英飞凌与Wolfspeed的长期供应协议扩大并延长至8英寸碳化硅晶圆
英飞凌根据一项扩大并延长的长期供应协议，从Wolfspeed获得8英寸碳化硅(SiC)晶圆供应。该协议使这家德国芯片制造商为其SiC晶圆厂转换所需的更大尺寸衬底获得了另一个供应来源；对这家美国材料供应商而言，该协议意味着一家顶级客户在其财务重组约一年后作出的采购承诺。
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英飞凌根据一项扩大并延长的长期供应协议，从Wolfspeed获得8英寸碳化硅(SiC)晶圆供应。该协议使这家德国芯片制造商为其SiC晶圆厂转换所需的更大尺寸衬底获得了另一个供应来源；对这家美国材料供应商而言，该协议意味着一家顶级客户在其财务重组约一年后作出的采购承诺。
RAONTECH于10月16日表示，已于10月15日与SN Display签署谅解备忘录（MOU），共同开发面向增强现实（AR）和虚拟现实（VR）应用的下一代微显示技术。双方将研究将钙钛矿色转换技术整合到微型LED和微型OLED显示器中的可行性，以实现超细像素和全彩成像。RAONTECH专注于微显示器和驱动技术，SN Display则具备钙钛矿纳米晶体和色转换技术专长。文中提到，AR用microLED显示器面临在单面板上集成红绿蓝（RGB）像素的挑战，量子点色转换虽可在单面板实现全彩成像，但在生产小于4微米（µm）像素方面存在局限，且转换效率低会降低亮度；SN Display的钙钛矿技术可在厚度低于0.5µm时实现高色转换效率，并支持使用半导体工艺进行精细图案化。两家公司将评估该技术能否作为小于4µm的microLED像素的色转换材料，并将视研究结果考虑扩大合作，共同开发原型和AR/VR显示解决方案。
onsemi与Sungrow宣布将onsemi的EliteSiC混合功率模块技术集成到Sungrow的PowerTitan 3.0储能平台，用于电网级储能系统的高功率DC-AC转换。据onsemi称，与上一代平台相比，新架构将逆变器级效率提升0.4个百分点，支持额定功率最高450 kW的功率转换单元，峰值效率超过99.3%。onsemi的分析显示，在100 MW电池储能装置中，0.4%的效率提升每年可节省超过475 MWh电量（与上一代模块相比）。该SiC混合技术结合碳化硅与硅功率器件，采用三级逆变器架构，提供更高功率密度和更好热性能。双方曾在平台开发、系统优化、工程验证和资格认证方面合作，此次采用建立在两家公司既有的战略关系之上。
英飞凌科技与Wolfspeed签署一项多年期协议，以确保200mm碳化硅(SiC)晶圆的供应，支持其向更大直径制造的转变。该协议建立在两家公司20年合作关系的基础上，并将双方现有的晶圆供应安排从150mm衬底转向200mm衬底。
Wolfspeed Inc（美国北卡罗来纳州达勒姆）与英飞凌科技（德国慕尼黑）签署了一项新的多年期协议，将两家公司之间现有的长期碳化硅（SiC）衬底供应安排从150mm直径晶圆过渡到200mm直径晶圆，并扩大和延长了该长期供应协议。原文未说明原因。
OLED材料厂商SFC已于10月15日通过韩国交易所KOSPI市场的上市预审，最早可于11月下旬上市，也可能因公募发行安排推迟至12月初。该公司于7月24日提交上市申请，原计划10月初获批准、11月初上市，但审查耗时超出预期，目标上市时间推迟约一个月。SFC将于下周面向境内外机构投资者进行IR路演，并在评估投资者需求后再提交证券注册声明、进行机构询价和公募认购，发行规模和价格尚未确定；牵头承销商为Mirae Asset Securities，联席承销商为Korea Investment & Securities。SFC生产用于蓝色OLED发光层的主体材料和掺杂材料，最大客户为Samsung Display；去年营收1608亿韩元、营业利润217亿韩元；最大股东为日本Hodogaya Chemical，其次为Samsung Venture Investment设立的投资基金。公司计划将上市募资用于开发下一代OLED发光材料并扩展半导体和生物材料业务；在半导体材料方面，公司已注册为一家大客户的一级供应商，正在进行量产评估并提供样品，该业务已开始产生部分收入。
Infineon 和 Wolfspeed 签署了一份多年供应协议，以 200mm SiC 晶圆取代 150mm 晶圆。
Infineon与Wolfspeed扩大合同，加强8英寸SiC采购。原文未说明原因，正文亦未提供具体时间、数量、金额或其他细节。
Infineon与Wolfspeed签署了一项多年期协议，由Wolfspeed供应200mm碳化硅(SiC)晶圆，该协议将两家公司现有的供应关系从150mm衬底转向200mm衬底。据Infineon新闻稿，该协议支持Infineon从150mm到200mm SiC制造的转换。Infineon为其全球制造网络（包括位于马来西亚居林的200mm SiC晶圆厂）从多家供应商采购SiC衬底，公司表示这一多源战略旨在确保供应的灵活性和质量。Infineon首席运营官Alexander Gorski表示，该协议进一步扩大了公司用于200mm大批量制造的供应基础，并建立在两家公司20年的供应关系之上。转向更大晶圆主要是成本问题：200mm晶圆比150mm晶圆提供更多可用裸片面积，从而降低单位衬底成本并提高整体制造效率。SiC功率半导体的需求主要来自电动汽车驱动系统、太阳能逆变器和工业电机驱动，Infineon还指出AI数据中心是新兴需求驱动力。两家公司均未披露协议金额或涉及的数量。
Navitas Semiconductor宣布与NVIDIA合作开发一款24 kW、800 VDC转12 VDC的电源传输板(PDB),面向下一代AI数据中心基础设施，基于Navitas的GaNFast技术，支持NVIDIA MGX生态系统，可将电源直接传送给高性能计算处理器(xPU)。该方案计划在2026年OCP全球峰会的NVIDIA AI Factory MGX Wall合作伙伴展示区展出。此板为Navitas此前与NVIDIA合作发布的20 kW、800 V转6 V电源板的后续产品，两者均支持高压直流配电过渡及GaN和SiC技术在AI基础设施中的应用。新板设计目标为最高24 kW输出、满载效率97%、功率密度超过2,000 W/in³,采用NVIDIA 400 mm × 60 mm外形规格，可集成在计算主板靠近xPU处；采用单级转换架构，直接将800 VDC转换为12 VDC,省去常规50 V转12 V中间总线转换器(IBC)级，减少转换步骤、功率损耗和元件数量；12 V输出向VRM供电。初级侧功率级使用16颗NV6034 GaNFast FET(650 V耐压、18 mΩ导通电阻)，采用堆叠半桥拓扑和8 mm × 8 mm双冷却DFN封装。
科瑞思拟收购深圳市宏钢光电封装技术股份有限公司100%股权以拓展封装业务。标的主营光通讯管壳及激光器管壳等。
标的业务整合进度及后续产能释放情况。
Global Technology于10月12日表示，已与Sungho Electronics子公司ADST开始共同开发用于ADST主动对准设备的紫外(UV)固化光源单元，该设备用于制造CPO系统及高速光收发器。项目涵盖UV固化LED驱动IC、UV LED光源模块和控制单元。主动对准设备在CPO量产工艺中执行光学对准，需以亚微米精度定位光纤、透镜和光学器件后用UV固化胶固定，UV输出与曝光时间须精确控制以减少固化时的收缩与位移。Global Technology指出，国内设备制造商此前大多依赖进口UV固化光源。这是两家公司继下一代显示器micro-LED合作后的第二次合作，计划构建国内量产生态并实现关键设备组件本土化；开发完成后，双方考虑将光源单元部署于ADST设备。Sungho Electronics是ADST母公司，也是Global Technology的战略投资者。业界预计2027或2028年1.6T级设备开始采用时CPO商业化将加速。
英飞凌与伊顿合作开发AI数据中心800VDC SiC功率模块。此举旨在满足AI基础设施对高功率密度的需求。
SiC功率模块供应链。
Navitas半导体完成对Claros的收购，旨在拓展AI基础设施电源组合。Claros专注于为下一代AI数据中心开发集成电压调节器（IVR）技术。
此次并购将强化Navitas在AI电源管理领域的布局，可能影响未来功率器件供应格局。
英飞凌将向伊顿提供碳化硅器件用于其800V数据中心固态变压器。该合作旨在提升连接AI数据中心与电网的电力转换效率与可靠性。
SiC功率器件在数据中心高功率场景的渗透率。
Navitas拟以2.328亿美元收购Claros，旨在强化GaN与SiC策略并覆盖800V基础设施至AI处理器的功率交付。此举将增强Navitas在高功率半导体领域的市场地位。
并购交易有助于提升Navitas在GaN和SiC供应链中的整合能力与产品竞争力。
Wolfspeed与LITEON达成战略合作，其SiC技术获准用于800VDC电源侧车及计算机架PSU平台。该认证验证了Wolfspeed在超大规模AI数据中心中的SiC需求，并预示着更广泛的CSP平台应用潜力。
SiC器件需求及Wolfspeed市场地位。
Navitas与Magnachip宣布战略合作，加速高压及超高压SiC技术采用。此举旨在推动SiC在功率市场的应用落地。
信号，预计将提振SiC市场需求及供应链合作。
英飞凌将向ADVANTICS供应1200V CoolSiC MOSFET及2EDB9259Y驱动器。该方案用于ADVANTICS的液冷功率转换器，应用于重卡MCS、数据中心微电网等场景。
该合作确认了英飞凌SiC器件在高压快充及储能领域的强劲需求。
onsemi副总裁Sam Francis确认与英诺赛科建立垂直GaN与横向GaN合作伙伴关系，并指出欧洲车企SiC采用周期长达24至36个月，显著慢于中国车企的12至18个月。
该合作及中国市场的快速采用预示着GaN与SiC功率器件需求将持续增长。