据市场消息，英伟达已要求三星电子、SK海力士和美光科技为其生产NVHBM（英伟达的定制HBM技术，HBM即高带宽内存），其中基底裸片（BaseDie）采用台积电3nm制程，核心裸片（CoreDie）则采用第六代DRAM（动态随机存取存储器）技术，消息称三星电子已决定接受英伟达的技术要求。该消息的真实性尚属传闻层面：10月19日，三星电子回应称，公司不对涉及客户的事项发表评论。原文未说明原因。
10月19日，北京铭芯启睿科技有限公司宣布完成超4亿元A轮融资，由博原资本领投，博世创投、米哈游、兆易创新等跟投，小米战投等老股东持续加注；相关报道未披露本轮估值及股权稀释比例。本轮资金将用于RRAM（阻变存储器）产业化、商业化及新产品LPU（语言处理单元）研发。同日披露前Graphcore总裁兼大中华区总经理卢涛加入公司，出任CEO兼联合创始人，并启动第一代LPU研发，面向大模型推理场景；卢涛表示第一代LPU不采用RRAM，将使用更成熟的存储介质，目标为支持数万亿参数完整模型、实现每用户每秒1000 Token，该指标为研发目标，尚无实测性能支撑；LPU目前处于研发阶段，未披露流片、验证或交付时间表。此前10月14日，公司发布首代1Gb RRAM芯片泰山一号流片信息，基于1TnR技术路线（1T4R结构，一个选择晶体管对应四个阻变存储单元），搭配28纳米CMOS工艺，披露存储密度30Mb/mm²、访问延时小于20纳秒，并集成片上硬件纠错电路；泰山一号已完成流片、正在推进验证，尚未披露量产进展。公司三条产品线中的嵌入式RRAM IP已进入客户场景并计划扩大规模，但未披露客户名称、订单金额或出货量；混合存算产品未披露具体芯片型号、流片进度或商业化节点。
据Seoul Economic Daily报道（ZDNet曾在9月报道三星为定制HBM采取双轨策略，同时利用自家代工和竞争对手台积电），NVIDIA已要求三星、SK hynix和美光在其于8月发布的NVHBM基底层中采用台积电3nm工艺。据称三星设备解决方案（DS）部门经内部评估后同意了这一要求。报道给出的原因是：NVIDIA推动供应商间生产标准化以确保HBM性能一致并简化产品验证；此外行业估计台积电3nm良率超过90%，而三星代工2nm（SF2）工艺良率约为60%。NVHBM的定制基底层集成了传统上由GPU承载的内存控制器；据NVIDIA称，相比标准HBM4E，该技术提供最多30%的更高内存带宽、15%的更低HBM功耗和25%的更多XPU计算裸片面积。该合作并非全新：据Seoul Economic Daily，三星和台积电四年前首次合作以确保HBM与台积电GPU封装工艺兼容，此次是首次延伸至HBM制造。三星仍保留自有代工选项：由于台积电3nm产能面临AI加速器和智能手机芯片的竞争需求，三星正在2nm工艺上验证NVHBM基底层生产，作为台积电产能受限时的潜在替代方案。台积电在10月15日的财报电话会议上提示3nm产能紧张，该节点占第三季度晶圆销售额的33%，为其所有工艺节点中最大份额；据Economic Daily News，董事长兼CEO魏哲家宣布在台南再建一座3nm晶圆厂的计划（叠加亚利桑那、日本熊本和台湾南部科学园区的现有扩建项目），新厂定于2028年上半年开始量产。三星还继续为标准HBM产品线自制基底层：今年早些时候进入量产的HBM4和正在进行生产验证的HBM4E均使用三星代工4nm工艺制造基底层，其核心裸片在其华城和平泽园区的1c DRAM产线上制造；三星计划对供应其他客户（包括AMD）的定制HBM保持基底层turnkey生产方式。
英伟达推动NVHBM标准化计划，要求三星、台积电、美光和SK海力士统一采用台积电3纳米工艺生产基底芯片，核心存储芯片采用第六代DRAM工艺。三星首次接受放弃HBM完全自主的“交钥匙”模式。NVHBM预计带宽增加30%，功耗降低15%。三星代工亏损从2025年6.74万亿韩元降至2026年3.92万亿韩元，降幅41%。
智能内存与Sourceability达成分销合作，将DRAM、NAND及模组纳入其产品线。此次合作旨在帮助工业及嵌入式客户应对DDR3/DDR4停产及供应波动风险。
分销渠道的供应稳定性改善，但短期现货价格波动性可能仍存。
欧康诺与海光信息联合开发国产化内存存储芯片测试平台，预计年底发布。该项目以海光CPU为核心，结合存储厂商底层技术与欧康诺自研整机，旨在解决国产化测试瓶颈。
该合作有助于提升国产存储芯片测试能力，加速国产替代进程。
Winbond将以11.2亿美元收购英飞凌NOR Flash业务，市占率将超30%。此举恰逢NOR Flash价格暴涨100-120%的供需紧缩周期。
并购强化头部份额，价格维持高位。
Intel 与 SK hynix 正商讨在美国启动 DRAM 产线，或通过合资或租赁 Intel 俄亥俄州工厂实现。此举旨在缓解因 AI 需求激增导致的供应链紧张。
产能扩张计划将导致 DRAM 价格下行压力。
OpenAI计划让三星代工其下一代AI芯片，与台积电形成双供应商模式。现有Jalapeño芯片已在台积电量产，下一代芯片研发接近流片。
表明AI算力需求巨大，利好三星代工产能利用率及台积电长期订单。
高通携手三星与SK海力士开发HBC架构，计划于明年推出首款产品。该架构通过堆叠LPDDR与计算芯片，宣称在同等功耗下带宽达HBM的6倍。
新架构可能分流HBM需求，但为高通锁定供应链。
SK海力士拟出售重庆封装厂30亿美元股份，但中国仍占其DRAM和NAND产能的30-40%。分析认为此举并非退出中国，而是生产优先级的转移，将重心转向韩国和美国的DRAM/HBM及先进封装。
产能布局调整对供应链结构的影响。
SK海力士正考虑出售重庆NAND封装测试基地，估值约30亿美元，潜在买家包括中国基金。此举旨在加速增长，但交易仍处初步阶段。
潜在供应链结构变化。
三星与Netlist达成五年战略联盟，签署专利交叉许可及内存产品供应协议。此次和解涉及三星收购Netlist 1000万股普通股，并解决此前德州陪审团判赔的4.21亿美元专利侵权案。
Netlist股价，三星的战略投资与供应承诺验证了Netlist在AI内存领域的IP价值。
三星正在评估在中国智能手机中使用低成本中国DRAM，以削减成本并扩大市场份额。此举旨在抵消不断上涨的组件成本，并重获在中国竞争激烈的预算手机市场的动力。
采购策略转变。
三星电子会长李在镕与OpenAI CEO奥尔特曼会面，重点商讨HBM及DRAM等半导体合作。双方自去年10月已建立战略合作，旨在扩大先进存储生产及建设AI基础设施。
三星与OpenAI深化合作，或锁定未来AI算力芯片订单。
三星电子会长李在镕与OpenAI CEO山姆·奥特曼在旧金山会面，商讨AI与半导体合作。业内预计双方将围绕HBM、DRAM及先进代工等AI基础设施深化合作。
三星HBM及DRAM业务长期需求前景。
SK集团与英伟达达成5000亿美元合作，SK海力士将供应HBM4。双方将共建AI工厂，SK电信计划建设2GW算力云。
SK海力士HBM需求，长期供应协议确立。
三星与SK海力士拟与美国科技巨头签署巨额长期供货协议，美国客户占订单量80%-90%。韩国总统访硅谷及8800亿美元投资计划为催化剂，旨在强化AI领导地位。
长期供货协议锁定需求，预示未来产能扩张及价格支撑。
SK海力士参与投资AI推理初创公司Etched，该公司开发基于低电压推理和集群内存架构的推理系统以解决GPU内存瓶颈。
此为战略投资，暂无对现货价格或供应的直接影响。
AMD与Cerebras宣布合作，将Instinct GPU与Cerebras的SRAM加速器结合，打造低延迟推理平台。该组合预计可将每瓦特生成的Token数提升5倍，直接对标Nvidia的Groq LPUs。
AMD及Cerebras的AI芯片需求，对Nvidia构成竞争压力。