据报道,英伟达定制HBM使三星采用台积电3nm工艺生产NVHBM基底裸片
据《首尔经济日报》10月18日援引业内消息人士的报道,三星电子在内部评估后已同意使用台积电3nm工艺为NVHBM(英伟达下一代定制HBM)生产基底裸片(base die)。报道称,这将是两家公司首次在HBM制造阶段展开合作。报道指出,英伟达的定制内存设计正在将HBM制造的部分控制权从内存厂商转移至其最大客户,并将其中一部分工作导向台积电。该内容为媒体报道,援引业内消息人士,合作实际落地情况有待确认。
- 相关厂商
- Samsung Electronics、TSMC、Nvidia
- 料号
- NVHBM
- 影响评分
- 50 / 100,中等影响