓷电容器（含温度补偿、高压、交流电压和超高压类型）、压敏电阻、电力电容器和电容器组、DC-Link电容器和缓冲电容器、双层电容器（EDLC，支持储能和备份应用）、导电聚合物混合电容器（低ESR和高纹波电流能力）以及铝电解电容器；其中特定低压电力电容器范围覆盖0.2至50kvar电容、220至1,000 V额定电压。Astute客户还可通过集团组合获得Samwha的变压器、电感产品和EMI元件。原文未说明原因之外的价格或供应影响；双方将在electronica展会C5:421展位进行介绍。
Navitas半导体完成对Claros的收购，旨在拓展AI基础设施电源组合。Claros专注于为下一代AI数据中心开发集成电压调节器（IVR）技术。
此次并购将强化Navitas在AI电源管理领域的布局，可能影响未来功率器件供应格局。
Navitas拟以2.328亿美元收购Claros，旨在强化GaN与SiC策略并覆盖800V基础设施至AI处理器的功率交付。此举将增强Navitas在高功率半导体领域的市场地位。
并购交易有助于提升Navitas在GaN和SiC供应链中的整合能力与产品竞争力。
BluGlass任命Yam Rubenstein为非执行董事以支持全球运营。该公司专注于基于RPCVD技术的GaN可见激光二极管。
管理变动通常不会立即改变价格。
Navitas Semiconductor 在美国德克萨斯州东区法院起诉 Renesas Electronics，指控其 SuperGaN 等产品侵犯四项 GaN 专利。此次诉讼旨在保护 Navitas 在 AI 基础设施高功率 GaN 应用领域的知识产权。
该法律纠纷可能重塑 GaN 功率器件市场竞争格局，但短期内对现货价格影响有限。
Navitas与Magnachip宣布战略合作，加速高压及超高压SiC技术采用。此举旨在推动SiC在功率市场的应用落地。
信号，预计将提振SiC市场需求及供应链合作。
onsemi副总裁Sam Francis确认与英诺赛科建立垂直GaN与横向GaN合作伙伴关系，并指出欧洲车企SiC采用周期长达24至36个月，显著慢于中国车企的12至18个月。
该合作及中国市场的快速采用预示着GaN与SiC功率器件需求将持续增长。
英特尔CEO陈立武宣布投资一家金刚石晶圆公司，旨在利用合成金刚石优异的导热性能。此举是英特尔布局玻璃基板、氮化镓等新材料以突破物理极限的一部分。
先进封装与散热材料的技术路线图。
RFMW与韩国RFHIC公司达成全球分销协议，负责销售其GaN射频与微波解决方案。该协议扩大了RFHIC的渠道覆盖，但未涉及产能变化或供应紧张信号。
后续季度库存与需求数据，以判断该分销渠道是否带动GaN RF现货价格或交期变化。
罗姆警告与东芝三菱联盟谈判推迟，成功几率渺茫。由于制造资产整合、研发资源及销售运营的协调难题，且东芝和三菱已独立推进300mm晶圆计划，错失了大规模整合的窗口期。
该联盟若告吹，日本功率半导体市场将维持碎片化格局，供应链整合进程受阻。
英特尔EMIB封装技术良率突破90%，谷歌TPU v8e及Meta自研CPU计划采用。随着台积电CoWoS产能持续紧张，英特尔正通过先进封装技术缩小与台积电的差距。
英特尔先进封装订单落地情况，台积电亦计划2027年扩产60%以应对需求。
SweGaN获得欧洲、亚洲及美国客户2500万瑞典克朗的GaN-on-SiC订单。该订单基于其专有技术，预计在未来6至18个月内贡献营收。
框架协议显示GaN-on-SiC市场需求稳定，但订单金额较小，对现货价格影响有限。
英特尔赢得SpaceX Terafab项目，利用氮化镓技术突破。该技术通过300mm晶圆集成GaN与硅，提升太空应用稳定性。
该订单利好英特尔代工业务及氮化镓供应链。
PowerCube自去年12月起向HL Mando量产供应氧化镓传感器，月产能目标约500片晶圆。该传感器用于HL Mando的HAECHIE电火花检测设备，具备10kV耐压优势。
随着HL Mando推进量产及PowerCube推进IPO扩产，氧化镓供应链生态逐步验证。
安森美将上海设为大中华区总部，并计划通过整合本土合作伙伴资源，实现50%物料清单本地化。此举旨在构建闭环生态系统，并加速与英诺赛科合作的GaN产品全球商业化。
长期供应链本地化策略可能改变区域供应格局，但对现货价格的直接影响尚不明确。
罗姆、东芝与三菱电机正商谈合并功率半导体业务，若成功将占全球10%市场份额。此举发生在瑞萨以83亿美元收购罗姆提案后，旨在应对中国厂商低价竞争及产能过剩压力。
该合并可能重塑功率半导体供应链格局，但短期现货价格受中国产能扩张压制仍呈疲软态势。
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |