Contrel与FSE在TPCA Show 2026联合展示激光与等离子体技术，瞄准先进封装与高端基板制造
Contrel Technology与FSE在TPCA Show 2026上联合展示了双核心激光微加工与等离子体制程技术，目标市场为先进封装与高端基板制造。两家公司的解决方案涵盖从表面处理、残留物去除，到激光修整、去键合、开槽及切割等关键制程。
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Contrel Technology与FSE在TPCA Show 2026上联合展示了双核心激光微加工与等离子体制程技术，目标市场为先进封装与高端基板制造。两家公司的解决方案涵盖从表面处理、残留物去除，到激光修整、去键合、开槽及切割等关键制程。
ASML与Xanadu宣布开展合作，研究先进光刻工艺能否抑制光子量子计算中最关键的工程限制之一——光子损耗。双方将针对Xanadu的光子量子硬件研究先进光刻工艺，重点考察更严格的图形化控制能否抑制损耗机制并改善容错、实用规模机器的前景。该合作计划特别将光学损耗与线边缘粗糙度（LER）联系起来：光刻定义波导及其他纳米光子结构的横向边界，实际边缘中的纳米级偏差会扰动波导折射率边界，将导光耦合到辐射模式或产生背散射，导致传播损耗。ASML贡献光刻成像、工艺窗口、计量和计算校正方面的专长，Xanadu贡献器件需求、光子电路设计和量子级性能数据。原文明确指出：该合作并不意味着ASML在制造量子计算机，公告也未指定生产节点、工具平台或数值损耗目标；这是一项研究工作，旨在理解哪些光刻手段可以制造更低损耗的光子结构，近期成果是工艺知识而非成品容错机器。成功还将取决于封装、光纤到芯片耦合、探测器效率和光源质量，这些仅靠光刻无法解决。
据快科技10月20日报道，DeepSeek正与华为展开深度合作，参与影响华为未来人工智能芯片的设计，合作已超出通常的供应商与客户范畴，报道将其与中国两大科技企业加速降低对英伟达芯片依赖相关联。合作形式为华为工程师分阶段进驻DeepSeek办公地点，将大模型训练实际需求纳入芯片设计决策，相关反馈涉及计算任务分配、处理器间数据传输等细节，并将被纳入计划于明年年初推出的芯片设计。下一步为训练环节全面切换：DeepSeek计划最早于今年年底开始使用华为昇腾950DT进行预训练，目前测试仍在推进；一次大规模预训练通常需要数千至上万颗AI芯片组成集群并连续运行数周。供应层面，华为计划将2027年第一季度推出的昇腾960DT的大部分产能分配给DeepSeek，用于训练和推理。DeepSeek创始人梁文锋已向投资者透露，用华为及其他国产芯片训练下一代模型是公司最高优先事项之一。软件方面，DeepSeek已开源面向昇腾平台的TileLang编译工具及配套计算、通信组件，与面向英伟达的组件一一对应，且每个TileLang算子在昇腾上均已完成高性能实现。IDC数据显示，2026年上半年英伟达在中国AI芯片市场份额已降至34%，华为以28%紧随其后，差距缩至6个百分点；华为昇腾910C超节点已部署超过1000套，并设计出最多可搭载100万颗NPU的架构。上述训练切换与产能分配均为计划，测试仍在推进。
据THE ELEC 10月20日获取的信息，马斯克的特斯拉与SpaceX正在与韩国半导体材料、零部件及设备供应商洽谈，为其Terafab芯片制造项目构建供应链。多家公司已签署保密协议（NDA）并进入具体产品讨论。10月13日展览开幕当天上午，Terafab代表在旧金山举行的SEMICON West 2026（10月13日至15日）参观了约10家韩国公司的展位，包括ENF Technology、Dongjin Semichem、Asflow、BMT、GnG Intech、Unisem、MiCo和Hanmi Semiconductor；与许多公司的洽谈已进行数月。其中ENF Technology、Asflow和GnG Intech为首次接触；BMT洽谈阀门和流体处理部件；KoMiCo约一个月前与特斯拉和SpaceX签署三方NDA，讨论得州研发中试线的清洗服务；Unisem已签NDA讨论洗涤塔等环保设备；Dongjin Semichem与特斯拉洽谈两三个月，围绕其得州 thinner工厂，磷酸等材料也在讨论中；Hanmi Semiconductor正讨论向Terafab供应TC键合机；HPSP已同意为Terafab研发线供应一台高压氢退火（HPA）系统；ISC已进入样品和研发设计信息交换阶段。海外方面，Fujifilm定期与Terafab采购团队就CMP浆料、光刻胶、蚀刻剂和清洗化学品举行会议；Lam Research和Applied Materials据称已建立专门的Terafab团队。特斯拉和SpaceX不与中国供应商开展业务，业界人士称其寻求甚至低于中国供应商的价格，韩国因此成为优选。Terafab项目于3月由特斯拉、SpaceX和xAI宣布共同推进，目标是在10年内建成月处理100万片晶圆的工厂，初始投资估计为168亿美元，预计创造3000多个岗位；SpaceX本月初与得州签署税收减免协议并已开工建设，业界预期首期月产能10万片晶圆的设施在2030年前建成。上述供应合作多数仍处于洽谈阶段，尚未确认为最终供货。
Gaonchips于10月19日表示，将参与为韩国航空工业（KAI）运营的下一代无人系统开发人工智能（AI）半导体。该项目为KAI主导的空中无人平台项目，隶属于产业通商资源部（MOTIR）支持的K-On-Device AI半导体技术开发项目，Supergate为首席开发商。项目目标是开发一款作为下一代消耗型无人机“大脑”的AI片上系统（SoC），通过在设备端处理使无人机即使在通信中断或受限的环境下也能运行AI并独立执行任务。Gaonchips将使用三星电子的8纳米代工工艺实现自主研发的神经处理单元（NPU）和雷达信号处理技术，并负责整个芯片的物理设计和最终设计验证；KAI负责无人平台的系统集成与验证，Supergate主导AI芯片架构设计和软件开发。Gaonchips曾开发并量产5nm端侧AI半导体，并参与面向日本客户的2nm GAA工艺及2.5D封装AI加速器设计项目。
据西门子于2026年10月14日宣布，其与英伟达推进合作，将英伟达cuLitho库与西门子Calibre制造软件集成，旨在使复杂的光掩模优化在全芯片规模上切实可行。据西门子称，该集成可使全芯片光学校近校正（OPC）工作负载速度提升至多12倍；西门子另引用针对选定工作负载至少10倍至17倍的仿真加速。这些测量针对特定计算任务，并不等同于整个芯片制造流程的等效加速，也不保证对每个客户配置都有相同改进。开发动因是工程师设计的图形不会自动精确印到硅片上：在极小尺寸下，衍射等物理效应会扭曲投影图像，而计算光刻可预测这些效应并调整光掩模几何形状。西门子将转向高数值孔径极紫外光刻（High-NA EUV）视为一大挑战。西门子还表示，加速可将漫长的周转时间从数周缩短至数天，并可能降低能耗和计算基础设施占用；其意义取决于在扩大有用优化规模的同时保持精度。
据市场消息，英伟达已要求三星电子、SK海力士和美光科技为其生产NVHBM（英伟达的定制HBM技术，HBM即高带宽内存），其中基底裸片（BaseDie）采用台积电3nm制程，核心裸片（CoreDie）则采用第六代DRAM（动态随机存取存储器）技术，消息称三星电子已决定接受英伟达的技术要求。该消息的真实性尚属传闻层面：10月19日，三星电子回应称，公司不对涉及客户的事项发表评论。原文未说明原因。
LG将于10月19日开始集团旗下所有子公司的业务审视会议，由LG董事长兼CEO具光谟主持，各子公司CEO及事业部门负责人参加，会议将审视公司2026年业务表现及2027年计划。审视首先从LG电子、LG Display、LG Innotek等电子类子公司开始，随后是LG能源解决方案、LG化学等化学与电池业务，以及LG Uplus、LG CNS等电信与服务类子公司，整个过程将持续约一个月。会议将讨论与Nvidia、Microsoft等全球科技公司的具体业务合作及后续实施计划。LG在2026年加强了与Nvidia在AI工厂、物理AI和移动出行方面的合作，并已同意扩大与Microsoft在AI基础设施方面的合作。LG还将在2026年3月聚焦AX执行、6月聚焦Winning R&D、9月聚焦投资策略细化作为季度讨论主题；9月CEO会议上，具光谟敦促高管“以速度和持续执行确保在AI未来战场取胜”。该举措属于LG整合集团能力的“One LG”战略的一部分，目标是在关键未来AI市场取得成果，而非短期合作。
10月19日，北京铭芯启睿科技有限公司宣布完成超4亿元A轮融资，由博原资本领投，博世创投、米哈游、兆易创新等跟投，小米战投等老股东持续加注；相关报道未披露本轮估值及股权稀释比例。本轮资金将用于RRAM（阻变存储器）产业化、商业化及新产品LPU（语言处理单元）研发。同日披露前Graphcore总裁兼大中华区总经理卢涛加入公司，出任CEO兼联合创始人，并启动第一代LPU研发，面向大模型推理场景；卢涛表示第一代LPU不采用RRAM，将使用更成熟的存储介质，目标为支持数万亿参数完整模型、实现每用户每秒1000 Token，该指标为研发目标，尚无实测性能支撑；LPU目前处于研发阶段，未披露流片、验证或交付时间表。此前10月14日，公司发布首代1Gb RRAM芯片泰山一号流片信息，基于1TnR技术路线（1T4R结构，一个选择晶体管对应四个阻变存储单元），搭配28纳米CMOS工艺，披露存储密度30Mb/mm²、访问延时小于20纳秒，并集成片上硬件纠错电路；泰山一号已完成流片、正在推进验证，尚未披露量产进展。公司三条产品线中的嵌入式RRAM IP已进入客户场景并计划扩大规模，但未披露客户名称、订单金额或出货量；混合存算产品未披露具体芯片型号、流片进度或商业化节点。
英伟达要求三星、美光和海力士使用台积电3纳米节点制造的基die用于其定制NVHBM，原因是标准化；三星和美光已确认同意该请求，预计2027年量产；海力士已使用台积电12纳米工艺生产HBM4基die；三星亦在验证其2纳米工艺作为备用；三星将继续为不想采用NVHBM的客户生产标准HBM。NVHBM相比标准HBM4E可提供最高30.%更高带宽和15%更低功耗。
据《首尔经济日报》10月18日援引业内消息人士的报道，三星电子在内部评估后已同意使用台积电3nm工艺为NVHBM（英伟达下一代定制HBM）生产基底裸片（base die）。报道称，这将是两家公司首次在HBM制造阶段展开合作。报道指出，英伟达的定制内存设计正在将HBM制造的部分控制权从内存厂商转移至其最大客户，并将其中一部分工作导向台积电。该内容为媒体报道，援引业内消息人士，合作实际落地情况有待确认。
据Seoul Economic Daily报道（ZDNet曾在9月报道三星为定制HBM采取双轨策略，同时利用自家代工和竞争对手台积电），NVIDIA已要求三星、SK hynix和美光在其于8月发布的NVHBM基底层中采用台积电3nm工艺。据称三星设备解决方案（DS）部门经内部评估后同意了这一要求。报道给出的原因是：NVIDIA推动供应商间生产标准化以确保HBM性能一致并简化产品验证；此外行业估计台积电3nm良率超过90%，而三星代工2nm（SF2）工艺良率约为60%。NVHBM的定制基底层集成了传统上由GPU承载的内存控制器；据NVIDIA称，相比标准HBM4E，该技术提供最多30%的更高内存带宽、15%的更低HBM功耗和25%的更多XPU计算裸片面积。该合作并非全新：据Seoul Economic Daily，三星和台积电四年前首次合作以确保HBM与台积电GPU封装工艺兼容，此次是首次延伸至HBM制造。三星仍保留自有代工选项：由于台积电3nm产能面临AI加速器和智能手机芯片的竞争需求，三星正在2nm工艺上验证NVHBM基底层生产，作为台积电产能受限时的潜在替代方案。台积电在10月15日的财报电话会议上提示3nm产能紧张，该节点占第三季度晶圆销售额的33%，为其所有工艺节点中最大份额；据Economic Daily News，董事长兼CEO魏哲家宣布在台南再建一座3nm晶圆厂的计划（叠加亚利桑那、日本熊本和台湾南部科学园区的现有扩建项目），新厂定于2028年上半年开始量产。三星还继续为标准HBM产品线自制基底层：今年早些时候进入量产的HBM4和正在进行生产验证的HBM4E均使用三星代工4nm工艺制造基底层，其核心裸片在其华城和平泽园区的1c DRAM产线上制造；三星计划对供应其他客户（包括AMD）的定制HBM保持基底层turnkey生产方式。
英伟达推动NVHBM标准化计划，要求三星、台积电、美光和SK海力士统一采用台积电3纳米工艺生产基底芯片，核心存储芯片采用第六代DRAM工艺。三星首次接受放弃HBM完全自主的“交钥匙”模式。NVHBM预计带宽增加30%，功耗降低15%。三星代工亏损从2025年6.74万亿韩元降至2026年3.92万亿韩元，降幅41%。
10月16日，理想汽车宣布旗下芯片子公司上海马赫心科技有限公司签署首轮股权融资协议，认购总额为16.25亿元，其中理想汽车通过全资附属公司出资10亿元，外部投资方合计出资6.25亿元；若杭州经韬及其关联基金在2026年12月31日前按同价悉数行使不超过5亿元的追加认购权，投后估值最高将达171亿元，理想汽车将继续保持控股地位。融资将用于支持芯片及域控制器研发与商业化，推进面向外部客户的产品供应与合作，尤其是拓展非汽车领域的市场机会。产品方面，马赫M100采用5nm车规级工艺，单颗算力达1280 TOPS，已搭载于新一代理想量产车型。另据接近理想人士透露，除芯片之外，碳化硅模块、增程器也开始考虑对外销售。该融资协议为已签署、尚属计划推进阶段的事项。
据IT之家10月16日报道，理想汽车宣布旗下芯片子公司上海马赫心科技有限公司已签署首轮股权融资协议，认购总额为16.25亿元人民币。本轮融资由杭州经韬、蓝驰创投及华业天成领投，奇绩创坛参与投资；理想汽车通过全资附属公司出资10亿元，外部投资者合计出资6.25亿元。杭州经韬及其关联基金获得一项一次性追加认购权，可在2026年12月31日前按相同价格额外投资不超过5亿元；若该认购权悉数行使，马赫心科技的投后估值将达到171亿元。融资完成后，理想汽车预计持有马赫心科技约74.01%的股权，继续保持控股地位。背景方面，公开报道显示理想汽车自2021年开始论证自研芯片可行性，2022年正式立项，组建约200人的专项团队；其自研的马赫M100芯片采用5nm车规级工艺，单芯片算力达1280 TOPS，搭载8通道LPDDR5X内存，峰值带宽273GB/s，于2026年5月实现量产上车，首发搭载于全新理想L9 Livis车型；理想汽车将其称为“全球首款量产的动态数据流AI芯片”，实际运行效率超过82%，目前已随全新理想L9、L8等车型量产交付。原文未说明本次融资的具体原因。
HD Hyundai Electric于10月16日表示，其于前一天在韩国京畿道城南市的HD Hyundai全球研发中心与LG CNS签署了谅解备忘录（MOU），就数据中心电力基础设施和智能工厂开发展开合作。双方将建立系统，以整体包形式供应AI数据中心所需的电力设备和配电设施，并将共同寻找商机、争取韩国国内及海外的数据中心电力基础设施项目合同。双方还考虑将LG CNS的AI、云和数据分析技术整合到HD Hyundai Electric的电力监控平台中。在制造方面，合作将聚焦HD Hyundai Electric清州配送园区（Cheongju Distribution Campus）的生产和物流自动化，HD Hyundai Electric提供制造现场数据，LG CNS应用其制造AI及工艺和物流自动化技术。合作尚属签署MOU阶段，属于计划性合作，具体合同和落地尚未实现。
Gaonchips于10月15日宣布加入Arm Total Design for Physical AI，成为首家参与该倡议的韩国设计解决方案提供商，作为技术合作伙伴支持Arm-based半导体在物理AI应用中的实施，并将通过硅到系统的合作提供从芯片设计到系统实施的全过程支持。原文未说明原因。
据Wccftech报道，一位韩国半导体工程师（X账号@TTHUEONE）指控特斯拉在与三星的AI5和AI6芯片代工合同中要求获取三星内部晶圆厂信息及审计权，同时大幅压低代工价格；该工程师还指控Terafab项目从三星位于得州的Taylor晶圆厂挖走大量员工，并称特斯拉之所以转向Samsung Foundry是因为TSMC未满足其要求。此前本周早些时候，马斯克曾称赞美光在存储芯片未来价格上'合理'，并称其他厂商'敲诈'，被普遍解读为对三星的批评。背景方面：Business Post曾在3月警示Terafab（厂址距三星Taylor厂约30分钟车程）可能加剧对人才和设备以及知识产权/制程诀窍的竞争；Financial News于10月12日报道三星已开始从韩国抽调先进制程良率工程师赴Taylor厂并扩大当地招聘，为计划2027年的2nm量产做准备，目标2026年底前投运，特斯拉是关键客户之一；Seoul Economic Daily在9月报道三星已在Taylor厂试产特斯拉AI5芯片，良率验证进行中，2027年全面量产。AsiaToday早前报道称特斯拉AI5/AI6订单预计支撑Taylor厂初期产能利用率，且TSMC可能参与Terafab或使三星争取未来订单复杂化。TSMC董事长魏哲家确认正就Terafab进行讨论但结果不确定，并强调涉及TSMC的晶圆厂须由其自身运营；而据路透社，马斯克在10月7日表示其公司将自建自营Terafab，TSMC可能转租部分设施而非承担运营角色。
据韩国ZDNet援引业内人士，三星电子正考虑为OLED版Galaxy手机的显示驱动芯片（DDI）增加第二家代工供应商，以降低对台湾联电（UMC）的依赖，并可能从2027年底起在部分中低端Galaxy A系列手机中采用格芯（GF）生产的DDI。目前相关芯片由三星系统LSI部门设计、全部交由UMC以22纳米制程代工；三星据称正评估让GF使用22纳米或28纳米制程代工，候选产能涉及新加坡和德国工厂，但具体设计导入、验证及量产安排尚未公布，三星和GF也未正式确认合作，2027年底的时间点仅为业内预计。报道称此调整与存储器需求旺盛带动成熟制程产能吃紧有关：三星7月推出Galaxy Z Fold8后市场需求高于预期，曾要求UMC加急生产，但UMC的22纳米产线已接近满载，三星因此将原定9月Fold8零部件生产计划中的约10%顺延至10月，并据称动用了原本留给下一代产品开发的部分DDI库存。此次调整针对OLED Galaxy手机DDI的晶圆制造，并不意味着三星将把自家芯片设计业务或全部手机处理器转交给GF。
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |