英飞凌与Wolfspeed的长期供应协议扩大并延长至8英寸碳化硅晶圆
英飞凌根据一项扩大并延长的长期供应协议，从Wolfspeed获得8英寸碳化硅(SiC)晶圆供应。该协议使这家德国芯片制造商为其SiC晶圆厂转换所需的更大尺寸衬底获得了另一个供应来源；对这家美国材料供应商而言，该协议意味着一家顶级客户在其财务重组约一年后作出的采购承诺。
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- Infineon Technologies、Wolfspeed
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英飞凌根据一项扩大并延长的长期供应协议，从Wolfspeed获得8英寸碳化硅(SiC)晶圆供应。该协议使这家德国芯片制造商为其SiC晶圆厂转换所需的更大尺寸衬底获得了另一个供应来源；对这家美国材料供应商而言，该协议意味着一家顶级客户在其财务重组约一年后作出的采购承诺。
onsemi与Sungrow宣布将onsemi的EliteSiC混合功率模块技术集成到Sungrow的PowerTitan 3.0储能平台，用于电网级储能系统的高功率DC-AC转换。据onsemi称，与上一代平台相比，新架构将逆变器级效率提升0.4个百分点，支持额定功率最高450 kW的功率转换单元，峰值效率超过99.3%。onsemi的分析显示，在100 MW电池储能装置中，0.4%的效率提升每年可节省超过475 MWh电量（与上一代模块相比）。该SiC混合技术结合碳化硅与硅功率器件，采用三级逆变器架构，提供更高功率密度和更好热性能。双方曾在平台开发、系统优化、工程验证和资格认证方面合作，此次采用建立在两家公司既有的战略关系之上。
英飞凌科技与Wolfspeed签署一项多年期协议，以确保200mm碳化硅(SiC)晶圆的供应，支持其向更大直径制造的转变。该协议建立在两家公司20年合作关系的基础上，并将双方现有的晶圆供应安排从150mm衬底转向200mm衬底。
Wolfspeed Inc（美国北卡罗来纳州达勒姆）与英飞凌科技（德国慕尼黑）签署了一项新的多年期协议，将两家公司之间现有的长期碳化硅（SiC）衬底供应安排从150mm直径晶圆过渡到200mm直径晶圆，并扩大和延长了该长期供应协议。原文未说明原因。
Infineon 和 Wolfspeed 签署了一份多年供应协议，以 200mm SiC 晶圆取代 150mm 晶圆。
Infineon与Wolfspeed扩大合同，加强8英寸SiC采购。原文未说明原因，正文亦未提供具体时间、数量、金额或其他细节。
Infineon与Wolfspeed签署了一项多年期协议，由Wolfspeed供应200mm碳化硅(SiC)晶圆，该协议将两家公司现有的供应关系从150mm衬底转向200mm衬底。据Infineon新闻稿，该协议支持Infineon从150mm到200mm SiC制造的转换。Infineon为其全球制造网络（包括位于马来西亚居林的200mm SiC晶圆厂）从多家供应商采购SiC衬底，公司表示这一多源战略旨在确保供应的灵活性和质量。Infineon首席运营官Alexander Gorski表示，该协议进一步扩大了公司用于200mm大批量制造的供应基础，并建立在两家公司20年的供应关系之上。转向更大晶圆主要是成本问题：200mm晶圆比150mm晶圆提供更多可用裸片面积，从而降低单位衬底成本并提高整体制造效率。SiC功率半导体的需求主要来自电动汽车驱动系统、太阳能逆变器和工业电机驱动，Infineon还指出AI数据中心是新兴需求驱动力。两家公司均未披露协议金额或涉及的数量。
Navitas Semiconductor宣布与NVIDIA合作开发一款24 kW、800 VDC转12 VDC的电源传输板(PDB),面向下一代AI数据中心基础设施，基于Navitas的GaNFast技术，支持NVIDIA MGX生态系统，可将电源直接传送给高性能计算处理器(xPU)。该方案计划在2026年OCP全球峰会的NVIDIA AI Factory MGX Wall合作伙伴展示区展出。此板为Navitas此前与NVIDIA合作发布的20 kW、800 V转6 V电源板的后续产品，两者均支持高压直流配电过渡及GaN和SiC技术在AI基础设施中的应用。新板设计目标为最高24 kW输出、满载效率97%、功率密度超过2,000 W/in³,采用NVIDIA 400 mm × 60 mm外形规格，可集成在计算主板靠近xPU处；采用单级转换架构，直接将800 VDC转换为12 VDC,省去常规50 V转12 V中间总线转换器(IBC)级，减少转换步骤、功率损耗和元件数量；12 V输出向VRM供电。初级侧功率级使用16颗NV6034 GaNFast FET(650 V耐压、18 mΩ导通电阻)，采用堆叠半桥拓扑和8 mm × 8 mm双冷却DFN封装。
英飞凌与伊顿合作开发AI数据中心800VDC SiC功率模块。此举旨在满足AI基础设施对高功率密度的需求。
SiC功率模块供应链。
Navitas半导体完成对Claros的收购，旨在拓展AI基础设施电源组合。Claros专注于为下一代AI数据中心开发集成电压调节器（IVR）技术。
此次并购将强化Navitas在AI电源管理领域的布局，可能影响未来功率器件供应格局。
英飞凌将向伊顿提供碳化硅器件用于其800V数据中心固态变压器。该合作旨在提升连接AI数据中心与电网的电力转换效率与可靠性。
SiC功率器件在数据中心高功率场景的渗透率。
Nexstrom 筹集 1200 万美元用于扩大 12 英寸单晶 2D 平台。该资金将加速先进半导体制造用材料生长的产能扩张。这对 2D 材料供应链是一个关注信号。
Navitas拟以2.328亿美元收购Claros，旨在强化GaN与SiC策略并覆盖800V基础设施至AI处理器的功率交付。此举将增强Navitas在高功率半导体领域的市场地位。
并购交易有助于提升Navitas在GaN和SiC供应链中的整合能力与产品竞争力。
Wolfspeed与LITEON达成战略合作，其SiC技术获准用于800VDC电源侧车及计算机架PSU平台。该认证验证了Wolfspeed在超大规模AI数据中心中的SiC需求，并预示着更广泛的CSP平台应用潜力。
SiC器件需求及Wolfspeed市场地位。
Navitas与Magnachip宣布战略合作，加速高压及超高压SiC技术采用。此举旨在推动SiC在功率市场的应用落地。
信号，预计将提振SiC市场需求及供应链合作。
英飞凌将向ADVANTICS供应1200V CoolSiC MOSFET及2EDB9259Y驱动器。该方案用于ADVANTICS的液冷功率转换器，应用于重卡MCS、数据中心微电网等场景。
该合作确认了英飞凌SiC器件在高压快充及储能领域的强劲需求。
onsemi副总裁Sam Francis确认与英诺赛科建立垂直GaN与横向GaN合作伙伴关系，并指出欧洲车企SiC采用周期长达24至36个月，显著慢于中国车企的12至18个月。
该合作及中国市场的快速采用预示着GaN与SiC功率器件需求将持续增长。
Innatera与CyranAI扩展合作，加速下一代智能边缘设备开发。双方已交付EMG原型，计划拓展至可穿戴设备等超低功耗应用。
Neuromorphic 处理器在边缘计算领域的长期技术趋势。
Nexperia中国确立独立运营，MOSFET与逻辑IC获国内供应链支持。继与荷兰总部决裂后，中国区正通过本土供应链保障关键元器件供应。
供应链结构重组可能影响全球供应稳定性。
AIXTRON获Lumentum多笔订单，Veeco获超2.5亿美元设备订单。为满足AI数据中心800G及1.6T光模块产能扩张需求。
AI算力基建推动光通信设备制造商订单激增。
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |