英伟达据悉成功从人工智能初创公司Modal赢得CPU芯片订单
据报道，英伟达成功从快速增长的人工智能初创公司Modal赢得中央处理器(CPU)芯片订单。Modal此前完全依赖英特尔和AMD芯片，这一订单初步表明，英伟达进军长期由英特尔和AMD这两家竞争对手主导的市场已取得成效。（消息来源：财联社；原文未说明原因）
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据报道，英伟达成功从快速增长的人工智能初创公司Modal赢得中央处理器(CPU)芯片订单。Modal此前完全依赖英特尔和AMD芯片，这一订单初步表明，英伟达进军长期由英特尔和AMD这两家竞争对手主导的市场已取得成效。（消息来源：财联社；原文未说明原因）
日本三菱电机在公告中宣布以1150亿日元将其旗下汽车设备子公司50%的股权转让给鸿海（富士康母公司），并预计该交易将使其账面亏损约1000亿日元；交易通过签订合作协议推进，公告内容不等于已全部完成交割。该子公司长期为日产、丰田等车企供应电机、逆变器等核心部件，年营收规模约8756亿日元，文中称其承载三菱电机上百年设备技术积淀，属于核心资产。原文将出售原因归于三菱电机借此弥补亏损窟窿，并联系日本七大车企2026财年合计净利润预测3.9万亿日元、较2023财年7.54万亿日元峰值暴跌48%，以及日产净亏损5331亿日元、三菱净利润同比暴跌76%至100亿日元等财务压力等背景。
10月19日消息，RISC-V AI计算企业Tenstorrent于美国当地时间今日宣布完成总额达15亿美元（约合100.39亿元人民币）的E轮融资，投后估值达到62亿美元（约合414.95亿元人民币）。该企业由知名芯片设计师Jim Keller领导，此前在2024年底以约27亿美元的投后估值进行了D轮融资。本轮融资由Trace Capital和Innovation X领投，多家新老投资者参与。资金将用于支持Tenstorrent的大规模量产和全球商业扩张。Jim Keller表示其构建了统一架构并以各种规格销售，投资者认同这一模式。
据市场消息，英伟达已要求三星电子、SK海力士和美光科技为其生产NVHBM（英伟达的定制HBM技术，HBM即高带宽内存），其中基底裸片（BaseDie）采用台积电3nm制程，核心裸片（CoreDie）则采用第六代DRAM（动态随机存取存储器）技术，消息称三星电子已决定接受英伟达的技术要求。该消息的真实性尚属传闻层面：10月19日，三星电子回应称，公司不对涉及客户的事项发表评论。原文未说明原因。
Elektrobit与Microchip合作，将Microchip的汽车硬件平台与Elektrobit的AUTOSAR软件、工具和自动化能力相结合，以简化并加速汽车制造商和供应商的AUTOSAR-based软件开发，帮助客户更快建立生产就绪的软件基础。
快科技10月19日报道，据媒体报道，当地时间上周日，斯巴鲁公布了一项计划：拟在本十年后半段推出软件定义汽车（SDV），并将整车开发周期缩短约40%，以加快新车型投放速度。斯巴鲁在位于东京北部佐野市的研发中心举办战略说明会，表示会在全系车型逐步搭载全新自研的集成电子控制单元（ECU），并称该集成ECU的核心芯片由其与美国芯片厂商AMD联合开发。斯巴鲁计划借助数字仿真完成原型开发，并行开展设计、测试与生产准备工作以压缩开发时长，目标是让旗下软件定义汽车支持OTA远程升级，覆盖驾驶辅助、自动驾驶及整车性能相关功能，并在纯电、混动及燃油车型上统一电子平台架构。斯巴鲁还表示目前暂无采用丰田Arene软件平台的计划，尽管丰田持有其21%股份。丰田上周五表示，预计到2030年Arene平台每年搭载于1000万台新车，并在2035年拓展应用至联盟合作伙伴的车型。上述内容均为公布或预计的计划，尚非已实现的结果。
据Seoul Economic Daily报道（ZDNet曾在9月报道三星为定制HBM采取双轨策略，同时利用自家代工和竞争对手台积电），NVIDIA已要求三星、SK hynix和美光在其于8月发布的NVHBM基底层中采用台积电3nm工艺。据称三星设备解决方案（DS）部门经内部评估后同意了这一要求。报道给出的原因是：NVIDIA推动供应商间生产标准化以确保HBM性能一致并简化产品验证；此外行业估计台积电3nm良率超过90%，而三星代工2nm（SF2）工艺良率约为60%。NVHBM的定制基底层集成了传统上由GPU承载的内存控制器；据NVIDIA称，相比标准HBM4E，该技术提供最多30%的更高内存带宽、15%的更低HBM功耗和25%的更多XPU计算裸片面积。该合作并非全新：据Seoul Economic Daily，三星和台积电四年前首次合作以确保HBM与台积电GPU封装工艺兼容，此次是首次延伸至HBM制造。三星仍保留自有代工选项：由于台积电3nm产能面临AI加速器和智能手机芯片的竞争需求，三星正在2nm工艺上验证NVHBM基底层生产，作为台积电产能受限时的潜在替代方案。台积电在10月15日的财报电话会议上提示3nm产能紧张，该节点占第三季度晶圆销售额的33%，为其所有工艺节点中最大份额；据Economic Daily News，董事长兼CEO魏哲家宣布在台南再建一座3nm晶圆厂的计划（叠加亚利桑那、日本熊本和台湾南部科学园区的现有扩建项目），新厂定于2028年上半年开始量产。三星还继续为标准HBM产品线自制基底层：今年早些时候进入量产的HBM4和正在进行生产验证的HBM4E均使用三星代工4nm工艺制造基底层，其核心裸片在其华城和平泽园区的1c DRAM产线上制造；三星计划对供应其他客户（包括AMD）的定制HBM保持基底层turnkey生产方式。
英伟达推动NVHBM标准化计划，要求三星、台积电、美光和SK海力士统一采用台积电3纳米工艺生产基底芯片，核心存储芯片采用第六代DRAM工艺。三星首次接受放弃HBM完全自主的“交钥匙”模式。NVHBM预计带宽增加30%，功耗降低15%。三星代工亏损从2025年6.74万亿韩元降至2026年3.92万亿韩元，降幅41%。
onsemi与Sungrow宣布将onsemi的EliteSiC混合功率模块技术集成到Sungrow的PowerTitan 3.0储能平台，用于电网级储能系统的高功率DC-AC转换。据onsemi称，与上一代平台相比，新架构将逆变器级效率提升0.4个百分点，支持额定功率最高450 kW的功率转换单元，峰值效率超过99.3%。onsemi的分析显示，在100 MW电池储能装置中，0.4%的效率提升每年可节省超过475 MWh电量（与上一代模块相比）。该SiC混合技术结合碳化硅与硅功率器件，采用三级逆变器架构，提供更高功率密度和更好热性能。双方曾在平台开发、系统优化、工程验证和资格认证方面合作，此次采用建立在两家公司既有的战略关系之上。
2026年10月16日，西班牙深技术初创公司Qilimanjaro Quantum Tech宣布完成其Series A融资首轮闭环，金额约为2000万欧元（实际为1960万欧元），由Indra Group通过IndraMind领投1000万欧元，西班牙技术转型协会（SETT）再投资960万欧元。公司表示新资金将用于扩大和工业化其量子计算机，推进新一代芯片研发，提升制造和部署能力，并计划在2026年第四季度完成剩余融资，引入Avançsa及其他现有投资者。
据韩国媒体ZDNet 10月15日报道（IT之家10月16日消息），因Galaxy Z Fold8市场需求超出预期，三星此前要求独家代工方联电追加生产DDI，但联电的22纳米DDI产线已满负荷运转，无法承接紧急订单，导致三星削减Z Fold8部分零部件的9月生产计划并顺延至10月，拖累出货节奏与营收表现。为降低对单一供应商的依赖并避免再度出现生产瓶颈，三星正考虑为Galaxy手机OLED DDI引入第二家代工厂，格芯成为主要评估对象，消息称三星正在考察格芯位于新加坡和德国的22纳米、28纳米生产设施。若合作落地，格芯代工的DDI芯片最快可能在2027年底进入Galaxy供应链，并率先用于搭载OLED屏幕的中低端Galaxy A系列机型。三星尚未正式公布相关供应安排，格芯能否获得订单仍取决于产能、良率、成本及认证测试等因素。
据韩国ZDNet援引业内人士，三星电子正考虑为OLED版Galaxy手机的显示驱动芯片（DDI）增加第二家代工供应商，以降低对台湾联电（UMC）的依赖，并可能从2027年底起在部分中低端Galaxy A系列手机中采用格芯（GF）生产的DDI。目前相关芯片由三星系统LSI部门设计、全部交由UMC以22纳米制程代工；三星据称正评估让GF使用22纳米或28纳米制程代工，候选产能涉及新加坡和德国工厂，但具体设计导入、验证及量产安排尚未公布，三星和GF也未正式确认合作，2027年底的时间点仅为业内预计。报道称此调整与存储器需求旺盛带动成熟制程产能吃紧有关：三星7月推出Galaxy Z Fold8后市场需求高于预期，曾要求UMC加急生产，但UMC的22纳米产线已接近满载，三星因此将原定9月Fold8零部件生产计划中的约10%顺延至10月，并据称动用了原本留给下一代产品开发的部分DDI库存。此次调整针对OLED Galaxy手机DDI的晶圆制造，并不意味着三星将把自家芯片设计业务或全部手机处理器转交给GF。
KeyBanc近期亚洲调研的相关转述消息称，英特尔代工服务已取得多家科技公司的项目进展，涉及博通、Google、苹果、AMD、微软和英伟达，项目包括为博通制造网络交换芯片、为Google和微软生产服务器CPU、为苹果制造A系列与M系列处理器、为AMD生产客户端处理器计算模块，以及为英伟达Rubin游戏显卡代工芯片；亚马逊AWS、Anthropic和SpaceX/Tesla旗下Terafab据称仍在评估英特尔14A与18A-P工艺。报道明确指出，客户名单及合同状态尚未得到英特尔或相关公司公开确认，且未披露签约范围、具体制程、投片时间或采购数量，不宜视为已确认的量产订单。KeyBanc估算：苹果项目可能涉及约60万片晶圆，潜在收入150亿至200亿美元；Anthropic定制ASIC项目可能达500万至1000万颗，若计入先进封装，潜在收入或为400亿至800亿美元；英特尔EMIB-T先进封装或为Google TPU项目带来约120亿至150亿美元收入，EMIB-M也可能参与亚马逊Trainium 3及微软Cobalt 400相关项目，均为分析师估算而非已披露合同金额或实际营收。背景方面，英特尔称18A工艺已进入自有产品量产阶段，18A-P于2026年上半年进入风险试产，且在相同功耗下性能较18A提高约9%或在相同性能下功耗降低约18%；14A风险试产目标为2027年下半年，内部产品计划2028年进入高量产爬坡，相较18A在相同功耗下可提升15%至20%性能或在相同性能下降低25%至35%功耗、密度最高提升约30%，这些为厂商制程目标数据，未经第三方客户产品验证。原文未说明原因为该消息属未证实的分析师转述。
Navitas Semiconductor宣布与NVIDIA合作开发一款24 kW、800 VDC转12 VDC的电源传输板(PDB),面向下一代AI数据中心基础设施，基于Navitas的GaNFast技术，支持NVIDIA MGX生态系统，可将电源直接传送给高性能计算处理器(xPU)。该方案计划在2026年OCP全球峰会的NVIDIA AI Factory MGX Wall合作伙伴展示区展出。此板为Navitas此前与NVIDIA合作发布的20 kW、800 V转6 V电源板的后续产品，两者均支持高压直流配电过渡及GaN和SiC技术在AI基础设施中的应用。新板设计目标为最高24 kW输出、满载效率97%、功率密度超过2,000 W/in³,采用NVIDIA 400 mm × 60 mm外形规格，可集成在计算主板靠近xPU处；采用单级转换架构，直接将800 VDC转换为12 VDC,省去常规50 V转12 V中间总线转换器(IBC)级，减少转换步骤、功率损耗和元件数量；12 V输出向VRM供电。初级侧功率级使用16颗NV6034 GaNFast FET(650 V耐压、18 mΩ导通电阻)，采用堆叠半桥拓扑和8 mm × 8 mm双冷却DFN封装。
10月14日，iQOO Neo12 首发搭载由 iQOO、维信诺、清华大学共同研发的第四代 OLED 发光技术——“天空之镜” pTSF 发光材料。相比上代，发光效率提升 8%，全局峰值亮度提升 10%，屏幕功耗降低 6.5%，最核心的屏幕使用寿命提升 50%；视角色偏改善，30° 色偏减少 18%，75° 色偏降低 40%。事件为已观察到的产品确认，来源未说明原因。
应用材料联合台积电、英特尔等五大厂商在加州建立耗资50亿美元的EPIC研发中心。该中心整合材料、设备与工艺研发，旨在加速先进半导体技术商业化，特别是AI领域。
长期利好半导体设备与材料需求，但短期对现货价格无直接影响。
据经济日报报道，NVIDIA在加州圣何塞举行的OCP全球峰会上宣布计划推出每通道400Gb/s的光模块规范，并与思科合作开发超密集小型可插拔（USFP）规范，设计目标为支持每通道400Gb/s。两家公司表示，新设计预计可提供现有每通道200Gb/s光器件4倍的带宽密度和1.3倍的能效，并有通往12.8Tb/s总容量的路径；双方计划建立开放行业规范，可能促使主要云服务商采用，为可插拔光模块市场带来新机会，经济日报点名Luxnet与PCL Technologies为潜在受惠者。上述4倍与1.3倍数据为公司预期，事件仍处于规划/规范制定阶段。报道另提及：Meta在其下一代IcePack液冷网络机架的IceCube平台采用NVIDIA Spectrum-6交换机芯片；NVIDIA独立Vera CPU MGX机架已进入量产并开始出货，采用台积电3nm制程，据报性能较传统x86 CPU高50%、每瓦性能为其两倍；Commercial Times列出12家台湾Vera CPU MGX机架合作伙伴，包括富士康、广达旗下QCT、纬创、纬颖、英业达、仁宝、和硕、神达、华硕、技嘉、微星及华擎旗下ASRock Rack；NVIDIA并在第三代MGX 1.2规范下开放Vera Rubin机架与算力托盘设计，算力托盘模块化液冷设计移除内部线缆、软管与风扇，组装与维护时间从数小时缩短至数分钟，并支持最高5000安培以提升功率密度。
Global Technology于10月12日表示，已与Sungho Electronics子公司ADST开始共同开发用于ADST主动对准设备的紫外(UV)固化光源单元，该设备用于制造CPO系统及高速光收发器。项目涵盖UV固化LED驱动IC、UV LED光源模块和控制单元。主动对准设备在CPO量产工艺中执行光学对准，需以亚微米精度定位光纤、透镜和光学器件后用UV固化胶固定，UV输出与曝光时间须精确控制以减少固化时的收缩与位移。Global Technology指出，国内设备制造商此前大多依赖进口UV固化光源。这是两家公司继下一代显示器micro-LED合作后的第二次合作，计划构建国内量产生态并实现关键设备组件本土化；开发完成后，双方考虑将光源单元部署于ADST设备。Sungho Electronics是ADST母公司，也是Global Technology的战略投资者。业界预计2027或2028年1.6T级设备开始采用时CPO商业化将加速。
10月10日消息，宁德时代宣布与赛力斯集团在重庆签署长期战略合作协议。据介绍，问界品牌自创立以来全系车型均搭载宁德时代电池，截至目前累计交付已突破120万台；以此为新起点，问界将继续长期全系搭载宁德时代电池。双方将围绕三大核心领域深化协同：其一，扩建"厂中厂"产能，加速赛力斯超级工厂"厂中厂"二期建设，二期年规划产能10-12GWh，建成后一、二期总年产能将超20GWh（属规划，尚需建成）；其二，构建超充补能生态，围绕超充网络与电池服务展开合作；其三，加速全球化布局，联合开拓欧洲、中东及中亚等海外市场。文中还提到，去年6月宁德时代在赛力斯超级工厂的两条CTP 2.0高端电池包产线正式投产，这是宁德时代在重庆布局的首个基地，并首次采用"厂中厂"合作模式，为问界系列车型本地化生产供应动力电池系统。
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |