英飞凌与Wolfspeed的长期供应协议扩大并延长至8英寸碳化硅晶圆
英飞凌根据一项扩大并延长的长期供应协议，从Wolfspeed获得8英寸碳化硅(SiC)晶圆供应。该协议使这家德国芯片制造商为其SiC晶圆厂转换所需的更大尺寸衬底获得了另一个供应来源；对这家美国材料供应商而言，该协议意味着一家顶级客户在其财务重组约一年后作出的采购承诺。
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英飞凌根据一项扩大并延长的长期供应协议，从Wolfspeed获得8英寸碳化硅(SiC)晶圆供应。该协议使这家德国芯片制造商为其SiC晶圆厂转换所需的更大尺寸衬底获得了另一个供应来源；对这家美国材料供应商而言，该协议意味着一家顶级客户在其财务重组约一年后作出的采购承诺。
据Seoul Economic Daily报道（ZDNet曾在9月报道三星为定制HBM采取双轨策略，同时利用自家代工和竞争对手台积电），NVIDIA已要求三星、SK hynix和美光在其于8月发布的NVHBM基底层中采用台积电3nm工艺。据称三星设备解决方案（DS）部门经内部评估后同意了这一要求。报道给出的原因是：NVIDIA推动供应商间生产标准化以确保HBM性能一致并简化产品验证；此外行业估计台积电3nm良率超过90%，而三星代工2nm（SF2）工艺良率约为60%。NVHBM的定制基底层集成了传统上由GPU承载的内存控制器；据NVIDIA称，相比标准HBM4E，该技术提供最多30%的更高内存带宽、15%的更低HBM功耗和25%的更多XPU计算裸片面积。该合作并非全新：据Seoul Economic Daily，三星和台积电四年前首次合作以确保HBM与台积电GPU封装工艺兼容，此次是首次延伸至HBM制造。三星仍保留自有代工选项：由于台积电3nm产能面临AI加速器和智能手机芯片的竞争需求，三星正在2nm工艺上验证NVHBM基底层生产，作为台积电产能受限时的潜在替代方案。台积电在10月15日的财报电话会议上提示3nm产能紧张，该节点占第三季度晶圆销售额的33%，为其所有工艺节点中最大份额；据Economic Daily News，董事长兼CEO魏哲家宣布在台南再建一座3nm晶圆厂的计划（叠加亚利桑那、日本熊本和台湾南部科学园区的现有扩建项目），新厂定于2028年上半年开始量产。三星还继续为标准HBM产品线自制基底层：今年早些时候进入量产的HBM4和正在进行生产验证的HBM4E均使用三星代工4nm工艺制造基底层，其核心裸片在其华城和平泽园区的1c DRAM产线上制造；三星计划对供应其他客户（包括AMD）的定制HBM保持基底层turnkey生产方式。
onsemi与Sungrow宣布将onsemi的EliteSiC混合功率模块技术集成到Sungrow的PowerTitan 3.0储能平台，用于电网级储能系统的高功率DC-AC转换。据onsemi称，与上一代平台相比，新架构将逆变器级效率提升0.4个百分点，支持额定功率最高450 kW的功率转换单元，峰值效率超过99.3%。onsemi的分析显示，在100 MW电池储能装置中，0.4%的效率提升每年可节省超过475 MWh电量（与上一代模块相比）。该SiC混合技术结合碳化硅与硅功率器件，采用三级逆变器架构，提供更高功率密度和更好热性能。双方曾在平台开发、系统优化、工程验证和资格认证方面合作，此次采用建立在两家公司既有的战略关系之上。
英飞凌科技与Wolfspeed签署一项多年期协议，以确保200mm碳化硅(SiC)晶圆的供应，支持其向更大直径制造的转变。该协议建立在两家公司20年合作关系的基础上，并将双方现有的晶圆供应安排从150mm衬底转向200mm衬底。
10月16日，理想汽车宣布旗下芯片子公司上海马赫心科技有限公司签署首轮股权融资协议，认购总额为16.25亿元，其中理想汽车通过全资附属公司出资10亿元，外部投资方合计出资6.25亿元；若杭州经韬及其关联基金在2026年12月31日前按同价悉数行使不超过5亿元的追加认购权，投后估值最高将达171亿元，理想汽车将继续保持控股地位。融资将用于支持芯片及域控制器研发与商业化，推进面向外部客户的产品供应与合作，尤其是拓展非汽车领域的市场机会。产品方面，马赫M100采用5nm车规级工艺，单颗算力达1280 TOPS，已搭载于新一代理想量产车型。另据接近理想人士透露，除芯片之外，碳化硅模块、增程器也开始考虑对外销售。该融资协议为已签署、尚属计划推进阶段的事项。
Wolfspeed Inc（美国北卡罗来纳州达勒姆）与英飞凌科技（德国慕尼黑）签署了一项新的多年期协议，将两家公司之间现有的长期碳化硅（SiC）衬底供应安排从150mm直径晶圆过渡到200mm直径晶圆，并扩大和延长了该长期供应协议。原文未说明原因。
Gaonchips于10月15日宣布加入Arm Total Design for Physical AI，成为首家参与该倡议的韩国设计解决方案提供商，作为技术合作伙伴支持Arm-based半导体在物理AI应用中的实施，并将通过硅到系统的合作提供从芯片设计到系统实施的全过程支持。原文未说明原因。
Infineon 和 Wolfspeed 签署了一份多年供应协议，以 200mm SiC 晶圆取代 150mm 晶圆。
根据标题，本文为分析文章，讨论TSMC-GF交易将成熟制程引入AI封装及其对中国的影响。正文指出，随着全球晶圆产能快速扩张，TSMC和GlobalFoundries (GF)正在强调一个服务于先进应用、快速增长的成熟制程市场。具体而言，先进封装中对硅中介层、硅通孔(TSV)和嵌入式深沟槽电容器(eDTC)的需求，正在为成熟制程产能创造一个可观的蓝海市场。正文未说明交易的具体条款、状态或进展细节。
Infineon与Wolfspeed签署了一项多年期协议，由Wolfspeed供应200mm碳化硅(SiC)晶圆，该协议将两家公司现有的供应关系从150mm衬底转向200mm衬底。据Infineon新闻稿，该协议支持Infineon从150mm到200mm SiC制造的转换。Infineon为其全球制造网络（包括位于马来西亚居林的200mm SiC晶圆厂）从多家供应商采购SiC衬底，公司表示这一多源战略旨在确保供应的灵活性和质量。Infineon首席运营官Alexander Gorski表示，该协议进一步扩大了公司用于200mm大批量制造的供应基础，并建立在两家公司20年的供应关系之上。转向更大晶圆主要是成本问题：200mm晶圆比150mm晶圆提供更多可用裸片面积，从而降低单位衬底成本并提高整体制造效率。SiC功率半导体的需求主要来自电动汽车驱动系统、太阳能逆变器和工业电机驱动，Infineon还指出AI数据中心是新兴需求驱动力。两家公司均未披露协议金额或涉及的数量。
西门子宣布与英伟达(NVIDIA)在计算光刻领域的合作取得重大进展:通过将NVIDIA cuLitho(CUDA-X GPU加速计算光刻库)集成到Calibre制造软件中,为全芯片光学邻近校正(OPC)工作负载提供最高12倍的加速,并为关键光刻仿真工作负载提供至少10倍的加速;经核实工程数据支持的仿真加速范围为至少10倍至17倍。该合作使制造商能够使用逆向光刻技术(ILT)等最先进的计算光刻方法,对高数值孔径极紫外(High-NA EUV)光刻的掩膜版进行实用的全芯片优化,以应对AI计算与存储器件领先级图形化在运行时间和复杂度方面的关键挑战。西门子称这有助于减少仿真运行时间、更早发现光刻热点、在流片前提升工艺裕度,并支持新AI芯片的部署。原文未说明此次合作对具体价格或供需的影响。
Navitas Semiconductor宣布与NVIDIA合作开发一款24 kW、800 VDC转12 VDC的电源传输板(PDB),面向下一代AI数据中心基础设施，基于Navitas的GaNFast技术，支持NVIDIA MGX生态系统，可将电源直接传送给高性能计算处理器(xPU)。该方案计划在2026年OCP全球峰会的NVIDIA AI Factory MGX Wall合作伙伴展示区展出。此板为Navitas此前与NVIDIA合作发布的20 kW、800 V转6 V电源板的后续产品，两者均支持高压直流配电过渡及GaN和SiC技术在AI基础设施中的应用。新板设计目标为最高24 kW输出、满载效率97%、功率密度超过2,000 W/in³,采用NVIDIA 400 mm × 60 mm外形规格，可集成在计算主板靠近xPU处；采用单级转换架构，直接将800 VDC转换为12 VDC,省去常规50 V转12 V中间总线转换器(IBC)级，减少转换步骤、功率损耗和元件数量；12 V输出向VRM供电。初级侧功率级使用16颗NV6034 GaNFast FET(650 V耐压、18 mΩ导通电阻)，采用堆叠半桥拓扑和8 mm × 8 mm双冷却DFN封装。
超级电容器制造商Skeleton Technologies完成了一轮由Siemens牵头的新投资，公司估值超过10亿美元。据Skeleton新闻稿，本轮融资为“九位数”金额，即至少1亿美元，但具体金额未披露。资金将主要用于在美国建设制造能力，包括自有的电芯生产，面向AI数据中心的电源系统。公司计划在硅谷投资超过2亿美元以扩大运营和研发，并与超大规模云厂商直接合作；美国扩建包括本土电芯制造计划，使Skeleton拥有从电芯到完整系统的美国全价值链。公司称其基于Curved Graphene材料的超级电容器电芯结合电力电子与控制系统，可平抑GPU集群毫秒级功率切换带来的负载波动，据称可实现最高40%的节能并带来两位数的GPU性能提升。Siemens曾于2023年支持Skeleton的扩建，Siemens Digital Industries设计并自动化了Skeleton位于德国莱比锡的SuperFactory；双方将共同为AI数据中心开发和商业化产品。Skeleton尚未披露融资规模、Siemens所持股份比例，以及美国电芯生产将在何地何时启动。
GlobalFoundries 已与 TSMC 达成多年制造协议，以扩大其位于纽约 Malta 工厂的硅间隔器产能，供应 TSMC 的 Chip-on-Wafer-on-Substrate (CoWoS) 先进封装生态系统。该协议预计价值为 20 亿美元，为期五年。
西门子宣布推出Tessent™ Silicon Executable（TSE）软件，这是一款独立应用程序，可将测试图形转换并直接应用到高速接口与协议（标题提及PCIe和USB）上执行，并从测试设备生态系统向Tessent In-System Test片上硬件传递测试数据。该软件是西门子宣布的产品发布，属于生态合作性质：TSE与自动测试设备（ATE）供应商Advantest和Teradyne合作发布。Advantest表示将把西门子TSE集成到其带Link Scale的V93000平台，并通过SiConic扩展至硅前验证和DFT实验室工程；Teradyne表示已将Tessent Silicon Executable集成到其UltraFLEXplus的UltraPort仪器中，并称其是首家为客户提供通过PCIe运行SSN、面向PCIe Gen 6接口的标准路径的测试机公司，称这可显著提升性能并缩短测试时间。西门子EDA的Ankur Gupta给出的原因是：硅复杂性、多裸片和新晶体管技术正在推动测试内容增长。原文未提供价格或市场影响的量化数据。
塔尔和Semtech同意扩大其20年的合作伙伴关系，Semtech将投资于在塔尔确保专用硅锗（SiGe）产能，以支持其在AI数据中心光互连组件方面的强劲设计胜利和需求。
亚马逊拟70亿美元收购Decart，看中其AI芯片切换软件技术。Decart允许开发者在不同AI芯片间切换，亚马逊正开发Trainium3与英伟达竞争，此举旨在优化其自研芯片生态。
亚马逊加码自研芯片生态，或加速AI算力供应链多元化。
GlobalFoundries于2026年10月8日与台积电签署了一份为期多年、价值20亿美元的制造协议，在纽约Malta晶圆厂为台积电CoWoS生态系统生产硅中介层，GF称这将成为首个支持先进封装的美国硅中介层来源。
GlobalFoundries 与台积电签订为期五年、价值 20 亿美元的有效制造协议，GlobalFoundries 将在美国纽约州马耳他工厂扩产，为台积电的 CoWoS 高级封装技术生产硅间隔器，产量计划于 2028 年上半年开始提升。
2026年10月8日，台积电（TSMC）宣布与GlobalFoundries达成价值20亿美元的合作协议，由GlobalFoundries在其纽约马耳他工厂为台积电的CoWoS先进封装规格生产硅间隔器，以提升美国硅间隔器产量，解决美国国内供应链的缺口。该合作计划为期五年，可选延期，但产量预计要到2028年上半年才能开始。
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |