BOS与LG、Hana Micron合作开发车用芯粒
BOS Semiconductors将于10月21日与LG电子和Hana Micron合作开发基于芯片的汽车半导体，涵盖从设计到商业化的整个开发周期。BOS将供应用于自动驾驶的NPU芯片，LG将提供用于车辆控制的基础芯片，Hana Micron将负责封装和测试。
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BOS Semiconductors将于10月21日与LG电子和Hana Micron合作开发基于芯片的汽车半导体，涵盖从设计到商业化的整个开发周期。BOS将供应用于自动驾驶的NPU芯片，LG将提供用于车辆控制的基础芯片，Hana Micron将负责封装和测试。
据称，三星正与台积电合作，为NVIDIA新发布的NVHBM存储标准获取基底裸片（base die）供应；该报道性质为传闻（reportedly），合作尚未被证实落地。NVIDIA声称，与标准HBM4E相比，NVHBM将控制器集成到3D HBM堆栈中，可提供最高30%的额外内存带宽、降低15%的HBM功耗，并带来最高25%的额外可用计算裸片面积。报道称NVHBM量产前须满足若干严格条件，其中之一是NVIDIA的NVHBM基底裸片必须采用台积电3nm节点制造；尽管三星拥有自己的3nm产线，但据称NVIDIA的IP针对台积电节点优化，迫使三星与台积电合作并成为其客户。该安排仅针对基底裸片；在存储部分，三星将继续使用其第六代10nm工艺（HBM制造的典型工艺），即仅部分生产由台积电负责。
据市场消息，英伟达已要求三星电子、SK海力士和美光科技为其生产NVHBM（英伟达的定制HBM技术，HBM即高带宽内存），其中基底裸片（BaseDie）采用台积电3nm制程，核心裸片（CoreDie）则采用第六代DRAM（动态随机存取存储器）技术，消息称三星电子已决定接受英伟达的技术要求。该消息的真实性尚属传闻层面：10月19日，三星电子回应称，公司不对涉及客户的事项发表评论。原文未说明原因。
LS Electric 与美国主要科技公司签署价值约1700亿韩元的合同，供应人工智能数据中心的开关设备；另据其于10月19日宣布的长期协议价值为1.2523亿美元，用于北美数据中心的电力分配解决方案。合同覆盖2027年至2028年，2027年交付量已确定，2028年待谈判。产品为38千伏高压开关设备系统。原文未说明原因。
英伟达要求三星、美光和海力士使用台积电3纳米节点制造的基die用于其定制NVHBM，原因是标准化；三星和美光已确认同意该请求，预计2027年量产；海力士已使用台积电12纳米工艺生产HBM4基die；三星亦在验证其2纳米工艺作为备用；三星将继续为不想采用NVHBM的客户生产标准HBM。NVHBM相比标准HBM4E可提供最高30.%更高带宽和15%更低功耗。
Clunix与NeoAI Cloud签署谅解备忘录，计划在浦合AI数据中心构建AI与HPC一体化运行环境，Clunix将把其AI与HPC管理技术集成到NeoAI Cloud正在建设的下一代GPU基础设施中，并使用其AI编排平台NovaTier建立裸金属GPU集群供给、AI与HPC一体化工作负载调度以及NVL72等机架级系统的运行环境。该数据中心为全液冷AI专用设施，项目总成本6000亿韩元，一期目标容量40兆瓦，可容纳约10000颗Nvidia下一代Vera Rubin GPU，机架功率密度超过150千瓦，完工时间定于2027年11月；NHN Cloud已预租一半可用容量即16兆瓦并将联合运营。双方还将利用Clunix在制造业和研究领域的HPC客户基础，吸引浦合钢铁、材料、二次电池产业及本地研究机构的计算需求。
据《首尔经济日报》10月18日援引业内消息人士的报道，三星电子在内部评估后已同意使用台积电3nm工艺为NVHBM（英伟达下一代定制HBM）生产基底裸片（base die）。报道称，这将是两家公司首次在HBM制造阶段展开合作。报道指出，英伟达的定制内存设计正在将HBM制造的部分控制权从内存厂商转移至其最大客户，并将其中一部分工作导向台积电。该内容为媒体报道，援引业内消息人士，合作实际落地情况有待确认。
据Seoul Economic Daily报道（ZDNet曾在9月报道三星为定制HBM采取双轨策略，同时利用自家代工和竞争对手台积电），NVIDIA已要求三星、SK hynix和美光在其于8月发布的NVHBM基底层中采用台积电3nm工艺。据称三星设备解决方案（DS）部门经内部评估后同意了这一要求。报道给出的原因是：NVIDIA推动供应商间生产标准化以确保HBM性能一致并简化产品验证；此外行业估计台积电3nm良率超过90%，而三星代工2nm（SF2）工艺良率约为60%。NVHBM的定制基底层集成了传统上由GPU承载的内存控制器；据NVIDIA称，相比标准HBM4E，该技术提供最多30%的更高内存带宽、15%的更低HBM功耗和25%的更多XPU计算裸片面积。该合作并非全新：据Seoul Economic Daily，三星和台积电四年前首次合作以确保HBM与台积电GPU封装工艺兼容，此次是首次延伸至HBM制造。三星仍保留自有代工选项：由于台积电3nm产能面临AI加速器和智能手机芯片的竞争需求，三星正在2nm工艺上验证NVHBM基底层生产，作为台积电产能受限时的潜在替代方案。台积电在10月15日的财报电话会议上提示3nm产能紧张，该节点占第三季度晶圆销售额的33%，为其所有工艺节点中最大份额；据Economic Daily News，董事长兼CEO魏哲家宣布在台南再建一座3nm晶圆厂的计划（叠加亚利桑那、日本熊本和台湾南部科学园区的现有扩建项目），新厂定于2028年上半年开始量产。三星还继续为标准HBM产品线自制基底层：今年早些时候进入量产的HBM4和正在进行生产验证的HBM4E均使用三星代工4nm工艺制造基底层，其核心裸片在其华城和平泽园区的1c DRAM产线上制造；三星计划对供应其他客户（包括AMD）的定制HBM保持基底层turnkey生产方式。
英伟达推动NVHBM标准化计划，要求三星、台积电、美光和SK海力士统一采用台积电3纳米工艺生产基底芯片，核心存储芯片采用第六代DRAM工艺。三星首次接受放弃HBM完全自主的“交钥匙”模式。NVHBM预计带宽增加30%，功耗降低15%。三星代工亏损从2025年6.74万亿韩元降至2026年3.92万亿韩元，降幅41%。
快科技10月17日消息：新中国成立以来首条国家层面统筹建设的通江达海运河——平陆运河于2026年9月16日正式通航。海光信息以CPU+DCU双芯算力底座，为全国首条全生命周期数字孪生智慧运河提供国产算力支撑。此前西江船闸、平陆运河船闸与北部湾港长期独立调度，人工排档一套方案需20至30分钟。平陆云采用海光双芯架构：海光C86 CPU作为通用计算主力，承载工程基础调度与全域值守，凭借对x86生态的兼容实现主流操作系统与云平台零改造平滑迁移；海光DCU专项承接AI分析、数字孪生渲染等智能算力任务，支撑船闸智能调度与航道AI感知。海光CPU内置专用安全硬件，原生支持国密算法并采用抗量子密码混合架构；南宁中心与青年中心构成双中心高可用架构，保障船闸远程控制7×24小时运行。依托该算力底座，广西建成江河海一体化调度平台落地算法排档，实现一次申报、统一计划、全线通过，134.2公里航道实现可视、可算、可控。平陆运河通航后，西南地区货物出海航程缩短560公里以上，综合物流成本降低18%至30%，每年可为社会节约运输费用超50亿元。
洛克希德·马丁臭鼬工厂与荷兰国家航空航天中心（NLR）宣布将战略合作伙伴关系扩大为高影响力合作，旨在将先进技术从研究实验室转化为支持荷兰皇家空军任务准备度的作战解决方案。下一阶段合作旨在聚焦与荷兰工业基础的连接、军事作战分析协调、技术路线图对接以及无人机系统（UAS）方面的合作。NLR首席执行官Tineke van der Veen提及《2026年荷兰国防白皮书》，表示北约是荷兰国防的基石，美国是最重要的盟友；Skunk Works副总裁兼总经理Ron Fehlen表示通过扩大该MOU将继续与NLR合作，并称已成熟推进包括热塑性塑料在内的具体项目。
Infineon与Wolfspeed签署了一项多年期协议，由Wolfspeed供应200mm碳化硅(SiC)晶圆，该协议将两家公司现有的供应关系从150mm衬底转向200mm衬底。据Infineon新闻稿，该协议支持Infineon从150mm到200mm SiC制造的转换。Infineon为其全球制造网络（包括位于马来西亚居林的200mm SiC晶圆厂）从多家供应商采购SiC衬底，公司表示这一多源战略旨在确保供应的灵活性和质量。Infineon首席运营官Alexander Gorski表示，该协议进一步扩大了公司用于200mm大批量制造的供应基础，并建立在两家公司20年的供应关系之上。转向更大晶圆主要是成本问题：200mm晶圆比150mm晶圆提供更多可用裸片面积，从而降低单位衬底成本并提高整体制造效率。SiC功率半导体的需求主要来自电动汽车驱动系统、太阳能逆变器和工业电机驱动，Infineon还指出AI数据中心是新兴需求驱动力。两家公司均未披露协议金额或涉及的数量。
Inission 以 5.3百万欧元收购巴伐利亚数字技术（BDT），标志其首次在德国设立业务。协议于2026年10月15日签署，计划于2026年11月2日完成交易。BDT成立于1969年，约有110名员工，2025年收入约2000万欧元，EBITDA 125万欧元。所有员工将留任，BDT将保留当地存在并获益于Inission的网络和资源。
据经济日报报道，NVIDIA在加州圣何塞举行的OCP全球峰会上宣布计划推出每通道400Gb/s的光模块规范，并与思科合作开发超密集小型可插拔（USFP）规范，设计目标为支持每通道400Gb/s。两家公司表示，新设计预计可提供现有每通道200Gb/s光器件4倍的带宽密度和1.3倍的能效，并有通往12.8Tb/s总容量的路径；双方计划建立开放行业规范，可能促使主要云服务商采用，为可插拔光模块市场带来新机会，经济日报点名Luxnet与PCL Technologies为潜在受惠者。上述4倍与1.3倍数据为公司预期，事件仍处于规划/规范制定阶段。报道另提及：Meta在其下一代IcePack液冷网络机架的IceCube平台采用NVIDIA Spectrum-6交换机芯片；NVIDIA独立Vera CPU MGX机架已进入量产并开始出货，采用台积电3nm制程，据报性能较传统x86 CPU高50%、每瓦性能为其两倍；Commercial Times列出12家台湾Vera CPU MGX机架合作伙伴，包括富士康、广达旗下QCT、纬创、纬颖、英业达、仁宝、和硕、神达、华硕、技嘉、微星及华擎旗下ASRock Rack；NVIDIA并在第三代MGX 1.2规范下开放Vera Rubin机架与算力托盘设计，算力托盘模块化液冷设计移除内部线缆、软管与风扇，组装与维护时间从数小时缩短至数分钟，并支持最高5000安培以提升功率密度。
Gaon Cable 于 2026 年 10 月 12 日与美国 AI 数据中心签署价值 1.5 亿美元（约合 2000 亿韩元）的母线槽供应合同，交付计划贯穿 2027 年，项目为 250 MW 级 AI 数据中心；公司亦正就规模为当前项目两到三倍的额外项目进行洽谈。
HanWool Semiconductor 于 Oct. 12 宣布，其已从一家日本多层陶瓷电容器（MLCC）制造商处获得合同，以升级其视觉检测设备的人工智能（AI）功能，标志着其检测设备业务在国内市场之外的扩张。公司计划在海外现有设备上添加 AI 功能，增加性能升级项目，并争取在客户扩产时提供新的检测设备。HanWool 长期向一家主要韩国 MLCC 制造商供应检测和工艺设备，并开发了专有的 AI 检测平台 HaWAIe，该平台结合图像处理和深度学习，在内部测试中六面 MLCC 视觉检测设备的检测速度超过每分钟 13,000 件，缺陷检测准确率约为 98%。市场研究公司预测，全球 MLCC 视觉检测设备市场将从去年的约 1.26 万亿韩元增长至 2032 年的约 2.87 万亿韩元，复合年增长率为 12.6%。一位官员表示，MLCC 供应短缺正促使全球制造商增加产能扩张和良率提升的投资。
Rapidus 在获得日本政府 150 亿美元资金支持后，于 10 月 5 日宣布与 17 家半导体设计相关公司（包括美国的 Synopsys 和印度的 Infosys）结成联盟，旨在通过帮助公司开发定制芯片来扩大其潜在客户群。
10月10日消息，宁德时代宣布与赛力斯集团在重庆签署长期战略合作协议。据介绍，问界品牌自创立以来全系车型均搭载宁德时代电池，截至目前累计交付已突破120万台；以此为新起点，问界将继续长期全系搭载宁德时代电池。双方将围绕三大核心领域深化协同：其一，扩建"厂中厂"产能，加速赛力斯超级工厂"厂中厂"二期建设，二期年规划产能10-12GWh，建成后一、二期总年产能将超20GWh（属规划，尚需建成）；其二，构建超充补能生态，围绕超充网络与电池服务展开合作；其三，加速全球化布局，联合开拓欧洲、中东及中亚等海外市场。文中还提到，去年6月宁德时代在赛力斯超级工厂的两条CTP 2.0高端电池包产线正式投产，这是宁德时代在重庆布局的首个基地，并首次采用"厂中厂"合作模式，为问界系列车型本地化生产供应动力电池系统。
PCB Technologies签署了收购Gorilla Circuits的最终协议，交易价值为1.2亿美元企业价值，需经CFIUS等监管机构批准，预计在八个月内完成。该交易旨在提供进入美国市场的途径和本土生产能力。
美光与三星正将HBM基板生产外包给台积电，美光预计NVHBM将带来更高ASP与利润率。随着NVIDIA NVHBM架构将内存控制器移至基板，定制化HBM需求激增，推动供应链重构。
美光与三星外包基板生产至台积电，并预期定制化HBM将推升ASP与毛利率。