Flip Electronics与Synaptics达成授权分销协议，覆盖嵌入式计算、无线连接和传感元器件。原文未说明协议生效日期、财务条款或原因。该事件来自EE Times Asia的报道，仅为分销网络扩张消息，未涉及具体元器件型号或数量。
据Seoul Economic Daily报道（ZDNet曾在9月报道三星为定制HBM采取双轨策略，同时利用自家代工和竞争对手台积电），NVIDIA已要求三星、SK hynix和美光在其于8月发布的NVHBM基底层中采用台积电3nm工艺。据称三星设备解决方案（DS）部门经内部评估后同意了这一要求。报道给出的原因是：NVIDIA推动供应商间生产标准化以确保HBM性能一致并简化产品验证；此外行业估计台积电3nm良率超过90%，而三星代工2nm（SF2）工艺良率约为60%。NVHBM的定制基底层集成了传统上由GPU承载的内存控制器；据NVIDIA称，相比标准HBM4E，该技术提供最多30%的更高内存带宽、15%的更低HBM功耗和25%的更多XPU计算裸片面积。该合作并非全新：据Seoul Economic Daily，三星和台积电四年前首次合作以确保HBM与台积电GPU封装工艺兼容，此次是首次延伸至HBM制造。三星仍保留自有代工选项：由于台积电3nm产能面临AI加速器和智能手机芯片的竞争需求，三星正在2nm工艺上验证NVHBM基底层生产，作为台积电产能受限时的潜在替代方案。台积电在10月15日的财报电话会议上提示3nm产能紧张，该节点占第三季度晶圆销售额的33%，为其所有工艺节点中最大份额；据Economic Daily News，董事长兼CEO魏哲家宣布在台南再建一座3nm晶圆厂的计划（叠加亚利桑那、日本熊本和台湾南部科学园区的现有扩建项目），新厂定于2028年上半年开始量产。三星还继续为标准HBM产品线自制基底层：今年早些时候进入量产的HBM4和正在进行生产验证的HBM4E均使用三星代工4nm工艺制造基底层，其核心裸片在其华城和平泽园区的1c DRAM产线上制造；三星计划对供应其他客户（包括AMD）的定制HBM保持基底层turnkey生产方式。
英伟达推动NVHBM标准化计划，要求三星、台积电、美光和SK海力士统一采用台积电3纳米工艺生产基底芯片，核心存储芯片采用第六代DRAM工艺。三星首次接受放弃HBM完全自主的“交钥匙”模式。NVHBM预计带宽增加30%，功耗降低15%。三星代工亏损从2025年6.74万亿韩元降至2026年3.92万亿韩元，降幅41%。
西门子宣布扩大与英伟达的合作，以加速面向下一代AI芯片的计算光刻，全芯片光学邻近校正（OPC）工作负载速度最高提升12倍。双方正在将英伟达的cuLitho GPU加速库与西门子的Calibre制造软件集成，以应对先进半导体制造中最大的瓶颈之一。原文未说明原因（指该合作背后除技术瓶颈外的原因）。该事件为合作扩大的公告，其最终实施效果以原文所述为准。
10月16日，理想汽车宣布旗下芯片子公司上海马赫心科技有限公司签署首轮股权融资协议，认购总额为16.25亿元，其中理想汽车通过全资附属公司出资10亿元，外部投资方合计出资6.25亿元；若杭州经韬及其关联基金在2026年12月31日前按同价悉数行使不超过5亿元的追加认购权，投后估值最高将达171亿元，理想汽车将继续保持控股地位。融资将用于支持芯片及域控制器研发与商业化，推进面向外部客户的产品供应与合作，尤其是拓展非汽车领域的市场机会。产品方面，马赫M100采用5nm车规级工艺，单颗算力达1280 TOPS，已搭载于新一代理想量产车型。另据接近理想人士透露，除芯片之外，碳化硅模块、增程器也开始考虑对外销售。该融资协议为已签署、尚属计划推进阶段的事项。
10月15日，网络设备厂商Gemtek Technology宣布与Starman Holdings旗下子公司Starman New Photonics建立战略合作伙伴关系，将在美国成立合资企业。新实体将制造先进光收发模块，以抓住超大规模AI数据中心带动光互连需求的商机。原文未说明该合资企业的成立时间表或是否已获监管批准。
Gaonchips于10月15日宣布加入Arm Total Design for Physical AI，成为首家参与该倡议的韩国设计解决方案提供商，作为技术合作伙伴支持Arm-based半导体在物理AI应用中的实施，并将通过硅到系统的合作提供从芯片设计到系统实施的全过程支持。原文未说明原因。
Infineon 和 Wolfspeed 签署了一份多年供应协议，以 200mm SiC 晶圆取代 150mm 晶圆。
Altair Semiconductor宣布正在将Iridium NTN Direct能力集成到其ALT1350及下一代ALT1550物联网芯片组中。通过在单一芯片组上结合地面蜂窝物联网与Iridium卫星连接，设备制造商、模块厂商和移动网络运营商可通过Iridium卫星网络扩展物联网连接，无需在设计中外加独立卫星调制解调器。该合作将Altair的蜂窝物联网芯片组技术与Iridium基于3GPP标准的非地面网络(NTN)服务相结合。ALT1350为超低功耗LTE-M/NB-IoT芯片组，适用于资产追踪、物流、智能计量、农业、车载远程信息处理、工业监控和远程基础设施；ALT1550为5G eRedCap芯片组，面向智能眼镜、AI助手及可穿戴设备等新一代AI驱动的5G eRedCap设备。Iridium NTN Direct利用Iridium完全运行的LEO卫星星座和全球协调的L波段频谱，支持采用兼容3GPP标准芯片组的NB-IoT和直连设备(D2D)应用。原文未说明该集成完成的具体时间，此为合作/集成计划公告。
2026年10月16日，西班牙深技术初创公司Qilimanjaro Quantum Tech宣布完成其Series A融资首轮闭环，金额约为2000万欧元（实际为1960万欧元），由Indra Group通过IndraMind领投1000万欧元，西班牙技术转型协会（SETT）再投资960万欧元。公司表示新资金将用于扩大和工业化其量子计算机，推进新一代芯片研发，提升制造和部署能力，并计划在2026年第四季度完成剩余融资，引入Avançsa及其他现有投资者。
Nvidia 正通过与多家中国主要游戏开发商合作，将其下一代深度学习超采样（DLSS）5 神经渲染技术引入这些开发商的游戏作品，合作方包括网易、腾讯、完美世界旗下 Hotta Studio 以及北京灵游坊网络科技有限公司，以此扩大其在中国游戏市场的布局。文中未给出具体日期、游戏数量或商业化时间表，该推进仅为来源所述的市场拓展举措。
据韩国媒体ZDNet 10月15日报道（IT之家10月16日消息），因Galaxy Z Fold8市场需求超出预期，三星此前要求独家代工方联电追加生产DDI，但联电的22纳米DDI产线已满负荷运转，无法承接紧急订单，导致三星削减Z Fold8部分零部件的9月生产计划并顺延至10月，拖累出货节奏与营收表现。为降低对单一供应商的依赖并避免再度出现生产瓶颈，三星正考虑为Galaxy手机OLED DDI引入第二家代工厂，格芯成为主要评估对象，消息称三星正在考察格芯位于新加坡和德国的22纳米、28纳米生产设施。若合作落地，格芯代工的DDI芯片最快可能在2027年底进入Galaxy供应链，并率先用于搭载OLED屏幕的中低端Galaxy A系列机型。三星尚未正式公布相关供应安排，格芯能否获得订单仍取决于产能、良率、成本及认证测试等因素。
中国最大的芯片设备制造商正通过收购方式进入混合键合（hybrid bonding）领域，这是一种先进封装工艺，全球厂商从Besi到ASML也在竞相追逐。分析师指出，对中国企业而言利害关系不同：由于美国出口管制限制了获取先进制程晶体管微缩所需设备的渠道，更密集地堆叠和连接芯片已成为缩小性能差距所剩无几的路径之一，华为将这一路线概括为其'Tau scaling law'（Tau扩展定律）。事件为正在进行的收购布局，具体收购标的、金额与时间表原文未说明。
据TrendForce转发的报道，市场传闻三星可能终结UMC在三星Galaxy OLED显示驱动芯片（DDI）上的独家供应地位：在成熟节点产能趋紧的背景下，三星据报正在考虑将GlobalFoundries作为第二家DDI供应商，采用时间最早可能在2027年底。原文未说明原因。该消息目前仅为传闻/报道，尚无确认的合同或量产事实。
据知情人士，字节跳动正与联发科就采购定制数据中心芯片进行深入谈判，双方可能很快达成协议。若达成协议，将帮助字节跳动确保关键芯片供应，同时扩大联发科的数据中心业务，并加剧与高通及其他芯片制造商的竞争。目前交易尚未达成，处于谈判阶段，原文未说明原因以外的其他背景。
据Wccftech报道，一位韩国半导体工程师（X账号@TTHUEONE）指控特斯拉在与三星的AI5和AI6芯片代工合同中要求获取三星内部晶圆厂信息及审计权，同时大幅压低代工价格；该工程师还指控Terafab项目从三星位于得州的Taylor晶圆厂挖走大量员工，并称特斯拉之所以转向Samsung Foundry是因为TSMC未满足其要求。此前本周早些时候，马斯克曾称赞美光在存储芯片未来价格上'合理'，并称其他厂商'敲诈'，被普遍解读为对三星的批评。背景方面：Business Post曾在3月警示Terafab（厂址距三星Taylor厂约30分钟车程）可能加剧对人才和设备以及知识产权/制程诀窍的竞争；Financial News于10月12日报道三星已开始从韩国抽调先进制程良率工程师赴Taylor厂并扩大当地招聘，为计划2027年的2nm量产做准备，目标2026年底前投运，特斯拉是关键客户之一；Seoul Economic Daily在9月报道三星已在Taylor厂试产特斯拉AI5芯片，良率验证进行中，2027年全面量产。AsiaToday早前报道称特斯拉AI5/AI6订单预计支撑Taylor厂初期产能利用率，且TSMC可能参与Terafab或使三星争取未来订单复杂化。TSMC董事长魏哲家确认正就Terafab进行讨论但结果不确定，并强调涉及TSMC的晶圆厂须由其自身运营；而据路透社，马斯克在10月7日表示其公司将自建自营Terafab，TSMC可能转租部分设施而非承担运营角色。
据韩国ZDNet援引业内人士，三星电子正考虑为OLED版Galaxy手机的显示驱动芯片（DDI）增加第二家代工供应商，以降低对台湾联电（UMC）的依赖，并可能从2027年底起在部分中低端Galaxy A系列手机中采用格芯（GF）生产的DDI。目前相关芯片由三星系统LSI部门设计、全部交由UMC以22纳米制程代工；三星据称正评估让GF使用22纳米或28纳米制程代工，候选产能涉及新加坡和德国工厂，但具体设计导入、验证及量产安排尚未公布，三星和GF也未正式确认合作，2027年底的时间点仅为业内预计。报道称此调整与存储器需求旺盛带动成熟制程产能吃紧有关：三星7月推出Galaxy Z Fold8后市场需求高于预期，曾要求UMC加急生产，但UMC的22纳米产线已接近满载，三星因此将原定9月Fold8零部件生产计划中的约10%顺延至10月，并据称动用了原本留给下一代产品开发的部分DDI库存。此次调整针对OLED Galaxy手机DDI的晶圆制造，并不意味着三星将把自家芯片设计业务或全部手机处理器转交给GF。
KeyBanc近期亚洲调研的相关转述消息称，英特尔代工服务已取得多家科技公司的项目进展，涉及博通、Google、苹果、AMD、微软和英伟达，项目包括为博通制造网络交换芯片、为Google和微软生产服务器CPU、为苹果制造A系列与M系列处理器、为AMD生产客户端处理器计算模块，以及为英伟达Rubin游戏显卡代工芯片；亚马逊AWS、Anthropic和SpaceX/Tesla旗下Terafab据称仍在评估英特尔14A与18A-P工艺。报道明确指出，客户名单及合同状态尚未得到英特尔或相关公司公开确认，且未披露签约范围、具体制程、投片时间或采购数量，不宜视为已确认的量产订单。KeyBanc估算：苹果项目可能涉及约60万片晶圆，潜在收入150亿至200亿美元；Anthropic定制ASIC项目可能达500万至1000万颗，若计入先进封装，潜在收入或为400亿至800亿美元；英特尔EMIB-T先进封装或为Google TPU项目带来约120亿至150亿美元收入，EMIB-M也可能参与亚马逊Trainium 3及微软Cobalt 400相关项目，均为分析师估算而非已披露合同金额或实际营收。背景方面，英特尔称18A工艺已进入自有产品量产阶段，18A-P于2026年上半年进入风险试产，且在相同功耗下性能较18A提高约9%或在相同性能下功耗降低约18%；14A风险试产目标为2027年下半年，内部产品计划2028年进入高量产爬坡，相较18A在相同功耗下可提升15%至20%性能或在相同性能下降低25%至35%功耗、密度最高提升约30%，这些为厂商制程目标数据，未经第三方客户产品验证。原文未说明原因为该消息属未证实的分析师转述。
Infineon与Wolfspeed签署了一项多年期协议，由Wolfspeed供应200mm碳化硅(SiC)晶圆，该协议将两家公司现有的供应关系从150mm衬底转向200mm衬底。据Infineon新闻稿，该协议支持Infineon从150mm到200mm SiC制造的转换。Infineon为其全球制造网络（包括位于马来西亚居林的200mm SiC晶圆厂）从多家供应商采购SiC衬底，公司表示这一多源战略旨在确保供应的灵活性和质量。Infineon首席运营官Alexander Gorski表示，该协议进一步扩大了公司用于200mm大批量制造的供应基础，并建立在两家公司20年的供应关系之上。转向更大晶圆主要是成本问题：200mm晶圆比150mm晶圆提供更多可用裸片面积，从而降低单位衬底成本并提高整体制造效率。SiC功率半导体的需求主要来自电动汽车驱动系统、太阳能逆变器和工业电机驱动，Infineon还指出AI数据中心是新兴需求驱动力。两家公司均未披露协议金额或涉及的数量。
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |