Nvidia要求三星、海力士、美光采用台积电3nm基底晶片生产NVHBM
英伟达要求三星、美光和海力士使用台积电3纳米节点制造的基die用于其定制NVHBM,原因是标准化;三星和美光已确认同意该请求,预计2027年量产;海力士已使用台积电12纳米工艺生产HBM4基die;三星亦在验证其2纳米工艺作为备用;三星将继续为不想采用NVHBM的客户生产标准HBM。NVHBM相比标准HBM4E可提供最高30.%更高带宽和15%更低功耗。
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- Samsung、Micron、Hynix
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