总部位于美国加州El Segundo的Efficient Power Conversion Corp（EPC）表示，其EPC2361 100V eGaN FET已被用于Analog Devices Inc（ADI）的一款高性能降压-升压转换器参考设计，该设计支持4kW功率、高效率。EPC主营用于电源管理应用的增强型氮化镓硅（eGaN）功率场效应晶体管（FET）及集成电路。此为设计应用合作信息，原文未给出价格、供应或需求数据。
Gaonchips于10月19日表示，将参与为韩国航空工业（KAI）运营的下一代无人系统开发人工智能（AI）半导体。该项目为KAI主导的空中无人平台项目，隶属于产业通商资源部（MOTIR）支持的K-On-Device AI半导体技术开发项目，Supergate为首席开发商。项目目标是开发一款作为下一代消耗型无人机“大脑”的AI片上系统（SoC），通过在设备端处理使无人机即使在通信中断或受限的环境下也能运行AI并独立执行任务。Gaonchips将使用三星电子的8纳米代工工艺实现自主研发的神经处理单元（NPU）和雷达信号处理技术，并负责整个芯片的物理设计和最终设计验证；KAI负责无人平台的系统集成与验证，Supergate主导AI芯片架构设计和软件开发。Gaonchips曾开发并量产5nm端侧AI半导体，并参与面向日本客户的2nm GAA工艺及2.5D封装AI加速器设计项目。
onsemi与Sungrow宣布将onsemi的EliteSiC混合功率模块技术集成到Sungrow的PowerTitan 3.0储能平台，用于电网级储能系统的高功率DC-AC转换。据onsemi称，与上一代平台相比，新架构将逆变器级效率提升0.4个百分点，支持额定功率最高450 kW的功率转换单元，峰值效率超过99.3%。onsemi的分析显示，在100 MW电池储能装置中，0.4%的效率提升每年可节省超过475 MWh电量（与上一代模块相比）。该SiC混合技术结合碳化硅与硅功率器件，采用三级逆变器架构，提供更高功率密度和更好热性能。双方曾在平台开发、系统优化、工程验证和资格认证方面合作，此次采用建立在两家公司既有的战略关系之上。
沃尔沃汽车与英伟达正在扩大双方的合作关系，为未来沃尔沃车型开发自动驾驶技术。该系统设计用于处理高速公路、城市街道和停车场景，并将逐步引入eyes-off（脱眼）和mind-off（脱心）驾驶功能，结合沃尔沃的安全专长与英伟达的传感器、计算和软件能力。原文未说明原因。
总部位于美国加州Commerce的XMax Inc(前身Nova LifeStyle Inc)——该公司原主营现代家具的设计、采购与分销,后多元化发展人工智能软件及平台服务——已同意收购Hexa Creation Inc。Hexa Creation是一家美国公司,专注于面向AI数据中心电源基础设施及其他高压应用的1200V垂直氮化镓(GaN)功率半导体技术。协议已达成,但来源未说明交易完成时间及是否需监管批准。
Navitas Semiconductor宣布与NVIDIA合作开发一款24 kW、800 VDC转12 VDC的电源传输板(PDB),面向下一代AI数据中心基础设施，基于Navitas的GaNFast技术，支持NVIDIA MGX生态系统，可将电源直接传送给高性能计算处理器(xPU)。该方案计划在2026年OCP全球峰会的NVIDIA AI Factory MGX Wall合作伙伴展示区展出。此板为Navitas此前与NVIDIA合作发布的20 kW、800 V转6 V电源板的后续产品，两者均支持高压直流配电过渡及GaN和SiC技术在AI基础设施中的应用。新板设计目标为最高24 kW输出、满载效率97%、功率密度超过2,000 W/in³,采用NVIDIA 400 mm × 60 mm外形规格，可集成在计算主板靠近xPU处；采用单级转换架构，直接将800 VDC转换为12 VDC,省去常规50 V转12 V中间总线转换器(IBC)级，减少转换步骤、功率损耗和元件数量；12 V输出向VRM供电。初级侧功率级使用16颗NV6034 GaNFast FET(650 V耐压、18 mΩ导通电阻)，采用堆叠半桥拓扑和8 mm × 8 mm双冷却DFN封装。
据2026年10月7日报道，Navitas Semiconductor已完成对面向AI数据中心的集成电压调节器（IVR）开发商Claros的收购。此次收购将最靠近处理器的末级电源转换环节加入Navitas的GaN和SiC产品组合。Claros的技术将功率晶体管、数字控制、电感和电容集成到单一IVR技术堆栈中，用于封装式和嵌入式两个IVR产品系列，面向电源转换在处理器附近进行的垂直和嵌入式供电架构；据Navitas称，这带来更高效率、更快瞬态响应和更高功率密度。结合其用于800 V DC架构的氮化镓和高压碳化硅技术，Navitas表示现在可以覆盖从电网到处理器的整个电源链。Navitas预计此次收购将在2030年前为其可服务潜在市场增加至少35亿美元，使总规模超过80亿美元，其中包括用于GaN和SiC的35亿美元以及来自新JFET技术的约10亿美元（此为预期，非已实现结果）。
Navitas半导体完成对Claros的收购，旨在拓展AI基础设施电源组合。Claros专注于为下一代AI数据中心开发集成电压调节器（IVR）技术。
此次并购将强化Navitas在AI电源管理领域的布局，可能影响未来功率器件供应格局。
Navitas拟以2.328亿美元收购Claros，旨在强化GaN与SiC策略并覆盖800V基础设施至AI处理器的功率交付。此举将增强Navitas在高功率半导体领域的市场地位。
并购交易有助于提升Navitas在GaN和SiC供应链中的整合能力与产品竞争力。
SK海力士否认Solidigm拟募资3.6亿美元，但韩媒称估值或达360亿美元。高盛牵线阿布扎比主权基金拟参与IPO。
M&A与扩产动态。
BluGlass任命Yam Rubenstein为非执行董事以支持全球运营。该公司专注于基于RPCVD技术的GaN可见激光二极管。
管理变动通常不会立即改变价格。
Navitas Semiconductor 在美国德克萨斯州东区法院起诉 Renesas Electronics，指控其 SuperGaN 等产品侵犯四项 GaN 专利。此次诉讼旨在保护 Navitas 在 AI 基础设施高功率 GaN 应用领域的知识产权。
该法律纠纷可能重塑 GaN 功率器件市场竞争格局，但短期内对现货价格影响有限。
SK集团与英伟达达成5000亿美元合作，SK海力士将供应HBM4。双方将共建AI工厂，SK电信计划建设2GW算力云。
SK海力士HBM需求，长期供应协议确立。
Navitas与Magnachip宣布战略合作，加速高压及超高压SiC技术采用。此举旨在推动SiC在功率市场的应用落地。
信号，预计将提振SiC市场需求及供应链合作。
英飞凌将向ADVANTICS供应1200V CoolSiC MOSFET及2EDB9259Y驱动器。该方案用于ADVANTICS的液冷功率转换器，应用于重卡MCS、数据中心微电网等场景。
该合作确认了英飞凌SiC器件在高压快充及储能领域的强劲需求。
onsemi副总裁Sam Francis确认与英诺赛科建立垂直GaN与横向GaN合作伙伴关系，并指出欧洲车企SiC采用周期长达24至36个月，显著慢于中国车企的12至18个月。
该合作及中国市场的快速采用预示着GaN与SiC功率器件需求将持续增长。
英特尔CEO陈立武宣布投资一家金刚石晶圆公司，旨在利用合成金刚石优异的导热性能。此举是英特尔布局玻璃基板、氮化镓等新材料以突破物理极限的一部分。
先进封装与散热材料的技术路线图。
Semidynamics与SiPearl合作开发欧洲主权AI计算平台，旨在减少对美国和中国技术的依赖。该合作利用RISC-V架构建立本土AI基础设施。
此举对欧洲供应链韧性和数字主权具有战略意义。
Invisix（ASML前员工创立）完成2000万欧元种子轮融资，用于开发软X射线量测系统。该技术基于HHG原理，旨在解决先进逻辑和存储芯片内部结构量测难题。
短期对现货价格无直接影响，但长期可能改变半导体量测设备格局。
RFMW与韩国RFHIC公司达成全球分销协议，负责销售其GaN射频与微波解决方案。该协议扩大了RFHIC的渠道覆盖，但未涉及产能变化或供应紧张信号。
后续季度库存与需求数据，以判断该分销渠道是否带动GaN RF现货价格或交期变化。
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |