英伟达推动NVHBM标准化计划，要求三星、台积电、美光和SK海力士统一采用台积电3纳米工艺生产基底芯片，核心存储芯片采用第六代DRAM工艺。三星首次接受放弃HBM完全自主的“交钥匙”模式。NVHBM预计带宽增加30%，功耗降低15%。三星代工亏损从2025年6.74万亿韩元降至2026年3.92万亿韩元，降幅41%。
onsemi与Sungrow宣布将onsemi的EliteSiC混合功率模块技术集成到Sungrow的PowerTitan 3.0储能平台，用于电网级储能系统的高功率DC-AC转换。据onsemi称，与上一代平台相比，新架构将逆变器级效率提升0.4个百分点，支持额定功率最高450 kW的功率转换单元，峰值效率超过99.3%。onsemi的分析显示，在100 MW电池储能装置中，0.4%的效率提升每年可节省超过475 MWh电量（与上一代模块相比）。该SiC混合技术结合碳化硅与硅功率器件，采用三级逆变器架构，提供更高功率密度和更好热性能。双方曾在平台开发、系统优化、工程验证和资格认证方面合作，此次采用建立在两家公司既有的战略关系之上。
总部位于美国加州Commerce的XMax Inc(前身Nova LifeStyle Inc)——该公司原主营现代家具的设计、采购与分销,后多元化发展人工智能软件及平台服务——已同意收购Hexa Creation Inc。Hexa Creation是一家美国公司,专注于面向AI数据中心电源基础设施及其他高压应用的1200V垂直氮化镓(GaN)功率半导体技术。协议已达成,但来源未说明交易完成时间及是否需监管批准。
Navitas Semiconductor宣布与NVIDIA合作开发一款24 kW、800 VDC转12 VDC的电源传输板(PDB),面向下一代AI数据中心基础设施，基于Navitas的GaNFast技术，支持NVIDIA MGX生态系统，可将电源直接传送给高性能计算处理器(xPU)。该方案计划在2026年OCP全球峰会的NVIDIA AI Factory MGX Wall合作伙伴展示区展出。此板为Navitas此前与NVIDIA合作发布的20 kW、800 V转6 V电源板的后续产品，两者均支持高压直流配电过渡及GaN和SiC技术在AI基础设施中的应用。新板设计目标为最高24 kW输出、满载效率97%、功率密度超过2,000 W/in³,采用NVIDIA 400 mm × 60 mm外形规格，可集成在计算主板靠近xPU处；采用单级转换架构，直接将800 VDC转换为12 VDC,省去常规50 V转12 V中间总线转换器(IBC)级，减少转换步骤、功率损耗和元件数量；12 V输出向VRM供电。初级侧功率级使用16颗NV6034 GaNFast FET(650 V耐压、18 mΩ导通电阻)，采用堆叠半桥拓扑和8 mm × 8 mm双冷却DFN封装。
西门子宣布推出Tessent™ Silicon Executable（TSE）软件，这是一款独立应用程序，可将测试图形转换并直接应用到高速接口与协议（标题提及PCIe和USB）上执行，并从测试设备生态系统向Tessent In-System Test片上硬件传递测试数据。该软件是西门子宣布的产品发布，属于生态合作性质：TSE与自动测试设备（ATE）供应商Advantest和Teradyne合作发布。Advantest表示将把西门子TSE集成到其带Link Scale的V93000平台，并通过SiConic扩展至硅前验证和DFT实验室工程；Teradyne表示已将Tessent Silicon Executable集成到其UltraFLEXplus的UltraPort仪器中，并称其是首家为客户提供通过PCIe运行SSN、面向PCIe Gen 6接口的标准路径的测试机公司，称这可显著提升性能并缩短测试时间。西门子EDA的Ankur Gupta给出的原因是：硅复杂性、多裸片和新晶体管技术正在推动测试内容增长。原文未提供价格或市场影响的量化数据。
ams OSRAM加入Credo牵头的OCP SRMO工作组，旨在为AI数据中心建立可互操作的光互连标准。此举旨在推动下一代AI基础设施的标准化发展，预计将提振光学组件长期需求。
光学互连供应链。
韩国GF证券分析师Jeff Pu预测英伟达或于2028年下半年在部分新一代AI芯片中采用英特尔Foveros先进封装技术。此举标志着英特尔在先进逻辑制程受限的情况下，通过先进封装切入英伟达供应链的战略尝试，可能采取台积电制造与英特尔封装的混合模式。
该预测暗示英特尔先进封装产能潜在增长，但TrendForce指出CoWoS仍是主流，对当前价格影响有限。
Astute Group与Samwha Capacitor Group签署特许经销协议，将Samwha的电容器、储能元件、铁氧体产品、电感和变压器技术纳入Astute的产品组合，为Astute客户提供获得Samwha元件的授权渠道，覆盖电子、工业、汽车和能源应用。Samwha Capacitor Group由五家关联公司组成，在全球拥有11家工厂和17个销售办事处。其产品组合包括多层陶瓷电容器（MLCC，含标准、软端子、开放模式和浮动模式产品）、圆片陶瓷电容器（含温度补偿、高压、交流电压和超高压类型）、压敏电阻、电力电容器和电容器组、DC-Link电容器和缓冲电容器、双层电容器（EDLC，支持储能和备份应用）、导电聚合物混合电容器（低ESR和高纹波电流能力）以及铝电解电容器；其中特定低压电力电容器范围覆盖0.2至50kvar电容、220至1,000 V额定电压。Astute客户还可通过集团组合获得Samwha的变压器、电感产品和EMI元件。原文未说明原因之外的价格或供应影响；双方将在electronica展会C5:421展位进行介绍。
Navitas半导体完成对Claros的收购，旨在拓展AI基础设施电源组合。Claros专注于为下一代AI数据中心开发集成电压调节器（IVR）技术。
此次并购将强化Navitas在AI电源管理领域的布局，可能影响未来功率器件供应格局。
AMD首席执行官苏姿丰在首尔与三星半导体负责人全永铉会面，旨在应对全球内存短缺。此举紧随双方3月签署下一代HBM供应协议之后，正值内存价格飙升制约AI基础设施扩张之际。
此次高层会晤凸显了在供应紧张背景下，保障AI产业链稳定的迫切需求。
AMD CEO Lisa Su计划于2026年10月访韩，深化与三星电子的HBM4及NPU合作。继3月启动下一代AI内存合作后，此次行程旨在扩大AMD在韩国的AI半导体联盟。
战略联盟深化可能影响未来HBM4供应稳定性及产能规划。
Navitas拟以2.328亿美元收购Claros，旨在强化GaN与SiC策略并覆盖800V基础设施至AI处理器的功率交付。此举将增强Navitas在高功率半导体领域的市场地位。
并购交易有助于提升Navitas在GaN和SiC供应链中的整合能力与产品竞争力。
高通正与三星磋商，计划为骁龙8 Elite Gen 6采用台积电与三星分工的双代工模式。此举旨在应对台积电先进制程报价上涨及产能紧张，通过分散制造风险降低供应链集中度。
三星2nm良率提升能否支撑量产，以及双代工模式对成本与供应稳定性的潜在影响。
OpenAI与三星电子合作开发下一代芯片，继其首款TSMC代工的Jalapeño芯片之后。TrendForce指出，此次合作凸显了韩国在内存技术方面的优势，且合作范围可能扩展至内存之外。
该合作可能重塑AI芯片供应链格局，但短期内对现货价格影响有限。
BluGlass任命Yam Rubenstein为非执行董事以支持全球运营。该公司专注于基于RPCVD技术的GaN可见激光二极管。
管理变动通常不会立即改变价格。
Navitas Semiconductor 在美国德克萨斯州东区法院起诉 Renesas Electronics，指控其 SuperGaN 等产品侵犯四项 GaN 专利。此次诉讼旨在保护 Navitas 在 AI 基础设施高功率 GaN 应用领域的知识产权。
该法律纠纷可能重塑 GaN 功率器件市场竞争格局，但短期内对现货价格影响有限。
台积电与索尼成立合资公司，投资49亿美元在日本量产下一代CMOS图像传感器。此举旨在通过垂直整合巩固双方在图像传感器领域的领先地位，应对三星及中国厂商竞争。
长期产能布局将重塑CIS供应链格局，短期现货价格影响有限。
AMD收购AI芯片初创公司Taalas，其HC1芯片在TSMC 6nm工艺下实现每秒16,960 tokens的推理速度，性能较Nvidia GPU提升48倍。该技术通过将模型权重直接蚀刻进硅片，旨在提升AI推理效率并降低功耗。
此举强化了AMD在AI硬件领域的竞争力，可能改变未来AI加速器市场的供需格局。
Wolfspeed与LITEON达成战略合作，其SiC技术获准用于800VDC电源侧车及计算机架PSU平台。该认证验证了Wolfspeed在超大规模AI数据中心中的SiC需求，并预示着更广泛的CSP平台应用潜力。
SiC器件需求及Wolfspeed市场地位。
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |