立昂微预计2026年前三季度净利润约1.74亿元，同比扭亏为盈，扣非净利润约1.33亿元，半导体硅片板块盈利能力大幅改善
立昂微公告预计2026年前三季度归属于上市公司股东的净利润为1.74亿元左右，同比扭亏为盈；预计归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为1.33亿元左右，同比扭亏为盈。公司称半导体硅片板块盈利能力大幅改善，主要受益于产品结构升级、产销规模扩张及产品销售单价上涨等。上述数据为公司预计的业绩预告，并非已实现结果。
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立昂微公告预计2026年前三季度归属于上市公司股东的净利润为1.74亿元左右，同比扭亏为盈；预计归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为1.33亿元左右，同比扭亏为盈。公司称半导体硅片板块盈利能力大幅改善，主要受益于产品结构升级、产销规模扩张及产品销售单价上涨等。上述数据为公司预计的业绩预告，并非已实现结果。
显示贴合设备制造商Shindo Eng Lab于当地时间10月15日在旧金山SEMICON West 2026上公布了一种芯片封装架构，将图形处理器（GPU）与高带宽存储器（HBM）垂直堆叠，中间夹一层约200微米厚的玻璃陶瓷中介层。该架构中GPU位于中介层上方、HBM位于下方，两者通过中介层中的垂直导电通孔连接；液冷模块分别置于GPU上方和HBM下方以相反方向散热；电力由底部印刷电路板（PCB）经金属柱输送至中介层并分配给两颗芯片。原文指出，当前AI半导体封装采用将GPU与HBM并排放置在硅中介层上的2.5D架构，垂直堆叠会缩短芯片间距离，但带来热量集中和热胀冷缩导致翘曲等挑战；Shindo声称其可调整热膨胀特性的玻璃陶瓷中介层结合两侧冷却可缓解这些问题。形成垂直导电通孔的技术为透过玻璃陶瓷通孔（TGCV），公司于9月发布，该工艺在玻璃陶瓷基板上用光刻同时形成孔洞图案并以铜填充；Shindo最初将TGCV作为倒装芯片球栅阵列（FC-BGA）基板中有机核心的潜在替代品提出。Shindo主要为显示面板与盖板玻璃贴合提供层压和真空贴合设备，此前无半导体基板业务经验。该公司已为该架构提交专利申请，并正与约10家公司进行技术讨论，已向其中部分公司提供样品；尚未披露其打算直接制造并销售中介层还是供应设备。Shindo一位官员表示，最终目标是实现以TGCV为基础技术、垂直集成GPU与HBM的3D架构，并计划将该结构提交给委外封测（OSAT）公司讨论潜在应用。该架构尚属提案阶段，未见量产或商业化实现。
Infineon 在 SEDEX 2026（于 2026 年 10 月 16 日在韩国首尔 COEX 举行）上推出其面向人形机器人手部的半导体解决方案，重点是微控制器（MCU）、功率半导体和触觉传感器，并展示了配备 MCU、氮化镓（GaN）功率半导体及功率/位置传感器的驱动板，可驱动最高 1.2 千瓦的电机，尺寸约 66 毫米。
原文为背景性描述：全球碳化硅（SiC）市场正处于工业规模化的关键节点，其驱动因素为汽车、AI数据中心和可再生能源领域需求上升。原文未给出任何价格、产能、企业、日期或具体事件，未说明原因，也未涉及任何计划、政策或交易事件。
日本理化学研究所（RIKEN）及其合作团队在硅自旋量子比特并行控制方面取得实验进展，相关研究于2026年10月15日发表于《自然·物理》（Nature Physics），论文题为《硅自旋量子比特阵列中的高保真度单量子比特门并行操作》。研究团队使用包含五个硅自旋量子比特的实验装置，通过一条共享微波控制线路进行控制：经优化的器件设计和精细校准后，五个量子比特分别单独进行单量子比特操作时量子门保真度均超过99.99%，其中最好者接近99.999%；在最多三个量子比特同时操作时保真度维持在99.99%以上；五个量子比特全部同时运行时保真度约为99.9%。研究人员发现，并行操作时精度下降的一个重要原因是微波信号引起的量子态相位偏移，即交流斯塔克位移（AC Stark shift），并开发了基于量子比特两两校准的方案来补偿部分误差；剩余误差的一项重要来源被团队认为是驱动诱导退相干（drive-induced decoherence），仅靠相位补偿无法完全解决。研究人员指出，该实验仅在五个量子比特装置上验证，并不意味着已构建实用规模的量子计算机；该成果被视为利用现有半导体制造技术构建更大规模硅基量子处理器的重要一步，长期目标是实现基于硅自旋量子比特的容错量子计算机。
快科技10月19日消息，REDMI K100已官宣10月27日发布，官方确认新机搭载骁龙8至尊版旗舰芯片，并首次加入游戏独显D2，形成"狂暴双芯"组合。骁龙8至尊版是高通首款采用自研Oryon CPU架构、台积电3nm工艺的旗舰平台，配2颗超大核与6颗性能核、Adreno 830 GPU；游戏独显D2为REDMI此前在至尊版机型上采用的定制独显芯片，承担硬件级画面超分与超帧补帧任务。官方确认屏幕升级为165Hz高刷电竞直屏。根据爆料（非官方确认），该机将升级为6.9英寸大屏直屏方案，搭载超级像素屏幕技术，内置10000mAh级硅碳负极电池（小米手机史上最大电池）并支持100W有线快充。官方已公布新机外观，推出与Pro同款的流萤绿配色，背部右侧有Bose调音标识。原文未说明原因（无价格/供应相关事件）。
快科技10月19日消息，在2026年OCP全球峰会上，英特尔分享其硅光子愿景并提出“金锤子”战略：宣称自己是唯一能够以300毫米磷化铟（InP）硅光子技术大规模服务整个行业的高量产晶圆厂，这些300毫米晶圆将承载面向高性能计算（HPC）和人工智能（AI）领域未来NPO与CPO功能所需的尖端硅材料。数据中心系统与解决方案副总裁尼克·杜贝称硅光子为下一代系统的“金锤子”，并表示关于硅光子成为行业标准的讨论已持续一段时间，英特尔及其团队正夜以继日地工作，力求在未来几年内将其变为现实——此为愿景与计划，尚未实现。原文给出的原因是：行业在传输距离、带宽密度和每比特能耗方面正触及极限，而硅光子能够同时解决这些问题。英特尔还表示拥有可构建可靠硅光子平台的集成工具（如集成激光器，可实现无需维护的集成光源），并将推动外部光源社区标准以提供美国晶圆厂制造的多波长光源；预计将显著降低所有数据传输的每比特能耗，估计光子学系统可使其降至每比特5皮焦耳以下；并认为硅光子将开辟一类新系统，在机架、节点和系统规模上实现更大灵活性与更好能效。上述均为英特尔的宣示与预期，不构成已实现的结果。
据SPIE Digital Library的技术分析，常规极紫外（EUV）光刻使用13.5纳米波长、通过反射光学系统配合定制光掩模，虽能以高产能打印极小特征，但每个新设计都需要昂贵的掩模组。无掩模EUV光刻提出不将图形存储在物理掩模上，而是使用可编程阵列或其他快速可寻址光学元件，将数字图形直接写入晶圆，从而避开电子束光刻串行逐点写入的速度瓶颈，缩短设计迭代周期并降低小批量生产的固定成本。文章指出该技术并非对EUV扫描仪或电子束工具的简单替代：EUV辐射被大多数材料强吸收，系统需在真空和专用反射光学下运行；可编程图形发生器需在EUV曝光下保持纳米级定位精度、控制热量与污染并避免缺陷；光刻胶在极小尺寸下的随机变异以及海量图形文件的实时处理也是挑战。首批成功应用可能是有选择性的，如快速原型、小批量先进器件、研究、掩模修复或特定关键层，而非全面取代大规模量产光刻。此内容为技术背景分析，不涉及具体厂商、产量、价格或订单数据。
Kulicke & Soffa 财政第三季度 2026 年净收入为 3.304 亿美元，同比增长 123%，毛利率 47.8%，非GAAP每股收益 1.20 美元，超出预期。公司预计财政 2026 年第四季度收入约为 3.75 亿美元，截至 2026 年 10 月 3 日，因半导体、存储、汽车和工业市场需求增强。
据新加坡企业发展局(EnterpriseSG)负责制造业的助理局长Zeng Yi Wong表示,新加坡正瞄准高价值半导体制造、先进封装和硅光子学领域,依托其在工程、精密制造和可靠性方面的优势。该内容为背景性战略定位信息,未涉及具体价格、产能数字或企业事件。
这是湖南贝哲斯信息咨询有限公司发布的半导体用高纯过氧化氢行业分析报告（2026版）的推广性介绍，不涉及具体价格变动或产能事件。报告称2025年全球半导体用高纯过氧化氢市场规模达 亿元（人民币），中国市场规模达 亿元（原文数值留空），并援引贝哲斯咨询预测称2032年全球市场规模将增长至 亿元，预测期间CAGR将达到 %（原文数值留空）。报告按产品等级细分为UP (SEMI G2)、UP-SSS (SEMI G5)、UP-S (SEMI G3)、EL (SEMI G1)、UP-SS (SEMI G4)，按终端应用细分为芯片、晶圆、其他；列出的中国行业内主要企业包括杭州精欣化工、晶瑞电材、Changchun Group、Solvay、MGC、Evonik、Arkema、OCI Company、Technic，并称报告包含2025年业务规模排行前三企业市场份额占比分析。市场规模的历年区间覆盖2020-2025年，预测区间为2025-2031年。原文未说明原因（本条无价格或供需变动事件）。
据 IT之家 10 月 17 日消息，GPU 初创企业 Bolt Graphics 当地时间本月 13 日宣布，已完成 Zeus 架构 GPU 测试芯片的调试工作，为商用产品的 2028 年发售打下基础。该测试芯片在台积电 12nm 工艺上流片，尺寸仅 6mm²，A0 步进回片未发现任何功能问题，功耗 1.4W。Bolt 的 Zeus 架构集成专用电磁仿真硬件，同时可加速路径追踪图形负载，适用于物理 AI 等复杂计算场景。商用 GPU 芯片将采用台积电 N5P 制程工艺，预计 2027Q1 开放开发者访问权限、2027 年底向早期访问计划客户提供首批产品、2028 年启动 PCIe AIC 和服务器量产并于同年全面上市。
据消息汇总，初代iPhone于2007年1月首次亮相、同年6月29日上市，照此推算2027年为iPhone问世二十周年，外界普遍认为苹果会推出特别纪念版，但名字尚无官方确认（一种说法是跳过iPhone 19直接用iPhone 20，也有媒体猜测叫iPhone XX）。发布时间无确切信息，业界普遍预期遵循苹果惯例定于2027年9月发布、9月底或10月开售；因其技术规格高于多数Pro机型，起售价预计至少1299美元（约合9223元人民币），有可能更高。此前有分析机构在2026年8月称苹果因制造难度与商业可行性方面的顾虑取消了全玻璃纪念机型，但彭博社的马克·古尔曼随后否认该说法，表示苹果仍在推进以玻璃为核心的设计，只是结构方案做了调整。传闻要点包括：供应链描述为四曲面屏幕，量产时前后玻璃拼接难题的调整方案改用金属边框连接；正在测试6.41英寸（约2686 x 1236）与6.96英寸（约2912×1340，宣传上或称7英寸）两种尺寸；多则传闻指向屏下Face ID加单挖孔前置摄像头，但也有分析师认为较小灵动岛会延续到2027年；正与索尼合作开发采用LOFIC技术的定制传感器，主摄可能升级到2亿像素；电源键、音量键、Action键与相机控制键传闻改为固态触感方案；芯片或命名A21 Pro，基带传闻为C3，N1支持Wi-Fi 7与蓝牙6，内存至少12GB（16GB存在可能但属推测）；电池或采用纯硅负极方案。以上多为传闻或推测。
作者根据Texas Instruments的一份新闻稿介绍，该公司推出RES80A-Q1，这是一款50-MΩ精密电阻分压器，可用于高达2,000 V DC的极高电压，且已通过AEC-Q200汽车级无源元件认证，主要用途是高压EV电池包中为车辆电池管理系统（BMS）提供电压数据。该器件采用高性能模拟晶圆工艺和SiO2绝缘层封装，8引脚SOIC封装标称尺寸7.5 mm × 5.85 mm，高低压引脚间爬电和电气间隙至少8.5 mm；每个分压器的实测比值与标称值之差在±0.1%（最大）以内，规定温度范围和老化条件下的累积漂移仅±0.2%（最大），未经校准的RES80A-Q1的寿命容差保持在±0.3%（最大）范围内。文章背景性讨论了汽车（尤其是EV）对无源元件性能要求提升，以及该类标准目录器件可被非汽车设计采用，同时指出汽车复杂化带来的维修与供应链挑战；文中未包含任何价格变动、产能或供需数据。
Terafab 项目已获得 16.8 亿美元的一期资金（四期总额最高可达 119 亿美元）；其位于奥斯汀的研究晶圆厂正在每月处理几千片晶圆，迭代工艺配方、晶体管设计和封装变体，而格里姆斯县正在建设的产能晶圆厂目标是每月 10 万片晶圆起始量，首片硅预计在 2029 年交付，采用埃隆·马斯克所命名的英特尔 14A 工艺。站点和一期资金已获批准，研究晶圆厂正在施工，但尚未公开首片晶圆日期或所有权条款，且特斯拉和英特尔均未签订合约约束。文章认为，先进封装而非光刻将决定单屋顶概念是否盈利。
2026年10月16日，德国初创公司Ubitium宣布获得由Ibex Investors领投的1400万美元种子轮融资，OpenOcean、KBC Focus Fund、Runa Capital、Inflection等现有投资者及Quantum Systems联合创始人兼首席执行官Florian Seibel个人参投，使其自2024年成立以来的种子轮融资总额达到1800万美元。Ubitium计划于2027年流片其首款商用处理器UB410（含4096个处理单元），并交付评估样片。原文未说明原因。
据Moore's Law Is Dead YouTube频道曝光的裸片照片，Intel即将推出的移动端"Nova Lake"系列芯片细节披露。其中"Nova Lake-HX"采用8+16+4核心配置（8个P-Core、16个E-Core、4个LPE-Core），总硅片尺寸为12x30毫米、合计360平方毫米，由六颗不同工艺节点的裸片组成：图形tile基于Intel 3-E节点，内含4个Xe GPU核心，面积约26平方毫米；21平方毫米的虚拟裸片用于封装结构完整性；72平方毫米的大裸片基于Intel 18A-P节点，承载4个LPE-Core并作为中央枢纽；另一颗58平方毫米的18A-P裸片作为外设控制tile；主计算tile由外部代工（TSMC N2P节点）承载8P+16E CPU核心配置，占最大面积104平方毫米；旁边还有85平方毫米的无源tile用于结构完整性和"Nova Lake-HX"芯片的预期运作。"Nova Lake-H"变体采用4+8+4配置（4个P-Core、8个E-Core、4个LPE-Core），封装明显更小，为12x23毫米、总面积276平方毫米；除主计算tile（TSMC N2P节点、4P+8E核心配置、55平方毫米）外，其余配置与HX相同，其相邻无源裸片仅45平方毫米，外设控制裸片、中央枢纽裸片和图形tile均采用Intel节点制造并与HX变体相同。
ASM技术副总裁Glen Wilk在SEMICON West 2026期间于旧金山Moscone Center举行的CEO Summit面板会议上(当地时间10月14日)表示，传统微缩实际上已走到其使用寿命的尽头，材料将不再仅仅支持微缩，而是将驱动半导体创新。他解释，仅靠工艺微型化已无法满足人工智能对计算性能和能效的要求，并以晶体管栅极为例：作为栅介质使用超过50年的二氧化硅被氧化铪等高k材料取代，以降低栅极漏电流并改善晶体管性能；他还强调热管理领域需要材料创新。ASM的主要收入来源是ALD和外延设备；钼等新型互连金属也可用ALD沉积，GAA晶体管所需的硅和硅锗薄膜则用外延设备生长，因此新材料的引入对ASM构成收入增长机会。会议发言未涉及具体价格、产量或订单数据，原文未说明原因之外的额外背景。
据市场研究机构Sigmaintell于10月15日发布的数据，三星显示为各大笔电品牌供应超过70%的OLED面板。随着OLED在笔电市场的普及，供应日趋集中：联想目前主要依赖三星显示，同时从京东方和 EverDisplay (EDO) 采购部分面板；惠普也高度依赖三星显示，并在部分机型使用EDO面板；华硕从三星显示、京东方和EDO采购；宏碁约75%的OLED面板来自三星显示；戴尔XPS系列的面板来自LG Display，其他产品则主要依赖三星显示。出货量方面，笔电OLED面板出货量从去年第一季度的210万片增至今年第二季度的430万片，预计第三季度将达到490万片；今年下半年OLED占整体笔电面板市场的份额预计超过10%；联想、惠普和华硕今年各自预计将有超过10%的笔电配备OLED面板。Sigmaintell表示，由于对单一供应商依赖加深会削弱议价能力并增加协调负担，主要笔电品牌正将采购策略转向多元供应商。在入门级市场，TCL华星准备供应喷墨打印(IJP)OLED面板，其已于第三季度开始出货显示器面板，并计划于第四季度启动笔电面板量产；在中高端市场，京东方和维信诺正在扩大柔性OLED面板供应，京东方B16产线已于今年第二季度量产，维信诺已于第三季度开始生产笔电用柔性OLED面板。Sigmaintell预测，到2030年非晶硅(a-Si)LCD在笔电面板中的占比将从2024年的约79%降至约48%，OLED份额预计升至约20%，氧化物LCD预计达到约29%。
据快科技10月16日报道，江苏海思半导体科技有限公司近日接连完成两台光刻机的出厂验收与发运，其中一台即将出口欧洲，这是该公司自2024年以来向境外市场交付的第17台光刻设备。10月12日，境外客户验收代表团到访HISIGK洁净车间，对一台全自动光刻机进行出厂前最终检验，按双方约定验收通过后设备立即启程发运，跨越八千公里抵达欧洲客户。10月13日，另一台面向8英寸晶圆的全自动掩模对准光刻机完成调试并装车发运，该设备采用SMIF天车上料系统，主要用于硅基Micro LED晶圆的图形化制程，正面对准精度优于正负0.5微米，可选配背面对准模块，对准精度优于正负2微米。该公司产品谱系覆盖1微米级接触式光刻机到350纳米及500纳米分辨率步进式投影光刻机，已在苏州相城与成都天府新区建立双生产基地，产品覆盖2至12英寸晶圆。原文未说明原因。
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |