IBM与西门子合作推进nanostack晶体管架构，目标迈向制造
IBM与西门子将开展合作研究，开发IBM的nanostack晶体管架构，目标是将该设计推向制造阶段。两家公司称该工作可能影响全球芯片性能、能效和人工智能计算，因其旨在解决7埃节点之后的设计、仿真、光刻和生产挑战。此为合作研究计划，尚未涉及实际制造。
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IBM与西门子将开展合作研究，开发IBM的nanostack晶体管架构，目标是将该设计推向制造阶段。两家公司称该工作可能影响全球芯片性能、能效和人工智能计算，因其旨在解决7埃节点之后的设计、仿真、光刻和生产挑战。此为合作研究计划，尚未涉及实际制造。
RAONTECH于10月16日表示，已于10月15日与SN Display签署谅解备忘录（MOU），共同开发面向增强现实（AR）和虚拟现实（VR）应用的下一代微显示技术。双方将研究将钙钛矿色转换技术整合到微型LED和微型OLED显示器中的可行性，以实现超细像素和全彩成像。RAONTECH专注于微显示器和驱动技术，SN Display则具备钙钛矿纳米晶体和色转换技术专长。文中提到，AR用microLED显示器面临在单面板上集成红绿蓝（RGB）像素的挑战，量子点色转换虽可在单面板实现全彩成像，但在生产小于4微米（µm）像素方面存在局限，且转换效率低会降低亮度；SN Display的钙钛矿技术可在厚度低于0.5µm时实现高色转换效率，并支持使用半导体工艺进行精细图案化。两家公司将评估该技术能否作为小于4µm的microLED像素的色转换材料，并将视研究结果考虑扩大合作，共同开发原型和AR/VR显示解决方案。
Power Integrations Inc（美国加州圣何塞，提供用于高能效功率转换的高压集成电路）与Ideal Power Inc（B-TRAN双向半导体功率开关的开发和供应商）宣布开展合作，共同提供固态断路器（SSCB）解决方案，该方案提供快速、高效、始终在线的保护，并可随AI数据中心800VDC的转型而扩展。原文仅披露合作意向/进行中的协作，未说明具体时间表、财务条款或产品落地的确切日期。
onsemi与Sungrow宣布将onsemi的EliteSiC混合功率模块技术集成到Sungrow的PowerTitan 3.0储能平台，用于电网级储能系统的高功率DC-AC转换。据onsemi称，与上一代平台相比，新架构将逆变器级效率提升0.4个百分点，支持额定功率最高450 kW的功率转换单元，峰值效率超过99.3%。onsemi的分析显示，在100 MW电池储能装置中，0.4%的效率提升每年可节省超过475 MWh电量（与上一代模块相比）。该SiC混合技术结合碳化硅与硅功率器件，采用三级逆变器架构，提供更高功率密度和更好热性能。双方曾在平台开发、系统优化、工程验证和资格认证方面合作，此次采用建立在两家公司既有的战略关系之上。
Infineon 和 Wolfspeed 签署了一份多年供应协议，以 200mm SiC 晶圆取代 150mm 晶圆。
Altair Semiconductor宣布正在将Iridium NTN Direct能力集成到其ALT1350及下一代ALT1550物联网芯片组中。通过在单一芯片组上结合地面蜂窝物联网与Iridium卫星连接，设备制造商、模块厂商和移动网络运营商可通过Iridium卫星网络扩展物联网连接，无需在设计中外加独立卫星调制解调器。该合作将Altair的蜂窝物联网芯片组技术与Iridium基于3GPP标准的非地面网络(NTN)服务相结合。ALT1350为超低功耗LTE-M/NB-IoT芯片组，适用于资产追踪、物流、智能计量、农业、车载远程信息处理、工业监控和远程基础设施；ALT1550为5G eRedCap芯片组，面向智能眼镜、AI助手及可穿戴设备等新一代AI驱动的5G eRedCap设备。Iridium NTN Direct利用Iridium完全运行的LEO卫星星座和全球协调的L波段频谱，支持采用兼容3GPP标准芯片组的NB-IoT和直连设备(D2D)应用。原文未说明该集成完成的具体时间，此为合作/集成计划公告。
据韩国媒体ZDNet 10月15日报道（IT之家10月16日消息），因Galaxy Z Fold8市场需求超出预期，三星此前要求独家代工方联电追加生产DDI，但联电的22纳米DDI产线已满负荷运转，无法承接紧急订单，导致三星削减Z Fold8部分零部件的9月生产计划并顺延至10月，拖累出货节奏与营收表现。为降低对单一供应商的依赖并避免再度出现生产瓶颈，三星正考虑为Galaxy手机OLED DDI引入第二家代工厂，格芯成为主要评估对象，消息称三星正在考察格芯位于新加坡和德国的22纳米、28纳米生产设施。若合作落地，格芯代工的DDI芯片最快可能在2027年底进入Galaxy供应链，并率先用于搭载OLED屏幕的中低端Galaxy A系列机型。三星尚未正式公布相关供应安排，格芯能否获得订单仍取决于产能、良率、成本及认证测试等因素。
据韩国ZDNet援引业内人士，三星电子正考虑为OLED版Galaxy手机的显示驱动芯片（DDI）增加第二家代工供应商，以降低对台湾联电（UMC）的依赖，并可能从2027年底起在部分中低端Galaxy A系列手机中采用格芯（GF）生产的DDI。目前相关芯片由三星系统LSI部门设计、全部交由UMC以22纳米制程代工；三星据称正评估让GF使用22纳米或28纳米制程代工，候选产能涉及新加坡和德国工厂，但具体设计导入、验证及量产安排尚未公布，三星和GF也未正式确认合作，2027年底的时间点仅为业内预计。报道称此调整与存储器需求旺盛带动成熟制程产能吃紧有关：三星7月推出Galaxy Z Fold8后市场需求高于预期，曾要求UMC加急生产，但UMC的22纳米产线已接近满载，三星因此将原定9月Fold8零部件生产计划中的约10%顺延至10月，并据称动用了原本留给下一代产品开发的部分DDI库存。此次调整针对OLED Galaxy手机DDI的晶圆制造，并不意味着三星将把自家芯片设计业务或全部手机处理器转交给GF。
铁器设备（Iron Device）宣布将于10月15日参与由韩国贸易产业资源部（MOTIR）主导的政府支持研究项目，开发用于机器人手的端侧AI计算模块。项目总预算约52.5亿韩元，自今年8月持续至2029年底，旨在研发低功耗SoC（集成CPU、GPU、NPU），使面积比英伟达Jetson Orin Nano降低约59%、能效提升三倍，并将传感器数据到运动控制的延迟降至20毫秒以内。公司计划独立销售该模块给国内外人形及工业机器客户，预计可降低客户机器人系统成本超过25%。
Infineon与Wolfspeed签署了一项多年期协议，由Wolfspeed供应200mm碳化硅(SiC)晶圆，该协议将两家公司现有的供应关系从150mm衬底转向200mm衬底。据Infineon新闻稿，该协议支持Infineon从150mm到200mm SiC制造的转换。Infineon为其全球制造网络（包括位于马来西亚居林的200mm SiC晶圆厂）从多家供应商采购SiC衬底，公司表示这一多源战略旨在确保供应的灵活性和质量。Infineon首席运营官Alexander Gorski表示，该协议进一步扩大了公司用于200mm大批量制造的供应基础，并建立在两家公司20年的供应关系之上。转向更大晶圆主要是成本问题：200mm晶圆比150mm晶圆提供更多可用裸片面积，从而降低单位衬底成本并提高整体制造效率。SiC功率半导体的需求主要来自电动汽车驱动系统、太阳能逆变器和工业电机驱动，Infineon还指出AI数据中心是新兴需求驱动力。两家公司均未披露协议金额或涉及的数量。
Inission 以 5.3百万欧元收购巴伐利亚数字技术（BDT），标志其首次在德国设立业务。协议于2026年10月15日签署，计划于2026年11月2日完成交易。BDT成立于1969年，约有110名员工，2025年收入约2000万欧元，EBITDA 125万欧元。所有员工将留任，BDT将保留当地存在并获益于Inission的网络和资源。
Navitas Semiconductor宣布与NVIDIA合作开发一款24 kW、800 VDC转12 VDC的电源传输板(PDB),面向下一代AI数据中心基础设施，基于Navitas的GaNFast技术，支持NVIDIA MGX生态系统，可将电源直接传送给高性能计算处理器(xPU)。该方案计划在2026年OCP全球峰会的NVIDIA AI Factory MGX Wall合作伙伴展示区展出。此板为Navitas此前与NVIDIA合作发布的20 kW、800 V转6 V电源板的后续产品，两者均支持高压直流配电过渡及GaN和SiC技术在AI基础设施中的应用。新板设计目标为最高24 kW输出、满载效率97%、功率密度超过2,000 W/in³,采用NVIDIA 400 mm × 60 mm外形规格，可集成在计算主板靠近xPU处；采用单级转换架构，直接将800 VDC转换为12 VDC,省去常规50 V转12 V中间总线转换器(IBC)级，减少转换步骤、功率损耗和元件数量；12 V输出向VRM供电。初级侧功率级使用16颗NV6034 GaNFast FET(650 V耐压、18 mΩ导通电阻)，采用堆叠半桥拓扑和8 mm × 8 mm双冷却DFN封装。
超级电容器制造商Skeleton Technologies完成了一轮由Siemens牵头的新投资，公司估值超过10亿美元。据Skeleton新闻稿，本轮融资为“九位数”金额，即至少1亿美元，但具体金额未披露。资金将主要用于在美国建设制造能力，包括自有的电芯生产，面向AI数据中心的电源系统。公司计划在硅谷投资超过2亿美元以扩大运营和研发，并与超大规模云厂商直接合作；美国扩建包括本土电芯制造计划，使Skeleton拥有从电芯到完整系统的美国全价值链。公司称其基于Curved Graphene材料的超级电容器电芯结合电力电子与控制系统，可平抑GPU集群毫秒级功率切换带来的负载波动，据称可实现最高40%的节能并带来两位数的GPU性能提升。Siemens曾于2023年支持Skeleton的扩建，Siemens Digital Industries设计并自动化了Skeleton位于德国莱比锡的SuperFactory；双方将共同为AI数据中心开发和商业化产品。Skeleton尚未披露融资规模、Siemens所持股份比例，以及美国电芯生产将在何地何时启动。
Siemens宣布与高功率储能系统专业厂商Skeleton Technologies达成战略投资及独家全球合作协议，计划将Skeleton的超容（supercapacitor）技术整合进其电气基础设施产品中，以帮助运营商应对AI工作负载日益严苛的功率需求；Siemens借此扩展其AI数据中心基础设施产品组合。原文仅披露协议安排，未说明投资金额、时间表或该合作已实际实施。
Onsemi表示，其最新的EliteSiC混合功率模块现已被用于Sungrow的PowerTitan 3.0储能平台，此举旨在提升公用事业级电池系统的效率、功率密度和可靠性。文章指出，该合作凸显了在AI、电气化和可再生能源推动电力需求上升的背景下，转换效率的小幅提升正变得愈发重要。原文未说明除上述目标之外的其他原因。
IBM与西门子宣布开展联合研究，推进IBM今年公布的NanoStack晶体管架构，重点开发新一代芯片设计、仿真与制造所需的工具和工艺；IBM负责半导体器件技术，西门子贡献电子设计自动化、工艺模拟、光刻优化及先进制造软件能力。NanoStack把传统并排排布的晶体管改为垂直堆叠并让不同层错位排列，IBM称其为业界已知首种基于纳米片的三维晶体管设计。IBM今年6月公布其7埃米级（0.7纳米）技术研究成果，称在指甲大小的芯片上可集成近1000亿个晶体管，密度约为其2纳米芯片的两倍；据IBM论文估算，与其2纳米节点相比最高可带来约50%的性能提升，或在性能相当时降低约70%的能耗；另有研究显示NanoStack架构可使SRAM面积缩小约40%——这些均属IBM对研究技术的测算和预测，不是已量产产品的实测表现。IBM表示已通过超薄介电键合、双沟道工程及可正常切换的CMOS反相器等实验验证NanoStack具备实际制造和运算可行性，但量产仍需解决晶圆键合与对准、层间散热、微细布线、背面供电及三维检测等问题；IBM曾称最早可能在未来五年内推进至生产阶段。此次合作公告未公布具体开发时间表、投资金额或商业量产客户，重点在于建立工具链而非宣布新芯片投产。
IBM(纽约证券交易所代码:IBM)与西门子今日宣布开展新研究合作,旨在推进IBM今年早些时候发布的纳米堆叠(nanostack)晶体管架构。该合作将结合IBM在半导体器件创新方面的领先地位与西门子在电子设计自动化(EDA)、工艺仿真、光刻优化和先进制造软件方面的专业知识,以加速nanostack的开发。据原文,nanostack是业界已知首个三维纳米片(nanosheet)设计,通过垂直堆叠和交错排列晶体管在芯片上容纳更多晶体管,在当前7埃(angstrom)节点上于指甲大小的空间内实现近1000亿个晶体管;该设计还可在每个堆叠层内使用不同材料组合,独立优化每个晶体管的性能和能效,为能效、性能和SRAM缩放带来提升。此为合作研究宣布,属计划阶段,原文未说明原因。
Cisco与Nvidia在2026年OCP全球峰会上宣布，双方正在联合开发一款超密集小封装可插拔(USFP)光模块，旨在支持每通道400Gb/s的电信号。该合作瞄准AI数据中心对更高带宽密度、更高能效及高速互连的需求。事件为联合开发公告，尚处开发阶段，未说明量产或部署时间。
据2026年10月13日报道，Jabil与Adani Enterprises已签署一份不具约束力的谅解备忘录（MoU），计划在印度成立一家各占50%股权的合资企业，制造AI机架、服务器和数据中心设备，目标制造能力为数千兆瓦（several gigawatts）。该拟议合资企业将制造和组装AI机架、服务器、存储与网络设备，以及供电和散热系统（包括电源分配单元、液冷系统和变压器），并提供安装与调试服务；其机架制造产能预计可支持总功率达数千兆瓦的计算系统。合资企业仍取决于最终协议的签署及必要的审批。此举延续了双方于6月宣布的、在印度建设AI与数据中心基础设施制造的战略联盟。合资企业旨在服务印度市场并支持出口；文中提到印度数据中心容量预计到2030年达5–8吉瓦，两家公司估计未来七年全球AI计算基础设施市场机会超过3万亿美元。对Adani而言，该项目契合其到2035年投资1000亿美元建设5吉瓦可再生能源供电的AI就绪数据中心的计划；对Jabil而言（其2026财年营收为360亿美元），该合资企业将扩大其在印度数据中心市场的布局，公司近期还通过收购Hanley Energy Group（电力与能源管理）和Mikros Technologies（液冷）强化了数据中心业务。
ams OSRAM加入Credo牵头的OCP SRMO工作组，旨在为AI数据中心建立可互操作的光互连标准。此举旨在推动下一代AI基础设施的标准化发展，预计将提振光学组件长期需求。
光学互连供应链。
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |